冠西光耦_厂家_价格_品牌_库存

AT224 光继电器由红外发光二极管和光电发生器、MOSFET组成。广泛应用于：通讯产品(个人电脑,笔记本电脑)、调制解调器/传感、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。

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型号：GAQW216E 编号：C7435152

封装：DIP-8

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、无弹跳和无噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：TLP350(F) 编号：C50232

封装：DIP-8

是一款DIP8封装的光电耦合器，由GaAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达100℃的温度下提供有保证的性能和规格。具有内部法拉第屏蔽，可保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

数据手册

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型号：G3VM-61VY2 编号：C1558855

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：OMRON(欧姆龙)

应用：半导体测试设备。测试与测量设备。通信设备。安全设备。工业设备。电源电路。娱乐设备

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型号：GAQY412RS 编号：C42463226

封装：SOP-4

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：QCPL-074H-500E 编号：C692108

封装：SOP-8

QCPL - 071H（单通道）和QCPL - 074H（双通道）是采用SOIC - 8封装的15 MBd CMOS光耦合器。这些光耦合器采用最新的CMOS IC技术，以极低的功耗实现了卓越的性能。QCPL - 071H和QCPL - 074H的基本组成部分是高速LED和CMOS探测器IC

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型号：BCY252GA 编号：C22391872

封装：SMD-4P

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：5mA 漏电流：1uA；主要应用：通信设备、测试与测量设备、安全设备、IO模块、工厂自动化设备、安全设备、储能设备、工业机器人等

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型号：TLX9185A(GRWGBTF 编号：C43687258

封装：SOP-4-2.54mm

东芝TLX9185A超小型扁平光电耦合器适用于表面贴装组装。TLX9185A由一个红外发光二极管和一个光电晶体管光耦合而成。该光电耦合器可用于广泛的应用场景

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型号：GAQW214S 编号：C7435121

封装：SOP-8

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、无弹跳和无噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：HCPL-0500-500E 编号：C2938991

封装：SO-8

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带宽模拟应用，在IF = 16mA时，电流传输比（CTR）最低为7%。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在IF = 16mA时，这些器件的CTR最低为19%。

数据手册

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型号：TLP700(TP,F) 编号：C43687210

封装：SOP-6-6.8mm

由GaAs发光二极管和集成光电探测器组成，采用6引脚SDIP封装。比8引脚DIP小50%，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求，可减少需要安全标准认证设备的安装面积。适用于IGBT或功率MOSFET的栅极驱动电路，尤其能够“直接”驱动低功率IGBT。

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型号：QXH65LC-CuH-L 编号：C51026134

封装：LSOP-8

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

LSOP8封装单通道晶体管光耦，7500V隔离电压，200-400%电流传输比

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型号：TLP292-4(LA-TP,E 编号：C17488870

封装：SO-16-175mil

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：MOC3061SM 编号：C899831

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

数据手册

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型号：ACPL-331J(AT) 编号：C41415695

封装：SOP-16

ACPL-331J(AT)具有一个AlGaAs LED。LED与具有功率输出级的集成电路光学耦合。广泛应用于：隔离型 IGBT 或隔离型功率 MOSFET 的栅极驱动、交流和无刷式直流电机驱动器、工业逆变器、不间断电源（UPS）。

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型号：AT331J-CuH-S 编号：C41416966

封装：SOP-16

AT331J具有一个AlGaAs LED。LED与具有功率输出级的集成电路光学耦合。广泛应用于：隔离型 IGBT 或隔离型功率 MOSFET 的栅极驱动、交流和无刷式直流电机驱动器、工业逆变器和不间断电源（UPS）。

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型号：AQY212GSZ 编号：C129283

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：PANASONIC(松下)

特性：连续负载电流：最大 1.6A 高容量。低导通电阻：典型值 0.1 Ω。高容量类型的广泛阵容。应用：测量仪器测试仪等。安全和防灾系统用于警报和安全设备的 I/O 等

数据手册

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型号：TCMD4000 编号：C142642

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：VISHAY(威世)

TCMD1000、TCMD4000由一个光达林顿管与砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用4引脚或16引脚小型扁平封装。这些元件在输入和输出之间提供固定距离，以满足最高安全要求。

数据手册

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型号：AT316J-CuH-S 编号：C22372855

封装：SOP-16

AT316J是一款高度集成的功率控制器件，它将具有故障保护和反馈的完整、隔离的IGBT门极驱动电路所需的所有组件集成到一个SOP16封装中。TTL输入逻辑电平允许与微控制器直接接口，光隔离功率输出级可驱动150A/1200V的IGBTs。输出IC为IGBT提供局部保护，以防止过流期间产生损坏，第二个光链路为微控制器提供完全隔离的故障状态反馈信号。

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型号：ACPL-C784-500E 编号：C691939

封装：SO-8-6.8mm

隔离放大器专为电子电机驱动器中的电流感应而设计。在典型应用中，电机电流流经外部电阻，产生的模拟电压降由隔离放大器感应。在光隔离屏障的另一侧会产生差分输出电压，该电压与电机电流成正比，可通过运算放大器转换为单端信号。由于现代开关逆变器电机驱动器中常见几百伏的共模电压在几十纳秒内摆动，因此隔离放大器设计为可忽略至少10kV/μs的非常高的共模瞬态转换率

数据手册

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型号：HCPL-0370-500E 编号：C692007

封装：SO-8

是电压/电流阈值检测光耦合器，低电流版本使用高效AlGaAs LED，可在低驱动电流下提供更高的光输出。该器件采用阈值感应输入缓冲IC，允许通过单个外部电阻在很宽的输入电压范围内控制阈值水平。输入缓冲器具有多种功能：用于额外抗噪和抗开关干扰的迟滞功能、便于与交流输入信号配合使用的二极管电桥，以及用于保护缓冲器和LED免受各种过压和过流瞬变影响的内部钳位二极管。由于在驱动LED之前进行阈值感应，因此从LED到探测器的光耦合变化不会影响阈值水平。

数据手册

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型号：CNY66 编号：C962625

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发射二极管组成，采用4引脚塑料封装。单个组件彼此相对安装，输入和输出之间的距离大于3mm，满足最高安全要求。

数据手册

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型号：CCi8335SVB-1DX 编号：C47817656

封装：SOP-8WW

品牌：CrossChip(成都芯进)

CCi8335是一款兼容光耦的单通道隔离式栅极驱动器，具有6A峰值拉电流和8A峰值灌电流。33V的高电源电压范围可有效驱动IGBT、MOSFET和SiC，具有60ns传播延迟和25ns最大脉宽失真。输入侧通过一个8000VRMS增强型隔离层与输出驱动器隔离，两侧之间的共模瞬态抑制（CMTI）典型值为150V/ns。

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￥17.94
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￥13.29
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型号：AQV252G 编号：C719671

封装：DIP-6

品牌：PANASONIC(松下)

特性：宽范围负载电压：49V、69V、199V、299V、359V、499V、600V、1000V 和 1500V。低导通电阻：典型值 0.6Ω。具备 5000Vrms I/O 隔离的加强绝缘类型。应用：测量仪器。数据通信设备

数据手册

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型号：ACPL-K33T-560E 编号：C2927813

封装：SOP-8-6.8mm

包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。具有快速传播延迟和紧密的时序偏差，专为驱动AC-DC和DC-DC转换器中使用的SiC MOSFET和IGBT而设计。输出级的高工作电压范围为栅控设备提供所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合在高频下直接驱动SiC MOSFET和IGBT，以实现高效转换。提供增强绝缘和可靠性，可在汽车和高温工业应用中实现安全的信号隔离。

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型号：HCPL-2231-500E 编号：C692021

封装：SOP-8-2.54mm

是光耦合逻辑门。内置GaAsP LED或AlGaAs LED。探测器具有图腾柱输出级和带内置施密特触发器的光接收器输入级，可提供逻辑兼容波形，无需额外的波形整形。HCPL-2211/12、HCPL0211、HCPL-2232和HCNW2211上的高级内部屏蔽可保证在1000V共模电压下具有10kV/μs的共模瞬态抗扰度。

数据手册

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￥13.377 ￥13.65
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￥12.2304 ￥12.48

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型号：ASSR-4118-503E 编号：C6795958

封装：SO-4