CTMICRO光耦_厂家_价格_品牌_库存

封装：SO-6

由高输出GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。采用最大厚度为2.3mm的薄型SO6L封装。保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。可在4.5V至30V的电源电压下工作，最高工作温度为110℃。保证低电源电流3mA和低阈值输入电流1.6mA，有助于设备节能。可由微计算机直接驱动，探测器具有图腾柱输出级，具有电流源和吸收能力。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±30kV/μs，有缓冲输出。

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￥4.03
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型号：TLP2361(V4-TPL,E 编号：C123773

封装：SOIC-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHL)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，TLP2361具有内部法拉第屏蔽，可提供保证的±20kV/μs共模瞬态抗扰度。

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型号：TAQY212S 编号：C49254537

封装：SOP-4

品牌：拓朴微

由光 MOSFET、光电电压发生器和红外 LED 组成。实现了低导通电阻，具有良好的性价比。

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型号：TLP560G(F) 编号：C2848505

封装：DIP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个光控三端双向可控硅和一个红外发光二极管组成，采用六引脚塑料双列直插式封装。

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型号：GAQY212E 编号：C19271985

封装：DIP-4

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

触点形式:1 Form A(SPST-NO)

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型号：H11L1SM 编号：C899473

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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型号：TLP2348(TPL,E 编号：C2974572

封装：SOP-5-3.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外 LED 与高增益、高速光电探测器耦合组成，采用 SO6 封装。可在 4.5V 至 30V 电源电压下工作，最高工作温度为 110℃。具有 3mA 低电源电流 (I₍CCl₎) 和 1.6mA 低阈值输入电流 (I₍FHL₎)，有助于设备节能，可由微计算机直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证 ±30kV/μs 的共模瞬态抗扰度，具有反相器输出。

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型号：TLP387(D4-TPR,E 编号：C5370575

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP387是一款光电耦合器，由一个红外LED与一个达林顿晶体管光耦合而成。它采用SO6L（4引脚）封装，具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间具有高击穿电压，TLP387适用于可编程控制器的100VDC输出模块等应用

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型号：AT224-CuH-S 编号：C42371487

封装：SMD-8P

品牌：AOTE(奥特)

AT224 光继电器由红外发光二极管和光电发生器、MOSFET组成。广泛应用于：通讯产品(个人电脑,笔记本电脑)、调制解调器/传感、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。

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型号：OPY252S 编号：C52097784

封装：SOP-4

品牌：ARK(方舟微)

SSR RELAY SPST-NO 2500MA 60V

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型号：QX172-CuH-SF 编号：C52164475

封装：SOP-4

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

SOP4封装光继电器 3750V隔离电压，负载电压：60V，负载电流：0.5A ,开启时间：0.5ms 关断时间：0.3ms

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型号：TLP352(TP1,F) 编号：C99497

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP352 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器，由一个 GaAℓAs 红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125 °C 的温度下保证性能和规格。TLP352 内部有一个法拉第屏蔽层，可保证 ±20 kV/μs 的共模瞬态抗扰度

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型号：TLP351H(TP1,F) 编号：C695254

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP351H 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器，由一个 GaAℓAs 红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125°C 的温度下保证性能和规格。TLP351H 内置法拉第屏蔽层，可保证 ±20 kV/μs 的共模瞬态抗扰度

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型号：TLP701(TP,F) 编号：C5006

封装：SOIC-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

贴片6脚封装

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型号：APY237S 编号：C42444479

封装：SOP-4

品牌：APSEMI(先进光)

APSEMI光电继电器是最可靠、技术最先进的逻辑到功率接口器件。其基本功能是接收来自微处理器的小电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑电路和功率电路之间提供隔离屏障。虽然这一功能是所有继电器共有的，但光电继电器相对于机械继电器具有显著优势，包括： - 长寿命（机械和电气寿命无限制） - 无弹跳开关 - 更高的速度和高频开关能力 - 更高的灵敏度（更低的功耗） - 抗电磁干扰（EMI）或射频干扰（RFI） - 无电弧、弹跳和噪声 - 更耐振动和冲击 - 可进行交流或直流负载开关切换 - 封装尺寸小

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型号：HT8-214 编号：C34376248

封装：DIP-8

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

光继电器，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、交换设备、测量设备、工业控制、安全等领域。输入电压类型：DC,输出类型：MOS，电流：120mA，耐压：400V,RON:15欧姆，隔离电压：5KV.

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型号：GAQW216E 编号：C7435152

封装：DIP-8

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、无弹跳和无噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：AT2122-CuH-S 编号：C42371485

封装：SMD-4P

品牌：AOTE(奥特)

AT2122光电继电器由红外发光二极管和光电发生器、MOSFET耦合组成。AT2122采用4引脚封装（DIP、 SMD、 DIP-M）。广泛应用于：通讯产品(个人电脑,笔记本电脑)、调制解调器/传感、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。

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型号：AT226-CuH-S 编号：C22390119

封装：SMD-8P

品牌：AOTE(奥特)

AT226 光继电器由红外发光二极管和光电发生器、 MOSFET 组成。广泛应用于：通讯产品、调制解调器/传感、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。

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型号：GAQV214EH 编号：C7435167

封装：SMD-6P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：HCPL-M600-500E 编号：C54062

封装：SOP-5-175mil

品牌：Broadcom(博通)

这些小尺寸、高共模抑制比（CMR）、高速逻辑门光耦合器是单通道设备，采用五引脚微型封装。它们在电气上等同于以下安华高（Avago）光耦合器（除了没有输出使能功能）。 SO-5 JEDEC注册（MO-155）封装外形不需要在PCB上打“通孔”。

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￥5.45
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型号：TLP292-4(LGBTR,E 编号：C17384709

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：QCPL-074H-500E 编号：C692108

封装：SOP-8

品牌：Broadcom(博通)

QCPL - 071H（单通道）和QCPL - 074H（双通道）是采用SOIC - 8封装的15 MBd CMOS光耦合器。这些光耦合器采用最新的CMOS IC技术，以极低的功耗实现了卓越的性能。QCPL - 071H和QCPL - 074H的基本组成部分是高速LED和CMOS探测器IC

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型号：APV1121SX 编号：C719600

封装：SOP-4

品牌：PANASONIC(松下)

特性：高速开关。高绝缘性：DIP 类型：5000 Vrms，SOP 类型：2500 Vrms，SSOP 类型：1500 Vrms。产品种类丰富：产品包括 SSOP、SOP4 引脚和 DIP6 引脚。应用：电子电路的电源（Vcc）。驱动 MOSFET

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型号：FOD8480R2 编号：C899356

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8480 和 FOD8482 是低功率光耦合器，支持智能功率模块 (IPM) 的隔离接口，从控制器向 IPM 传输数字控制信号，无需导通接地回路或危险电压。FOD848x 系列采用拉伸体、6 引脚小型塑料封装，包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管和一个集成式高增益集成高增益光电探测器。检测器具有带磁滞的检测器阈值。磁滞提供了差分模式噪声抗干扰性，消除了输出信号颤振的可能性。它的非反相输出设计作为图腾柱，不需要任何上拉电阻。FOD8482 有一个低阈值输入电流 IFLH，最大为 3.0 mA。对于 FOD848x 全系列，在 -40°C 至 100°C 的扩展工业温度范围和 4.5 V 至 30 V 的 VDD 范围内可保证其电气和开关特性。低 IF 和宽 VDD 范围，可与 TTL、LSTTL 和 CMOS 逻辑电平兼容，与其他高速光耦合器相比，功耗更低。

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型号：GAQW215G1S 编号：C50087665

封装：SOP-8

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

2Form A(SPST-NO)负载电压:100V 连续负载电流:1.1A

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型号：LTV-333J-TA1-B 编号：C46596099

封装：SOP-16

品牌：LITEON(光宝)

是一款先进的5.0A输出电流、易于使用的智能栅极驱动器，可使IGBT VCE故障保护紧凑、经济且易于实现。集成VCE检测、欠压锁定（UVLO）、“软”IGBT关断、隔离开路集电极故障反馈和有源米勒钳位等功能，提供最大的设计灵活性和电路保护。包含一个AlGaAs LED，该LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET