夏普光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLP2355(TPL,E 编号：C99485

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由红外LED与高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6封装。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为 ±20kV/μs，有逻辑缓冲输出，还有反相器输出版本。

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型号：TLP290-4(GB-TP,E 编号：C39031

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP290 - 4由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP290 - 4光电耦合器采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于TLP290 - 4可在较宽的工作温度范围Ta = -55至110°C内正常工作，因此适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器

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型号：TLP350(TP1,F) 编号：C5003

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用DIP8封装的光电耦合器，由砷化镓红外发光二极管 (LED) 与集成高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达100℃的温度下保证性能和规格。内部有法拉第屏蔽，能保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：HCPL-316J-500E 编号：C27553

封装：SO-16-300mil

品牌：Broadcom(博通)

具有集成去饱和 (VCE) 检测和故障状态反馈的2.5A栅极驱动光耦合器，使IGBTVCE故障保护紧凑、经济且易于实施，同时满足全球安全和监管要求。是一种易于使用的智能栅极驱动器，使IGBTVCE故障保护紧凑、经济且易于实施。用户可配置输入、集成VCE检测、欠压锁定 (UVLO)、“软”IGBT关断和隔离故障反馈等功能，提供了最大的设计灵活性和电路保护。是一种高度集成的功率控制设备，将完整的、带故障保护和反馈的隔离式IGBT栅极驱动电路所需的所有组件集成到一个SO-16封装中。TTL输入逻辑电平允许直接与微控制器接口，光隔离功率输出级驱动功率额定值高达150A和1200V的IGBT。高速内部光链路可最大限度地减少微控制器和IGBT之间的传播延迟，同时允许两个系统在工业电机驱动器和其他功率开关应用中常见的非常大的共模电压差下运行

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型号：LTV-357T-B-IN 编号：C406713

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：LITEON(光宝)

特性：电流传输比（CTR）：在 I = 5mA、VCE = 5V 时为 50%。高输入-输出隔离电压（Viso = 3,750Vrms）。高集电极-发射极电压（VCEO = 35V）。应用：需要高密度安装的混合基板

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型号：TLP785(GB-TP6,F 编号：C45445

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与砷化镓 (GaAs) 红外发射二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料 DIP (DIP4) 封装，具有高隔离电压 (交流：5kVRMS (最小值))。TLP785F 是 TLP785 的长爬电表面贴装引脚成型类型。

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型号：TLP155E(TPL,E 编号：C56499

封装：SOIC-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAtAs红外发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成，采用SO6封装。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，可保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度，适用于IGBT或功率MOSFET的直接栅极驱动电路。

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￥3.06
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型号：TLP127(TPL,U,F) 编号：C5001

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝小型扁平耦合器TLP127是一款小外形耦合器，适用于表面贴装组装。TLP127由一个砷化镓红外发光二极管和一个带集成基极 - 发射极电阻的达林顿光电晶体管光耦合而成，其VCEO为300V。

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型号：LTV-354T 编号：C119090

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：LITEON(光宝)

交流光耦双向光耦 LTV354T

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￥0.6912
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型号：HCPL-0600-500E 编号：C6674

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了GaAsP发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器IC的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在Vcm = 1000V时可保证高达15,000V/μs的共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现TTL兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在-40°C至 + 85°C的温度范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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型号：AQY212SX 编号：C719754

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：PANASONIC(松下)

特性：控制低电平模拟信号。小型SOP4引脚封装。低电平关态泄漏电流最大为1μA。提供60V、350V和400V负载电压类型。应用：电信（PC、电子记事本）。测量和测试设备

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￥6.44
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型号：APV2111VY 编号：C153013

封装：SSOP-4-2.7mm

品牌：PANASONIC(松下)

由于释放时间为典型0.1毫秒，MOSFET可以在紧急情况下迅速关闭。高绝缘性表现为DIP类型为5,000 Vrms，SOP类型为2,500 Vrms，SSOP类型为1,500 Vrms。产品阵容广泛，包括SSOP、SOP4引脚和DIP6引脚。应用范围包括电子电路的电源（Vcc）和驱动MOSFET。

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￥7.28
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型号：AT3H7B-CuH-S 编号：C20612660

封装：SSOP-4

品牌：AOTE(奥特)

AT3H7是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装 ( SSOP4)。广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、白色家电等。

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￥0.342516 ￥0.3723
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￥0.269652 ￥0.2931
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型号：GAQY214S 编号：C19188661

封装：SOP-4

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

应用：隔离开关，工控类，仪器仪表

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￥3.29
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型号：TLP2345(TPL,E 编号：C99484

封装：SO-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合组成，采用SO6封装。可在4.5V至30V的电源电压下工作，最高工作温度为110°C。具有低电源电流和低阈值输入电流，有助于设备节能，可由微计算机直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具有电流源和灌电流能力。内部有法拉第屏蔽，保证了±30kV/μs的共模瞬态抗扰度，有缓冲输出，也有反相器输出版本。

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型号：ACPL-W314-500E 编号：C194137

封装：SO-6

品牌：Broadcom(博通)

由GaAsP LED与带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率IGBT。

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￥2.5382 ￥2.59

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型号：HCPL-M601-500E 编号：C45920

封装：SOP-5

品牌：Broadcom(博通)

这些小型高速逻辑门光耦合器是单通道设备，采用五引脚微型封装。SO-5 JEDEC注册（MO-155）封装轮廓不需要在PCB上打“通孔”，该封装占用的面积约为标准双列直插式封装的四分之一，引脚轮廓设计为与标准表面贴装工艺兼容。光耦合门结合了GaAsP发光二极管和集成高增益光子探测器，探测器IC的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽为HCPL-M601提供了5000V/μs的共模瞬态抗扰度保证，为HCPL-M611提供了10000V/μs的共模瞬态抗扰度保证

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￥6.11
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￥3.6955 ￥3.89
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￥2.8785 ￥3.03

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型号：LTV-356T-B 编号：C10804

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：LITEON(光宝)

特性：电流传输比（CTR）：最小值为 50%（IF = 5mA，VCE = 5V）。高输入输出隔离电压（Viso = 3750Vrms）。高集电极发射极电压（VCEO = 80V）。应用：需要高密度安装的混合基板

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￥0.3899
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￥0.2601
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￥0.229

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型号：TLP785GB-S(UMW) 编号：C364147

封装：SMD-4P

品牌：UMW(友台半导体)

UMW TLP785由一个硅光电晶体管和一个砷化镓（GaAs）红外发光二极管光耦合而成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5kVRMS（最小值））。

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￥0.4603
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型号：TLP293(GB-TPL,E 编号：C77656

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器，采用SO4封装，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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￥0.9181
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￥0.7022
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￥0.5967
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￥0.5027
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￥0.4756
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￥0.4601

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型号：TLP290(GR-TP,SE 编号：C99494

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP290(SE) 由光电晶体管组成，该光电晶体管与两个反向并联的砷化镓红外发光二极管进行光耦合，并且可以通过交流输入电流直接工作。TLP290(SE) 采用非常小巧纤薄的 SO4 封装。由于 TLP290(SE) 保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55 至 110°C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合集成电路

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￥1.0244
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￥0.7848
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￥0.6679
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￥0.5635
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￥0.5349
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￥0.5177

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型号：PS2801-4-F3 编号：C133881

封装：SOP-16-1.27mm

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS2801 - 1和PS2801 - 4是光耦合隔离器，在塑料SSOP封装中包含一个砷化镓（GaAs）发光二极管和一个NPN硅光电晶体管，适用于高密度应用。该封装具有屏蔽作用，可阻隔环境光。

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￥5.05
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￥4.26
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￥3.7
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￥3.24
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￥3.09
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￥3

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型号：AQY210SX 编号：C126989

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：PANASONIC(松下)

特性：可执行微小模拟信号控制。通用于小型1a型(SOP 4脚型)

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￥4.46
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￥4.33

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型号：HCPL-0631-500E 编号：C43949

封装：SO-8-150mil

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了GaAsP发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器IC的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在Vcm = 1000V时，共模瞬态抗扰度规格高达15,000V/μs。这种独特的设计在实现TTL兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C至 +85°C范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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￥4.77
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￥4.5
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￥4.37

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型号：HCNR201-500E 编号：C27465

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

该产品由高性能AlGaAs LED组成，可照亮两个紧密匹配的光电二极管。输入光电二极管可用于监测并稳定LED的光输出，从而几乎消除LED的非线性和漂移特性。输出光电二极管产生与LED光输出线性相关的光电流。光电二极管的紧密匹配和封装的先进设计确保了光耦合器的高线性度和稳定的增益特性。该产品可用于在各种需要良好稳定性、线性度、带宽和低成本的应用中隔离模拟信号。它非常灵活，通过适当设计应用电路，能够以多种不同模式工作，包括单极/双极、交流/直流和反相/同相。该产品是许多模拟隔离问题的优秀解决方案。

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