夏普光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：AQY212SX 编号：C719754

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：PANASONIC(松下)

特性：控制低电平模拟信号。小型SOP4引脚封装。低电平关态泄漏电流最大为1μA。提供60V、350V和400V负载电压类型。应用：电信（PC、电子记事本）。测量和测试设备

数据手册

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￥6.38
10+
￥5.55
30+
￥5.09
100+
￥4.66
500+
￥4.38
1000+
￥4.26

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型号：GAQY221S 编号：C7435105

封装：SOP-4

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、无弹跳和无噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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￥3.3
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￥2.65
30+
￥2.37
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￥2.02
500+
￥1.76
1000+
￥1.66

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型号：TLP127(TPL,U,F) 编号：C5001

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝小型扁平耦合器TLP127是一款小外形耦合器，适用于表面贴装组装。TLP127由一个砷化镓红外发光二极管和一个带集成基极 - 发射极电阻的达林顿光电晶体管光耦合而成，其VCEO为300V。

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￥4.45
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￥3.72
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￥3.2
100+
￥2.77
500+
￥2.64
1000+
￥2.56

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型号：6N137SDM 编号：C15825

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

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￥5.09
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￥4.37
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￥3.87
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￥3.45
500+
￥2.46
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￥2.38

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型号：TLP350(TP1,F) 编号：C5003

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用DIP8封装的光电耦合器，由砷化镓红外发光二极管 (LED) 与集成高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达100℃的温度下保证性能和规格。内部有法拉第屏蔽，能保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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1+
￥5.17
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￥4.3
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￥3.69
100+
￥3.18
500+
￥3.02
1500+
￥2.93

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型号：HCPL-316J-500E 编号：C27553

封装：SO-16-300mil

品牌：Broadcom(博通)

具有集成去饱和 (VCE) 检测和故障状态反馈的2.5A栅极驱动光耦合器，使IGBTVCE故障保护紧凑、经济且易于实施，同时满足全球安全和监管要求。是一种易于使用的智能栅极驱动器，使IGBTVCE故障保护紧凑、经济且易于实施。用户可配置输入、集成VCE检测、欠压锁定 (UVLO)、“软”IGBT关断和隔离故障反馈等功能，提供了最大的设计灵活性和电路保护。是一种高度集成的功率控制设备，将完整的、带故障保护和反馈的隔离式IGBT栅极驱动电路所需的所有组件集成到一个SO-16封装中。TTL输入逻辑电平允许直接与微控制器接口，光隔离功率输出级驱动功率额定值高达150A和1200V的IGBT。高速内部光链路可最大限度地减少微控制器和IGBT之间的传播延迟，同时允许两个系统在工业电机驱动器和其他功率开关应用中常见的非常大的共模电压差下运行

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1+
￥11.96
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￥10.39
30+
￥9.28
100+
￥8.27
500+
￥7.81
850+
￥7.62

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型号：EL817(B)-F 编号：C5353

封装：DIP-4

品牌：EVERLIGHT(亿光)

铁脚

数据手册

20+
￥0.234
200+
￥0.1763
600+
￥0.1537
2000+
￥0.135
10000+
￥0.1285
20000+
￥0.124

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型号：LTV-354T 编号：C119090

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：LITEON(光宝)

交流光耦双向光耦 LTV354T

数据手册

5+
￥0.7029
50+
￥0.5759
150+
￥0.5106
500+
￥0.4569
3000+
￥0.4204
6000+
￥0.4077

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型号：TLP521GB-S(UMW) 编号：C364143

封装：SMD-4P

品牌：UMW(友台半导体)

UMW公司的TLP521 - 1、TLP521 - 2和TLP521 - 4由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP521 - 2采用八引脚塑料DIP封装，提供两个隔离通道；而TLP521 - 4采用十六引脚塑料DIP封装，提供四个隔离通道。

数据手册

5+
￥0.8362
50+
￥0.654
150+
￥0.5629
500+
￥0.4946
2000+
￥0.3972
4000+
￥0.3698

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型号：TLP127GB-S(UMW) 编号：C20417172

封装：SOP-4

品牌：UMW(友台半导体)

UMW TLP127GB S是一款适用于表面贴装组装的小型贴片光耦产品。TLP127GB S是一款高压光耦，由砷化镓红外发光二极管和集成基极 - 发射极电阻的达林顿光电晶体管组成，其VCEO超过300V。

5+
￥1.4554
50+
￥1.1151
150+
￥0.9693
500+
￥0.7873
3000+
￥0.7063
6000+
￥0.6576

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型号：GAQY214S 编号：C19188661

封装：SOP-4

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

应用：隔离开关，工控类，仪器仪表

1+
￥3.42
10+
￥2.83
30+
￥2.57
100+
￥2.25
500+
￥1.76
1000+
￥1.67

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型号：AQY282SX 编号：C250827

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：PANASONIC(松下)

特性：低成本类型。高灵敏度，低导通电阻，能以 5mA 输入电流控制最大 0.5A 负载电流，导通电阻低至 2.5Ω。稳定运行，无金属接触部件。多种封装设计（提供 DIP4、SOP4、DIP8、SOP8 封装）。低关态泄漏电流，额定负载电压 350V 时仅 100pA。应用：调制解调器。电话设备

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1+
￥4.85
10+
￥4.11
30+
￥3.74
100+
￥3.47
500+
￥2.85
1000+
￥2.71

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型号：AQY212GS 编号：C719745

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：PANASONIC(松下)

特性：连续引线电流：最大1.6A高容量。低导通电阻：典型值0.1Ω。大容量类型产品种类丰富。应用：测量仪器、测试仪等。安全与防灾系统，用于报警和安全设备的I/O等

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1+
￥7.55
10+
￥6.6
30+
￥6.08
100+
￥5.02
500+
￥4.71
1000+
￥4.56

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型号：HCNR201-500E 编号：C27465

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

该产品由高性能AlGaAs LED组成，可照亮两个紧密匹配的光电二极管。输入光电二极管可用于监测并稳定LED的光输出，从而几乎消除LED的非线性和漂移特性。输出光电二极管产生与LED光输出线性相关的光电流。光电二极管的紧密匹配和封装的先进设计确保了光耦合器的高线性度和稳定的增益特性。该产品可用于在各种需要良好稳定性、线性度、带宽和低成本的应用中隔离模拟信号。它非常灵活，通过适当设计应用电路，能够以多种不同模式工作，包括单极/双极、交流/直流和反相/同相。该产品是许多模拟隔离问题的优秀解决方案。

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1+
￥10.87
10+
￥9.54
30+
￥8.59
100+
￥7.73
750+
￥7.34
1500+
￥7.17

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型号：PC817B 编号：C3025163

封装：SMD-4P

品牌：GOODWORK(固得沃克)

接收端电压：35V CTR:130%~260%

数据手册

10+
￥0.23987 ￥0.2822
100+
￥0.19703 ￥0.2318
300+
￥0.17561 ￥0.2066
2000+
￥0.13464 ￥0.1584
4000+
￥0.121805 ￥0.1433
8000+
￥0.115345 ￥0.1357

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型号：EL817(C)-F 编号：C181890

封装：DIP-4

品牌：EVERLIGHT(亿光)

数据手册

20+
￥0.2528
200+
￥0.1873
600+
￥0.1644
2000+
￥0.1456
10000+
￥0.139
20000+
￥0.1345

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型号：OR-3H7B-TP-G 编号：C282477

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：Orient(奥伦德)

消费级

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10+
￥0.3564
100+
￥0.2892
300+
￥0.2546
3000+
￥0.2219
6000+
￥0.212
9000+
￥0.2052

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型号：TLP785(GB-TP6,F 编号：C45445

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与砷化镓 (GaAs) 红外发射二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料 DIP (DIP4) 封装，具有高隔离电压 (交流：5kVRMS (最小值))。TLP785F 是 TLP785 的长爬电表面贴装引脚成型类型。

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5+
￥0.6456
50+
￥0.5113
150+
￥0.4422
500+
￥0.3853
2000+
￥0.3654
4000+
￥0.352

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型号：GAQY210S 编号：C7435113

封装：SOP-4

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

1+
￥3.96
10+
￥3.27
30+
￥2.92
100+
￥2.57
500+
￥2.06
1000+
￥1.95

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型号：GAQW214EH 编号：C19188597

封装：SMD-8P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。高速和高频开关。高灵敏度（低功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

1+
￥7.07
10+
￥5.84
30+
￥5.23
100+
￥4.62
500+
￥3.8
1000+
￥3.61

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型号：HCPL-0631-500E 编号：C43949

封装：SO-8-150mil

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了GaAsP发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器IC的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在Vcm = 1000V时，共模瞬态抗扰度规格高达15,000V/μs。这种独特的设计在实现TTL兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C至 +85°C范围内得到保证，确保系统无故障运行。

数据手册

1+
￥7.6
10+
￥6.67
30+
￥5.79
100+
￥5.13
500+
￥4.86
1500+
￥4.73

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型号：PC817C 编号：C3008368

封装：DIP-4

品牌：UMW(友台半导体)

817 系列光耦合器由一个 GaAs 的发射管和一个 NPN 的晶体管组成。817 的 BIN 脚宽是 2.54mm。

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20+
￥0.1816
200+
￥0.1365
600+
￥0.113
2000+
￥0.0989
10000+
￥0.0866
20000+
￥0.08

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型号：AT3H7B-CuH-S 编号：C20612660

封装：SSOP-4

品牌：AOTE(奥特)

AT3H7是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装 ( SSOP4)。广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、白色家电等。

10+
￥0.359352 ￥0.3906
100+
￥0.286488 ￥0.3114
300+
￥0.250056 ￥0.2718
1000+
￥0.222732 ￥0.2421
5000+
￥0.205436 ￥0.2233
10000+
￥0.194488 ￥0.2114

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型号：LTV-356T-B 编号：C10804

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：LITEON(光宝)

特性：电流传输比（CTR）：最小值为 50%（IF = 5mA，VCE = 5V）。高输入输出隔离电压（Viso = 3750Vrms）。高集电极发射极电压（VCEO = 80V）。应用：需要高密度安装的混合基板

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10+
￥0.4296
100+
￥0.3575
300+
￥0.3214
3000+
￥0.2944
6000+
￥0.2727
9000+
￥0.2619

有货

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型号：TLP785GB-S(UMW) 编号：C364147

封装：SMD-4P

品牌：UMW(友台半导体)

UMW TLP785由一个硅光电晶体管和一个砷化镓（GaAs）红外发光二极管光耦合而成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5kVRMS（最小值））。

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10+
￥0.4357
100+
￥0.3415
300+
￥0.2944
2000+
￥0.2537
4000+
￥0.2254
10000+
￥0.2113

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型号：LTV-217-C-G 编号：C123196

封装：SOP-4-175mil

品牌：LITEON(光宝)

特性：电流传输比（CTR）：最小值为50%，条件为IF = 5mA，VCE = 5V。高输入输出隔离电压（Viso = 3,750Vrms）。采用双传输模塑技术。安全认证：UL1577、VDE DIN EN60747-5-5（VDE 0884-5）、CSA CA5A、FIMKO。RoHS合规：器件中使用的所有材料均符合欧盟RoHS指令（No.2002/95/EC）。ESD通过HBM 8000V/MM2000V。应用：要求高密度安装的混合基板。可编程控制器

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