安华高光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：HCPL-J312-300E 编号：C6795926

封装：SMD-8P

品牌：Broadcom(博通)

包含GaAsP LED，或包含AlGaAs LED。LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压

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￥20.29
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￥19.83
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￥19.52

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型号：HCPL-0211-000E 编号：C6795918

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合逻辑门，包含GaAsP LED或AlGaAs LED。探测器具有图腾柱输出级和内置施密特触发器的光接收器输入级，可提供逻辑兼容波形，无需额外的波形整形。部分型号的内部屏蔽可保证在1000伏共模电压下具有10kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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￥20.32
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￥19.88
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￥19.58

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型号：ACPL-M43T-000E 编号：C6795924

封装：SOIC-5

品牌：Broadcom(博通)

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￥20.73
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￥20.28
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￥19.98

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型号：ACPL-P314-000E 编号：C18198822

封装：SOP-6

品牌：Broadcom(博通)

由GaAsP LED与带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率IGBT。

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￥21.92
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￥21.45
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￥21.14

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型号：ACPL-P345-500E 编号：C691960

封装：SO-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

数据手册

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￥22.06
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￥21.55
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￥21.21

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型号：ACPL-K49T-560E 编号：C6795945

封装：SMD

品牌：Broadcom(博通)

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￥21.76
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￥21.41

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型号：HCPL-T250-000E 编号：C17663508

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

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￥22.39
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￥21.89
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￥21.56

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型号：ACPL-W61L-000E 编号：C6118324

封装：SOIC-6-4.6mm

品牌：Broadcom(博通)

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￥22.48
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￥21.99
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￥21.65

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型号：HCPL-261A-000E 编号：C5729233

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

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￥23.3
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￥22.78
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￥22.44

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型号：HCPL-050L-000E 编号：C6795873

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器使用 LED 和集成光电探测器之间的绝缘层，在输入和输出之间提供电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些光耦合器有 8 引脚 DIP 和行业标准 SO-8 封装。SO-8 封装不需要在 PCB 上打“通孔”，该封装占用的面积约为标准双列直插式封装的三分之一，引脚轮廓设计为与标准表面贴装工艺兼容。这些光耦合器可用于 LVTTL/LVCMOS 或宽带模拟应用。这些光耦合器保证在 VCM = 10V 时，共模瞬态抗扰度最小为 1000 V/μs 至典型值。

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￥23.67
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￥20.38
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￥18.43

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型号：HCPL-2630-300E 编号：C6795930

封装：SMD-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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￥23.77
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￥23.22
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￥22.85

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型号：HCPL-2631-300E 编号：C6795947

封装：SMD-8,P=2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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￥23.91
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￥23.35
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￥22.98

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型号：ACPL-H312-560E 编号：C6795934

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

包含一个GaAsP LED，该LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。这些光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/100A的IGBT。对于额定值较高的IGBT，可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。

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￥24.39
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￥23.9
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￥23.57

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型号：ACNU-4804-000E 编号：C17338976

封装：SOIC-8-9.6mm

品牌：Broadcom(博通)

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￥24.54
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￥24
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￥23.64

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型号：ACPL-M483-000E 编号：C19673760

封装：SOIC-5

品牌：Broadcom(博通)

高速光耦合器包含一个AlGaAs LED和带有内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件间的传播延迟差异最小化，使这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的优秀解决方案。

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￥24.59
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￥21.21
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￥19.2

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型号：ACPL-M61M-000E 编号：C6114668

封装：SOIC-5-175mil

品牌：Broadcom(博通)

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￥25.34
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￥24.78
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￥24.4

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型号：ACPL-K34T-000E 编号：C7466718

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

2.5安培汽车级R2Coupler栅极驱动光耦合器包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED），它与一个带有功率输出级的集成电路进行光耦合。ACPL - K34T具有快速传播延迟和严格的时序偏差，专为驱动AC - DC和DC - DC转换器中使用的功率MOSFET而设计。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压

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￥25.56
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￥24.96
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￥24.56

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型号：ACPL-K30T-560E 编号：C17395588

封装：SOIC-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

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￥25.63
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￥25.06
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￥24.69

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型号：ACPL-W21L-500E 编号：C6795993

封装：SOIC-6

品牌：Broadcom(博通)

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￥25.69
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￥22.2
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￥20.12

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型号：HCPL-263L-300E 编号：C6569997

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

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￥25.73
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￥25.16
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￥24.79

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型号：HCPL-4504-300E 编号：C6795886

封装：SMD-8

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 4504和HCPL - 0454采用GaAsP LED，而HCPL - J454和HCNW4504采用AlGaAs LED。该LED与集成高增益光电探测器进行光耦合。HCPL - 4504系列具有短传播延迟和高电流传输比（CTR）

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￥26.14
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￥22.55
30+
￥20.42

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型号：ACPL-P343-560E 编号：C19673753

封装：SOP-6

品牌：Broadcom(博通)

包含一个AlGaAs LED，该LED通过光耦合到具有功率输出级的集成电路。此光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用中的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/200A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，该光耦合器可用于驱动分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。