CTMICRO光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：HT-1019-TP1 编号：C34376211

封装：LSOP-4

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

晶体管光耦，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能等应用输入电压类型：DC, 正向压降Max:1.35V,输出类型：直流晶体管，输出电流：50mA，隔离电压：5KV.

5+
￥0.24012 ￥0.2668
50+
￥0.21132 ￥0.2348
150+
￥0.19701 ￥0.2189
500+
￥0.18621 ￥0.2069
3000+
￥0.17325 ￥0.1925
6000+
￥0.16893 ￥0.1877

有货

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型号：PC817BAS 编号：C52091990

封装：SMD-4P

品牌：GMIC(绿微)

20+
￥0.2263
200+
￥0.1793
600+
￥0.1533
2000+
￥0.1376
10000+
￥0.1241
20000+
￥0.1167

有货

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型号：HT-357-BTP1 编号：C34376198

封装：SOP-4-175mil-2.54mm

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

晶体管光耦，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能等应用输入电压类型：DC, 正向压降Max:1.35V,输出类型：直流晶体管，输出电流：50mA，隔离电压：3.75KV.

5+
￥0.29493 ￥0.3277
50+
￥0.2331 ￥0.259
150+
￥0.20223 ￥0.2247
500+
￥0.1791 ￥0.199
2500+
￥0.16056 ￥0.1784
5000+
￥0.15129 ￥0.1681

有货

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型号：EL817M(C)-F 编号：C473830

封装：DIP-4

品牌：EVERLIGHT(亿光)

数据手册

10+
￥0.2991
100+
￥0.237
300+
￥0.2001
1000+
￥0.1768
5000+
￥0.1582
10000+
￥0.1489

有货

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型号：OR-3H7C-TP-G 编号：C394246

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：Orient(奥伦德)

消费级该ORPC-3H7系列器件包含一个红外发光二极管，光电晶体管探测器。它们封装在一个4引脚SOP里面，不含卤素和Sb₂O₃。

数据手册

10+
￥0.3712
100+
￥0.2944
300+
￥0.256
3000+
￥0.24
6000+
￥0.2169
9000+
￥0.2054

有货

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型号：TLP185GB-S 编号：C20612583

封装：SMD-4P

品牌：AOTE(奥特)

TLP185GB-S是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装，三种形式 ( DIP、DIP-M、SMD) 。广泛应用于：开关电源，智能电表、可编程控制器、家用电器等。

10+
￥0.418 ￥0.44
100+
￥0.33136 ￥0.3488
300+
￥0.28804 ￥0.3032
3000+
￥0.246525 ￥0.2595
6000+
￥0.22059 ￥0.2322
9000+
￥0.207575 ￥0.2185

有货

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型号：LTV-1008-TP1-G 编号：C284918

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：LITEON(光宝)

特性：电流传输比（CTR：在 Ic = 5nA，VCE = 5V，Ta = 29°C 时为 90%）。高输入-输出隔离电压（Viso = 5,000Vrms）。高集电极-发射极电压（VCEO = 70V）。应用：需要高密度安装的混合基板

数据手册

5+
￥0.4464
50+
￥0.3663
150+
￥0.3263
500+
￥0.2963
3000+
￥0.2723
6000+
￥0.2603

有货

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型号：EL1019 编号：C695835

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：UMW(友台半导体)

UMW101X 系列将 AlGaAs 红外发射二极管作为发射器，与采用塑料 LSOP4 封装的硅平面光电晶体管探测器进行光耦合。凭借坚固的共面双塑封结构，UMW101X 系列具备最稳定的隔离特性。

数据手册

10+
￥0.4515
100+
￥0.3538
300+
￥0.305
3000+
￥0.234
6000+
￥0.2047
9000+
￥0.19

有货

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型号：LTV-217-A-G 编号：C123195

封装：SOP-4-175mil

品牌：LITEON(光宝)

特性：电流传输比（CTR）：最小值为50%，条件为IF = 5mA，VCE = 5V。高输入输出隔离电压（Viso = 3,750Vrms）。采用双传输模塑技术。安全认证：UL1577、VDE DIN EN60747-5-5（VDE 0884-5）、CSA CA5A、FIMKO。RoHS合规：器件中使用的所有材料均符合欧盟RoHS指令（No.2002/95/EC）。ESD通过HBM 8000V/MM2000V。应用：要求高密度安装的混合基板。可编程控制器

数据手册

5+
￥0.6203
50+
￥0.504
150+
￥0.4458
500+
￥0.4022
3000+
￥0.3552
6000+
￥0.3377

有货

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型号：TLP521GB-S 编号：C20612587

封装：SMD-4P

品牌：AOTE(奥特)

TLP521GB-S是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装，三种形式 ( DIP、DIP-M、SMD) 。广泛应用于：开关电源，智能电表、可编程控制器、家用电器等。

5+
￥0.68381 ￥0.7198
50+
￥0.54701 ￥0.5758
150+
￥0.47861 ￥0.5038
500+
￥0.42731 ￥0.4498
2000+
￥0.37202 ￥0.3916
4000+
￥0.351405 ￥0.3699

有货

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型号：EL3021S1(TA) 编号：C2831571

封装：SMD-6P

品牌：EVERLIGHT(亿光)

数据手册

5+
￥0.8566
50+
￥0.751
150+
￥0.7057
1000+
￥0.6492
2000+
￥0.6241
5000+
￥0.609

有货

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型号：4N35 编号：C57084

封装：DIP-6

品牌：EVERLIGHT(亿光)

Single Channel 80 V 5000 Vrms Phototransistor Optocoupler Through Hole - DIP-6

数据手册

5+
￥1.086
50+
￥0.8567
130+
￥0.7584
520+
￥0.6358
3250+
￥0.5812
4875+
￥0.5484

有货

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型号：TLP183(GB-TPL,E 编号：C2835183

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP183是一款低输入型光电晶体管耦合器，采用SO6封装，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP183保证了高隔离电压（3750 Vrms）和宽工作温度范围（Ta = -55至125 °C）。与DIP封装相比，TLP183体积更小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

数据手册

5+
￥1.2705
50+
￥0.9913
150+
￥0.8717
500+
￥0.7224
3000+
￥0.656
6000+
￥0.6161

有货

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型号：MOC3041M(UMW) 编号：C6169228

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

UMW MOC304X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

5+
￥1.3305
50+
￥1.0392
130+
￥0.9143
520+
￥0.7585
2470+
￥0.6891
5005+
￥0.6475

有货

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型号：EL3041 编号：C70995

封装：DIP-6

品牌：EVERLIGHT(亿光)

数据手册

5+
￥1.4254
50+
￥1.1432
130+
￥0.9319
520+
￥0.781
3250+
￥0.7138
4875+
￥0.6734

有货

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型号：EL452(TA)-G 编号：C329178

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：EVERLIGHT(亿光)

数据手册

5+
￥1.6475
50+
￥1.2944
150+
￥1.143
500+
￥0.9542
3500+
￥0.8563
7000+
￥0.8058

有货

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型号：FOD817A3SD 编号：C128788

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

数据手册

5+
￥1.6579
50+
￥1.3158
150+
￥1.1692
1000+
￥0.8358
2000+
￥0.7544
5000+
￥0.7055

有货

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型号：LTV-3063 编号：C571216

封装：SOP-4-175mil

品牌：LITEON(光宝)

特性：输入与输出之间的隔离电压 Viso：3750Vrms。 4 引脚 MFP 过零光耦三端双向可控硅驱动器输出。高重复峰值断态电压 VDRM：最小值 600V。应用：电机控制

数据手册

5+
￥2.034
50+
￥1.6196
150+
￥1.4421
500+
￥1.2205
3000+
￥1.0808
6000+
￥1.0216

有货

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型号：ELM3023(TA) 编号：C7272557

封装：SOP-4

品牌：EVERLIGHT(亿光)

5+
￥2.0783
50+
￥1.6499
150+
￥1.4663
500+
￥1.2372
3500+
￥1.1352
7000+
￥1.074

有货

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型号：TCLT1009 编号：C73498

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合而成，采用4引脚SOP4L封装。

数据手册

5+
￥2.3038
50+
￥1.8113
150+
￥1.6002
500+
￥1.3368
3000+
￥1.2196
6000+
￥1.1492

有货

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型号：TLP265J(TPL,E 编号：C5798515

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个非过零光控双向可控硅和一个红外发光二极管光耦合组成。采用SO6封装，保证了最小5.0mm的爬电距离、最小5.0mm的电气间隙和最小0.4mm的绝缘厚度。因此，该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

1+
￥2.49
10+
￥1.94
30+
￥1.7
100+
￥1.4
500+
￥1.27
1000+
￥1.19

有货

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型号：EL0601(TA) 编号：C2992671

封装：ESOP-8

品牌：EVERLIGHT(亿光)

数据手册

1+
￥2.93
10+
￥2.58
30+
￥2.4
100+
￥2.23
500+
￥2.13
1000+
￥2.07

有货

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型号：OR-406AS-TP 编号：C3031116

封装：SMD-4P

品牌：Orient(奥伦德)

OR - 406A、OR - 425A、OR - 440A 和 OR - 460A 是固态继电器，其发光侧（输入侧）包含铝镓砷（AlGaAs）红外发光二极管，并通过光耦合连接至高压输出检测电路。该检测电路由输出侧的光伏二极管阵列和 MOSFET 组成。单通道配置等同于 1 型 AEMR

1+
￥2.96
10+
￥2.3
30+
￥2.02
100+
￥1.67
500+
￥1.62
1000+
￥1.53

有货

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型号：LTV-155E 编号：C2916312

封装：SOP-5-4.4mm

品牌：LITEON(光宝)

LTV - 155E光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率IGBT和MOSFET，以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。1.0A的峰值输出电流能够直接驱动大多数额定值高达1200 V/50 A的IGBT

数据手册

1+
￥3.03
10+
￥2.37
30+
￥2.09
100+
￥1.74
500+
￥1.56
1000+
￥1.47

有货

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型号：HCPL-181-000E 编号：C692017

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 181包含一个发光二极管和一个光晶体管，二者通过光耦合。它采用4引脚迷你扁平SMD封装，封装高度为2.0 mm。

数据手册

1+
￥3.04
10+
￥2.42
30+
￥2.15
100+
￥1.81
500+
￥1.53
1000+
￥1.44

有货

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型号：MOC3020M 编号：C86911

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光隔离三端双向可控硅驱动器器件。此类器件包含一个 GaAs 红外发光二极管和一个光敏硅双向开关，其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适合用作电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口，可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。

数据手册

1+
￥3.08
10+
￥2.45
50+
￥2.18
100+
￥1.85
500+
￥1.7
1000+
￥1.61

有货

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型号：ELM453(TA) 编号：C42384986

封装：SOP-5

品牌：EVERLIGHT(亿光)

数据手册

1+
￥3.18
10+
￥2.84
30+
￥2.67
100+
￥2.5
500+
￥2.4
1000+
￥2.35

有货

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型号：SFH6106-3T 编号：C118291

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，间距为 2.54mm。选项 6 和选项 8 可实现 >8.0mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于高达 400VRMS 或直流的工作电压的加强绝缘。规格可能会有所变化。

数据手册