夏普光耦_厂家_价格_品牌_库存

MOC3041SM是由一个 GaAs 红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等。

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型号：TLP290(V4GBTP,SE 编号：C603060

封装：SO-4-175mil

由光电晶体管组成，与两个反向并联连接的红外发射二极管光耦合，可通过交流输入电流直接运行。采用非常小而薄的SO4封装，保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合IC。

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￥0.9174

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型号：ATM501-CuH-S 编号：C20612632

封装：S0P-5

ATM501由一个 850nm 的 AlGaAs LED 光学耦合到一个高速光电检测器组成。广泛应用于：CMOS-LSTTL-TTL 的输出接口、通信设备、电机驱动器等

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型号：TLP184(V4GBTL,SE 编号：C2929221

封装：SOP-4

TLP184(SE) 是一款交流输入型光电耦合器，由一个与两个红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP184(SE) 采用非常小巧轻薄的 SO6 封装，具有高抗噪性和高隔离电压。

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型号：TLP183(GR-TPL,E 编号：C80194

封装：SOP-4-2.54mm

TLP183是一款低输入型光电晶体管耦合器，采用SO6封装，由与铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP183保证具备高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C。

数据手册

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型号：LTV-847 编号：C10794

封装：DIP-16

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型号：TCMT1109 编号：C118299

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：VISHAY(威世)

TCMT110系列由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用4引脚封装。这些元件安装在一个引线框架上，为满足最高安全要求，在输入和输出之间提供固定距离。

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￥2.52
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型号：4N35M 编号：C4069

封装：DIP-6

该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

数据手册

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型号：HMHA2801AR2 编号：C258257

封装：SOP-4-1.27mm

HMHA281、HMHA2801 系列包括一个砷化镓红外发光二极管，用以驱动紧凑型 4 引脚微型扁平封装中的硅光电晶体管。引线间距为1.27mm。

数据手册

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型号：MPS2733-1 编号：C41383943

封装：SOP-4

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款光耦合器，采用SOP-4封装，他具有集电极−发射极电压: 300V，稳定的传输电流，快速响应时间，被广泛应用于通信、计算机、工业控制、电源管理、医疗设备、汽车电子其凑的设计和良好的性能，在各种需要电气隔离和信号传输的场合都有应用

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型号：6N137S 编号：C2918951

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Slkor(萨科微)

6N137由一个高效的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和一个高速光检测器组成。其工作参数在 -55 °C 至 100 °C 的温度范围内得到保证。

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型号：ELM611 编号：C41371271

封装：SOP-5

ELM611内部有一个850nm的AlGaAS LED,其光学耦合到具有选通输出的超高速集成光电检测器。这些器件采用5引脚外形封装，符合标准封装外形。平替亿光ELM611、光宝LTV-M456；广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等

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型号：AT314-CuH-P 编号：C22384610

封装：SOP-6-6.8mm

AT314是一种输出电流为0.6A的栅极驱动光电耦合器，具有一个镓砷磷化合物（GaAsP）的发光二极管，通过红外光耦合到光敏集成电路。这种光电耦合器可驱动大多数的小功率IGBTs和MOSFETs。在电机控制逆变器以及高性能电力系统应用中，其非常适用于快速切换驱动功率IGBTs和MOSFETs。

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型号：MOC3052M 编号：C8965

封装：DIP-6

MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。

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￥3.4
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型号：TLP350F(UMW) 编号：C53109745

封装：DIP-8

品牌：UMW(友台半导体)

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￥3.45
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型号：TLP352F(UMW) 编号：C53109738

封装：DIP-8

品牌：UMW(友台半导体)

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￥3.73
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型号：LTV-247-G-RT 编号：C7435541

封装：SOP-16

电流传输比 (CTR)：在IF = 5mA、VCE = 5V时最小值为50% 高输入-输出隔离电压，Viso = 3,750Vrms 采用双传输模塑技术安全认证：UL1577、VDE DIN EN60747-5-5、VDE 0884-5、CSA CA5A、FIMKO RoHS合规：器件中使用的所有材料均符合欧盟RoHS指令（2002/95/EC、2011/65/EU和2015/863） ESD通过HBM 8000V/MM 2000V MSL 1级无卤。

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型号：TLP185(GR-TPR,E 编号：C393884

封装：SOP-4-2.54mm

是小型扁平耦合器，适用于表面贴装组装。由与砷化镓红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。比DIP封装小，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

数据手册

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￥4.73
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￥3.9
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￥3.48
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￥3.07
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￥2.69

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型号：ACPL-M61L-500E 编号：C44908

封装：SO-5-4.4mm

品牌：Broadcom(博通)

低功率数字光耦合器结合了AlGaAs发光二极管（LED）和集成高增益光电探测器。光耦合器功耗低，在不同温度下，每通道最大IDD电流为1.3 mA。正向LED电流低至1.6 mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20 kV/μs的共模瞬态抗扰度规格。在保持TTL/CMOS兼容性的同时，实现最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能，可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作，在-40℃至+105℃的温度范围内保证交流和直流性能。这些低功率光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

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￥4.76
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￥3.85
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￥3.39
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￥2.94
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￥2.67
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￥2.53

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型号：6N136M 编号：C9067

封装：DIP-8

HCPL4502M、HCPL4503M、HCPL2503M、6N135M、6N136M、HCPL2530M和HCPL2531M光电耦合器包含耦合高速光电检测器晶体管的AlGaAs LED。通过降低输入晶体管的基极-集电极电容，单独连接实现光电二极管偏压使速度比传统光电晶体管光电耦合器提高数个级别。 HCPL4503M不会内部连接到光电晶体管基极，有助于改善抗噪能力，内部噪声屏蔽提供一流的共模抑制性能，高达50,000V/us。

数据手册

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￥5.49
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￥4.44
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￥3.8
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￥3.29
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￥2.81

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型号：QX173-CuH-S 编号：C49023636

封装：SOP-4

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

SOP4封装光继电器 3750V隔离电压，负载电压：100V，负载电流：1.25A

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￥5.6
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￥4.54
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￥3.48
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有货

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型号：TLP2368(TPL,E 编号：C7493926

封装：SO6

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￥3.45
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￥3.12
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￥2.95

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型号：QX174-CuH-S 编号：C49023618

封装：SOP-4

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

SOP4封装光继电器 3750V隔离电压，负载电压：400V，负载电流：0.12A

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￥5.79
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￥4.69
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￥4.14
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￥3.59
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￥3.1

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型号：LTV-063L 编号：C571215

封装：SOP-8

该系列由高效的铝镓砷发光二极管和高速光电探测器组成。这种设计在光耦合器的输入和输出侧之间提供了出色的交流和直流隔离。光探测器的输出采用集电极开路肖特基钳位晶体管。使能功能允许对光探测器进行选通。内部屏蔽确保了高共模瞬态抗扰度。在3.3V时，保证的共模瞬态抗扰度高达10kV/μs。光耦合器的工作参数在-40°C至+85°C的温度范围内得到保证。这种独特的设计在实现LVTTL/LVCMOS兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。

数据手册

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￥5.8
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￥4.27
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￥3.76
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￥3.19
1000+
￥3.03

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型号：6N139M 编号：C4071

封装：DIP-8

6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分离式达林顿光检测器光耦合的 AlGaAs LED。与传统的达林顿光电耦合器相比，分离式达林顿配置将输入光电二极管和第一阶增益从输出晶体管中分离出来，使得输出饱和电压更低，运行速度更快。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中，集成的发射极-基极电阻器在温度范围内具有出色的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适合用作 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 的输入接口，同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及高扇出 TTL 要求。内部干扰屏蔽具有 10 kV/us 的卓越共模抑制。

数据手册

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￥6.1
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￥5.07
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型号：QX176-CuH-S 编号：C42917562

封装：SOP-4

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

SOP4封装光继电器 3750V隔离电压，负载电压：600V，负载电流：0.04A

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型号：ILD217T 编号：C145010

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

光电耦合器, 三极管输出, 双通道

数据手册

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型号：GAQY212GH 编号：C19271986

封装：DIP-4

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

触点形式:1 Form A(SPST-NO)

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￥3.08
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￥2.88

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型号：LTV-244 编号：C125640

封装：SOP-16-4.4mm