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首页 > 热门关键词 > CTMICRO光耦
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IGBT栅极驱动光耦,峰值电流1A,隔离电压(rms): 5KV,LSOP6,宽体
  • 1+

    ¥2.862 ¥3.18
  • 10+

    ¥2.268 ¥2.52
  • 30+

    ¥2.007 ¥2.23
  • 100+

    ¥1.683 ¥1.87
  • 500+

    ¥1.548 ¥1.72
  • 1000+

    ¥1.458 ¥1.62
  • 有货
  • 1 Form A(SPST-NO)负载电压:400V 连续负载电流:0.13A
    • 1+

      ¥2.92
    • 10+

      ¥2.3
    • 30+

      ¥2.04
    • 100+

      ¥1.71
    • 500+

      ¥1.47
    • 1000+

      ¥1.39
  • 有货
  • 该通用型光耦合器在标准的塑料六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管,驱动硅光电晶体管。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.02
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      ¥2.42
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      ¥2.17
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      ¥1.84
    • 500+

      ¥1.7
    • 1000+

      ¥1.62
  • 有货
  • 1 Form A(SPST-NO)负载电压:400V 连续负载电流:0.13A
    • 1+

      ¥3.14
    • 10+

      ¥2.47
    • 30+

      ¥2.18
    • 100+

      ¥1.82
    • 500+

      ¥1.56
    • 1000+

      ¥1.47
  • 有货
  • LTV - M501系列由一个高效的铝镓砷(AlGaAs)发光二极管和一个高速光检测器组成。这种独特的设计为光耦合器的输入和输出端提供了出色的交流和直流隔离。为光电二极管加偏置的连接方式通过减小基极 - 集电极电容,提高了其相对于传统光电晶体管耦合器的速度
    数据手册
    • 1+

      ¥3.22
    • 10+

      ¥2.56
    • 30+

      ¥2.28
    • 100+

      ¥1.92
    • 500+

      ¥1.75
    • 1000+

      ¥1.66
  • 有货
  • 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠,间距为 2.54mm。选项 6 和选项 8 可实现 >8.0mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950(DIN VDE 0805)标准,适用于高达 400VRMS 或直流的工作电压的加强绝缘。规格可能会有所变化。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.28
    • 10+

      ¥2.57
    • 30+

      ¥2.27
    • 100+

      ¥1.89
    • 500+

      ¥1.73
    • 1000+

      ¥1.63
  • 有货
  • AT212光电继电器由光MOSFET、光电电压发生器和红外LED组成。实现了低导通电阻,具有良好的性价比。采用4引脚封装(DIP、SMD、DIP-M、SLM)。 广泛应用于:通讯产品、 调制解调器/传感器备、移动电话/安全设备、自动化设备、测量仪器、高速检测机。
    • 1+

      ¥3.3155 ¥3.49
    • 10+

      ¥2.9545 ¥3.11
    • 30+

      ¥2.774 ¥2.92
    • 100+

      ¥2.603 ¥2.74
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      ¥2.489 ¥2.62
    • 1000+

      ¥2.4415 ¥2.57
  • 有货
  • TLP187是一款光电耦合器,由一个红外LED与一个达林顿晶体管光耦合而成。它采用SO6封装,具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间具有高击穿电压,TLP187适用于可编程控制器的100 VDC输出模块等应用
    数据手册
    • 1+

      ¥3.35
    • 10+

      ¥2.67
    • 30+

      ¥2.38
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      ¥2.02
    • 500+

      ¥1.58
    • 1000+

      ¥1.49
  • 有货
  • H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器,针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化,利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.53
    • 10+

      ¥2.78
    • 30+

      ¥2.46
    • 100+

      ¥2.07
    • 500+

      ¥1.77
    • 1000+

      ¥1.66
  • 有货
  • 光继电器的基本功能是从微处理器获取低电流信号,以控制交流和直流负载的开关,同时在逻辑和电源之间提供隔离屏障。光继电器通过移动光子来实现其开关功能,不会产生机械磨损,提供一致可靠的开关。
    • 1+

      ¥3.54
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      ¥2.79
    • 30+

      ¥2.47
    • 100+

      ¥2.07
    • 500+

      ¥1.81
    • 1000+

      ¥1.71
  • 有货
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      ¥3.71
    • 10+

      ¥2.95
    • 30+

      ¥2.57
    • 100+

      ¥2.2
    • 500+

      ¥1.98
    • 1000+

      ¥1.86
  • 有货
  • CYTLP2362由一个高功率GaAlAs发光二极管和高增益、高速光电IC组成。CYTLP2362保证了在高达125°C和2.7V至5.5V供电条件下的运行,它的封装形式为SO6。CYTLP2362内置法拉第屏蔽保证共模抑制比达到±20KV/us。
    • 1+

      ¥3.73
    • 10+

      ¥3
    • 30+

      ¥2.63
    • 100+

      ¥2.27
    • 500+

      ¥2.05
    • 1000+

      ¥1.93
  • 有货
  • 由高输出GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。采用最大厚度为2.3mm的薄型SO6L封装。保证隔离电压为5kVrms,符合加强绝缘的国际安全标准。可在4.5V至30V的电源电压下工作,最高工作温度为110℃。保证低电源电流3mA和低阈值输入电流1.6mA,有助于设备节能。可由微计算机直接驱动,探测器具有图腾柱输出级,具有电流源和吸收能力。具有内部法拉第屏蔽,保证共模瞬态抗扰度为±30kV/μs,有缓冲输出。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.1
    • 10+

      ¥3.28
    • 30+

      ¥2.87
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      ¥2.46
    • 500+

      ¥2.22
    • 1500+

      ¥2.09
  • 有货
  • ILD205T、ILD206T、ILD207T、ILD211T 和 ILD213T 是由砷化镓红外发光二极管和硅 NPN 光电晶体管组成的光耦合对。该器件能够传输包含直流电平的信号信息,同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。ILD205T、ILD206T、ILD207T、ILD211T 和 ILD213T 采用标准的 SOIC - 8 小外形表面贴装封装,非常适合空间有限的高密度应用
    • 1+

      ¥4.39
    • 10+

      ¥3.88
    • 30+

      ¥3.63
    • 100+

      ¥3.2352 ¥3.37
    • 500+

      ¥3.0912 ¥3.22
    • 1000+

      ¥3.0144 ¥3.14
  • 有货
  • 二极管导通电流:2mA 漏电流:1uA;主要应用:通信设备、测试与测量设备、安全设备、IO模块、工厂自动化设备、安全设备、储能设备、工业机器人等
    数据手册
    • 1+

      ¥4.6645 ¥4.91
    • 10+

      ¥3.705 ¥3.9
    • 30+

      ¥3.23 ¥3.4
    • 100+

      ¥2.755 ¥2.9
    • 500+

      ¥2.736 ¥2.88
    • 1000+

      ¥2.5935 ¥2.73
  • 有货
  • SOP4封装光继电器 3750V隔离电压,负载电压:60V,负载电流:0.5A
    • 1+

      ¥4.87
    • 10+

      ¥3.92
    • 30+

      ¥3.44
    • 100+

      ¥2.97
    • 500+

      ¥2.73
    • 1000+

      ¥2.59
  • 有货
  • TLP387是一款光电耦合器,由一个红外LED与一个达林顿晶体管光耦合而成。它采用SO6L(4引脚)封装,具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间具有高击穿电压,TLP387适用于可编程控制器的100VDC输出模块等应用
    数据手册
    • 1+

      ¥5.03
    • 10+

      ¥4.01
    • 30+

      ¥3.5
    • 100+

      ¥3
    • 500+

      ¥2.7
    • 1000+

      ¥2.54
  • 有货
  • 二极管导通电流:3mA 漏电流:1uA;主要应用:通信设备、测试与测量设备、安全设备、IO模块、工厂自动化设备、安全设备、储能设备、工业机器人等
    数据手册
    • 1+

      ¥5.111 ¥5.38
    • 10+

      ¥4.579 ¥4.82
    • 30+

      ¥4.2845 ¥4.51
    • 100+

      ¥3.9615 ¥4.17
    • 500+

      ¥3.8095 ¥4.01
    • 1000+

      ¥3.743 ¥3.94
  • 有货
  • 是一个采用DIP8封装的光电耦合器,由一个红外发光二极管 (LED) 与一个高速光电探测器IC芯片光耦合而成。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。
    • 1+

      ¥5.35
    • 10+

      ¥4.31
    • 30+

      ¥3.78
    • 100+

      ¥3.27
    • 500+

      ¥2.96
    • 1000+

      ¥2.8
  • 有货
  • ILD205T、ILD206T、ILD207T、ILD211T 和 ILD213T 是光耦合对,由砷化镓红外发光二极管和硅 NPN 光电晶体管组成。该器件能够传输包括直流电平在内的信号信息,同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。 ILD205T、ILD206T、ILD207T、ILD211T 和 ILD213T 采用标准的 SOIC - 8 小外形表面贴装封装,非常适合空间有限的高密度应用
    数据手册
    • 1+

      ¥5.58
    • 10+

      ¥4.49
    • 30+

      ¥3.95
    • 100+

      ¥3.41
    • 500+

      ¥3.09
    • 1000+

      ¥2.92
  • 有货
  • 是可靠、技术先进的逻辑到功率接口设备。其基本功能是从微处理器获取低电流信号,以控制交流和直流负载的开关,同时在逻辑和功率之间提供隔离屏障。通过移动光子来实现开关功能,不会产生机械磨损,提供一致可靠的开关性能。
    • 1+

      ¥5.7
    • 10+

      ¥4.58
    • 30+

      ¥4.02
    • 100+

      ¥3.46
    • 500+

      ¥3.13
    • 1000+

      ¥2.95
  • 有货
  • ACPL - M60L是一款光耦合门电路,它将砷化镓磷(GaAsP)发光二极管与集成高增益光电探测器相结合。探测器IC的输出为集电极开路的肖特基钳位晶体管。内部屏蔽层确保在3.3V工作电压下,共模瞬态抗扰度指标达到15 kV/μs
    数据手册
    • 1+

      ¥5.9
    • 10+

      ¥4.78
    • 30+

      ¥4.21
    • 100+

      ¥3.66
    • 500+

      ¥2.93
    • 1500+

      ¥2.76
  • 有货
  • AT224 光继电器由红外发光二极管和光电发生器、MOSFET组成。广泛应用于:通讯产品(个人电脑,笔记本电脑)、调制解调器/传感、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。
    • 1+

      ¥6.308 ¥6.64
    • 10+

      ¥5.244 ¥5.52
    • 30+

      ¥4.6645 ¥4.91
    • 100+

      ¥4.009 ¥4.22
    • 500+

      ¥3.7145 ¥3.91
    • 1000+

      ¥3.5815 ¥3.77
  • 有货
  • 特性:长寿命(机械和电气寿命无限制)。 无弹跳开关。 更高的速度和高频开关。 更高的灵敏度(更低的功耗)。 抗电磁干扰或射频干扰。 无电弧、无弹跳和无噪音。应用:电信/数据通信交换。 多路复用器
    • 1+

      ¥6.4
    • 10+

      ¥5.15
    • 50+

      ¥4.26
    • 100+

      ¥3.64
    • 500+

      ¥3.27
    • 1000+

      ¥3.08
  • 有货
  • 该系列器件由一个 GaAsP 发光二极管与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率 IGBT。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.41
    • 10+

      ¥5.25
    • 30+

      ¥4.62
    • 100+

      ¥3.822 ¥3.9
    • 500+

      ¥3.5084 ¥3.58
    • 1500+

      ¥3.3712 ¥3.44
  • 有货
    • 1+

      ¥6.46
    • 10+

      ¥5.23
    • 30+

      ¥4.61
    • 100+

      ¥3.92 ¥4
    • 500+

      ¥3.3516 ¥3.42
    • 1000+

      ¥3.1752 ¥3.24
  • 有货
  • HCPL - 4504和HCPL - 0454包含一个GaAsP LED,而HCPL - J454和HCNW4504包含一个AlGaAs LED。该LED与一个集成的高增益光电探测器进行光耦合。HCPL - 4504系列具有短传播延迟和高电流传输比(CTR)
    数据手册
    • 1+

      ¥6.55
    • 10+

      ¥5.32
    • 50+

      ¥4.37
    • 100+

      ¥3.572 ¥3.76
    • 500+

      ¥3.23 ¥3.4
    • 1000+

      ¥3.0495 ¥3.21
  • 有货
  • APSEMI光电继电器是最可靠、技术最先进的逻辑到功率接口器件。其基本功能是接收来自微处理器的小电流信号,以控制交流和直流负载的开关,同时在逻辑电路和功率电路之间提供隔离屏障。虽然这一功能是所有继电器共有的,但光电继电器相对于机械继电器具有显著优势,包括: - 长寿命(机械和电气寿命无限制) - 无弹跳开关 - 更高的速度和高频开关能力 - 更高的灵敏度(更低的功耗) - 抗电磁干扰(EMI)或射频干扰(RFI) - 无电弧、弹跳和噪声 - 更耐振动和冲击 - 可进行交流或直流负载开关切换 - 封装尺寸小
    • 1+

      ¥6.58
    • 10+

      ¥5.45
    • 30+

      ¥4.83
    • 100+

      ¥4.13
    • 500+

      ¥3.82
    • 1000+

      ¥3.68
  • 有货
  • 光继电器,可满足各式各样的工业控制板需求,包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、 太阳能、交换设备、测量设备、工业控制、安全等领域。输入电压类型:DC,输出类型:MOS,电流:120mA,耐压:400V,RON:15欧姆,隔离电压:5KV.
    • 1+

      ¥6.6
    • 10+

      ¥5.31
    • 30+

      ¥4.66
    • 100+

      ¥4.02
    • 500+

      ¥3.64
    • 1000+

      ¥3.44
  • 有货
  • 是一款DIP8封装的光电耦合器,由GaAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达100℃的温度下提供有保证的性能和规格。具有内部法拉第屏蔽,可保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出,可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.11
    • 10+

      ¥5.9
    • 50+

      ¥4.35
    • 100+

      ¥3.59
    • 500+

      ¥3.26
    • 1000+

      ¥3.1
  • 有货
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