GEL光耦_厂家_价格_品牌_库存

电流传输比 (CTR)：在IF = 5mA、VCE = 5V时最小值为50% 高输入-输出隔离电压，Viso = 3,750Vrms 采用双传输模塑技术安全认证：UL1577、VDE DIN EN60747-5-5、VDE 0884-5、CSA CA5A、FIMKO RoHS合规：器件中使用的所有材料均符合欧盟RoHS指令（2002/95/EC、2011/65/EU和2015/863） ESD通过HBM 8000V/MM 2000V MSL 1级无卤。

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型号：TLP560J(C,F) 编号：C516862

封装：DIP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个光控三端双向可控硅与红外发光二极管光耦合，采用六引脚塑料DIP封装。

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￥4.13
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型号：TLP185(GR-TPR,E 编号：C393884

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是小型扁平耦合器，适用于表面贴装组装。由与砷化镓红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。比DIP封装小，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

数据手册

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型号：ACPL-M61L-500E 编号：C44908

封装：SO-5-4.4mm

品牌：Broadcom(博通)

低功率数字光耦合器结合了AlGaAs发光二极管（LED）和集成高增益光电探测器。光耦合器功耗低，在不同温度下，每通道最大IDD电流为1.3 mA。正向LED电流低至1.6 mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20 kV/μs的共模瞬态抗扰度规格。在保持TTL/CMOS兼容性的同时，实现最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能，可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作，在-40℃至+105℃的温度范围内保证交流和直流性能。这些低功率光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

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型号：6N137-500E 编号：C691907

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40℃ 至 +85℃ 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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型号：QX173-CuH-S 编号：C49023636

封装：SOP-4

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

SOP4封装光继电器 3750V隔离电压，负载电压：100V，负载电流：1.25A

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型号：QX174-CuH-S 编号：C49023618

封装：SOP-4

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

SOP4封装光继电器 3750V隔离电压，负载电压：400V，负载电流：0.12A

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