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首页 > 热门关键词 > CTMICRO光耦
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110℃额定的VO618A具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器具有一个GaAs红外二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在一个塑料DIP-4封装中。 这些耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
数据手册
  • 5+

    ¥2.3173
  • 50+

    ¥1.8523
  • 150+

    ¥1.653
  • 1000+

    ¥1.266
  • 2000+

    ¥1.1552
  • 有货
    • 5+

      ¥2.3338
    • 50+

      ¥1.8493
    • 150+

      ¥1.6416
    • 400+

      ¥1.3826
    • 2400+

      ¥1.2672
  • 有货
  • HMHA281 和 HMHA2801 系列器件在紧凑型 4 引脚微型扁平封装内包括一个砷化镓红外发光二极管,驱动硅光电晶体管。引线间距为 1.27 mm。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.41
    • 10+

      ¥1.87
    • 30+

      ¥1.64
    • 100+

      ¥1.35
    • 500+

      ¥1.22
    • 1000+

      ¥1.14
  • 有货
  • TLP265J 由一个非零交叉光三端双向可控硅开关元件组成,并通过光耦合器连接到一个红外 LED。TLP265J 采用SO6 封装,保证爬电距离最小为 5.0 毫米,电气间隙最小为 5.0 毫米,绝缘厚度最小为 0.4 毫米。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.52
    • 10+

      ¥1.96
    • 30+

      ¥1.72
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      ¥1.43
    • 500+

      ¥1.3
    • 1000+

      ¥1.22
  • 有货
  • 是一款直流输入双通道、全间距光电晶体管光耦合器,包含两个发光二极管,它们与两个独立的晶体管进行光耦合。采用8引脚双列直插式封装。同样,是一款直流输入四通道、全间距光电晶体管光耦合器,包含四个发光二极管,它们与四个独立的晶体管进行光耦合。采用16引脚双列直插式封装。两款光耦合器都提供宽引脚间距选项和引脚弯曲的表面贴装器件(SMD)选项,输入-输出隔离电压为5000Vrms。响应时间tr通常为4μs,在输入电流为5mA时,最小电流传输比(CTR)为50%。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.56
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      ¥2.24
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      ¥2.08
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      ¥1.93
    • 500+

      ¥1.83
    • 1000+

      ¥1.79
  • 有货
  • ATM601内部有一个 850nm 的 AlGaAS LED, 其光学耦合到具有选通输出的超高速集成光电检测器。这些器件采用 5 引脚外形封装, 符合标准封装外形。 广泛应用于:开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等
    • 1+

      ¥2.565 ¥2.7
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      ¥2.0805 ¥2.19
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      ¥1.6245 ¥1.71
    • 500+

      ¥1.52 ¥1.6
    • 1000+

      ¥1.4535 ¥1.53
  • 有货
  • IGBT栅极驱动光耦,峰值电流1A,隔离电压(rms): 5KV,LSOP6,宽体
    • 1+

      ¥2.79 ¥3.1
    • 10+

      ¥2.196 ¥2.44
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      ¥1.935 ¥2.15
    • 100+

      ¥1.62 ¥1.8
    • 500+

      ¥1.476 ¥1.64
    • 1000+

      ¥1.386 ¥1.54
  • 有货
  • 由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用SO4封装,是非常小且薄的耦合器。保证了较宽的工作温度范围(-55至110℃)和高隔离电压(3750Vrms),适用于如小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.87
    • 10+

      ¥2.29
    • 30+

      ¥2.04
    • 100+

      ¥1.73
    • 500+

      ¥1.35
    • 1000+

      ¥1.27
  • 有货
    • 1+

      ¥3.05
    • 10+

      ¥2.39
    • 45+

      ¥2.11
    • 90+

      ¥1.76
    • 495+

      ¥1.6
    • 990+

      ¥1.5
  • 有货
  • TCLD1000由一个达林顿光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成,采用4引脚SO6L封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.07
    • 10+

      ¥2.44
    • 30+

      ¥2.17
    • 100+

      ¥1.84
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      ¥1.56
    • 1000+

      ¥1.47
  • 有货
  • TLP620, -2 和 -1 由一个光电晶体管与两个反向并联的砷化镓红外发光二极管光耦合组成。TLP620-2 在八引脚塑料 DIP 中提供两个隔离通道,而 TLP620-4 在十六引脚塑料 DIP 中提供四个隔离通道。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.12
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      ¥2.47
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      ¥1.41
  • 有货
  • 4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器,光耦合至一个硅平面达林顿放大器。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.2
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      ¥2.52
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      ¥2.11
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      ¥1.75
    • 500+

      ¥1.59
    • 1000+

      ¥1.49
  • 有货
  • MOC301XM 和 MOC302XM 系列为光隔离三端双向可控硅元件驱动器器件。此类器件包含 GaAs 红外发光二极管和光激活硅双向开关,其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适用于电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口,可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.2
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      ¥2.55
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      ¥1.68
  • 有货
  • AT212光电继电器由光MOSFET、光电电压发生器和红外LED组成。实现了低导通电阻,具有良好的性价比。采用4引脚封装(DIP、SMD、DIP-M、SLM)。 广泛应用于:通讯产品、 调制解调器/传感器备、移动电话/安全设备、自动化设备、测量仪器、高速检测机。
    • 1+

      ¥3.3155 ¥3.49
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      ¥2.489 ¥2.62
    • 1000+

      ¥2.4415 ¥2.57
  • 有货
  • ACPL-P314(AT)是一种输出电流为0.6A的栅极驱动光电耦合器,具有一个镓砷磷化合物( GaAsP ) 的发光二极管,通过红外光耦合到光敏集成电路。 广泛应用于:开关电源、IGBT/MOSFET 栅极驱动器、交流和无刷直流电机驱动器、可再生能源逆变器、工业逆变器。
    • 1+

      ¥3.3345 ¥3.51
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      ¥2.66 ¥2.8
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      ¥2.014 ¥2.12
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      ¥1.862 ¥1.96
    • 1000+

      ¥1.7575 ¥1.85
  • 有货
  • 这些器件由砷化镓红外线发光二极管组成,二极管以光学方式耦合到单片硅光电晶体管检测器上,采用可表面帖装的小型塑料封装。 它们非常适合高密度应用,并且无需通过电路板安装。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.44
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      ¥2.8
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      ¥1.65
  • 有货
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      ¥3.45
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  • 有货
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      ¥2.02
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  • 有货
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    • 100+

      ¥2.23
    • 500+

      ¥2.01
  • 有货
  • 器件是具有二极管仿真器输入和数字输出的单通道光耦仿真器,是许多传统光耦合器的引脚兼容、可直接替换器件,无需重新设计PCB即可增强业界通用封装。这些器件可实现高达25Mbps的传输数据速率,并可通过两个逻辑输出选项输出3.3V和5V信号:CMOS兼容输出和集电极开路输出。 与光耦合器相比,光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势,包括高共模瞬态抗扰度(CMTI)、低传播延迟、小脉宽失真(PWD)、低功耗、更宽的温度范围以及严格的过程控制,从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应,因此仿真二极管输入级的功耗比光耦合器低
    数据手册
    • 1+

      ¥3.85
    • 10+

      ¥3.3
    • 30+

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  • 有货
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      ¥3.85
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      ¥2.72
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  • 有货
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      ¥2.13
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      ¥2.02
  • 有货
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      ¥4.27
    • 10+

      ¥3.45
    • 30+

      ¥3.04
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      ¥2.64
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      ¥2.39
    • 1000+

      ¥2.27
  • 有货
  • 由光 MOSFET、光电电压发生器和红外 LED 组成。实现了低导通电阻,具有良好的性价比。
    • 1+

      ¥4.293 ¥4.77
    • 10+

      ¥3.474 ¥3.86
    • 30+

      ¥3.069 ¥3.41
    • 100+

      ¥2.664 ¥2.96
    • 500+

      ¥2.421 ¥2.69
    • 1000+

      ¥2.295 ¥2.55
  • 有货
  • MOC3051M 和 MOC3052M 包含一个 GaAs 红外发光二极管,该二极管光学耦合至非过零硅双向交流开关(三端双向可控硅开关)。 这些器件将来自 115 V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.3
    • 10+

      ¥3.53
    • 50+

      ¥3.03
    • 100+

      ¥2.65
    • 500+

      ¥2.42
    • 1000+

      ¥2.31
  • 有货
  • Phototriac Coupler 包含一个红外发射二极管 (IRED),光耦合到一个输出光电双向可控硅。这些器件具有全波控制功能,是中高电流双向可控硅的理想隔离驱动器。SOP 封装提供 3.75kV 的输入到输出隔离,具有出色的换向抗噪性。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.36
    • 10+

      ¥3.54
    • 30+

      ¥3.13
    • 100+

      ¥2.72
    • 500+

      ¥2.36
    • 1000+

      ¥2.23
  • 有货
  • H11AAXM 系列由两个反相并联连接的砷化镓红外发光二极管组成,以驱动单个硅光电晶体管输出。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.59
    • 10+

      ¥3.73
    • 50+

      ¥3.31
    • 100+

      ¥2.88
    • 500+

      ¥2.63
    • 1000+

      ¥2.5
  • 有货
  • LTV - T350光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率IGBT和MOSFET,以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。2.5A的峰值输出电流能够直接驱动额定值高达1200 V/100 A的大多数IGBT
    数据手册
    • 1+

      ¥4.73
    • 10+

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    • 30+

      ¥3.45
    • 100+

      ¥3.02
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      ¥2.41
    • 1000+

      ¥2.27
  • 有货
  • MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成,执行零电压交叉双侧三端双向可控硅驱动器的功能。此类器件可与分离功率三端双向可控硅开关元件一起用于逻辑系统与 240 VAC 线路供电的设备的接口,此类设备包括固态继电器、工业控件、电机、电磁阀和消费品设备等。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.81
    • 10+

      ¥3.84
    • 30+

      ¥3.35
    • 100+

      ¥2.87
    • 500+

      ¥2.58
    • 1000+

      ¥2.43
  • 有货
  • PS2805-1 和 PS2805-4 是光耦合隔离器,在用于高密度应用的塑料 SSOP 封装中集成了砷化镓(GaAs)发光二极管和 NPN 硅光电晶体管。该封装具有屏蔽作用,可阻隔环境光。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.85
    • 10+

      ¥3.91
    • 30+

      ¥3.44
    • 100+

      ¥2.97
    • 500+

      ¥2.45
    • 1000+

      ¥2.31
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