ISOCOM光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：AT817C-FeL-SE 编号：C20612669

封装：SMD-4P

品牌：AOTE(奥特)

AT817X是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装 ( DIP、 DIP-M、 SMD) 广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等.

20+
￥0.20493 ￥0.2277
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￥0.16173 ￥0.1797
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￥0.14013 ￥0.1557
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￥0.12483 ￥0.1387
10000+
￥0.11187 ￥0.1243
20000+
￥0.1053 ￥0.117

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型号：MOC3021SR2M 编号：C68654

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC301XM 和 MOC302XM 系列为光隔离三端双向可控硅元件驱动器器件。此类器件包含 GaAs 红外发光二极管和光激活硅双向开关，其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适用于电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口，可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。

数据手册

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￥2.96
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￥2.31
30+
￥2.04
100+
￥1.69
500+
￥1.54
1000+
￥1.45

有货

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型号：TLP5702(TP,E 编号：C163201

封装：SOP-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

2.5A，IGBT/MOS驱动光耦

数据手册

1+
￥3.85
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￥3.12
30+
￥2.75
100+
￥2.39
500+
￥1.94
1500+
￥1.82

有货

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型号：MOC3081SR2M 编号：C112418

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

MOC3081M、MOC3082M和MOC3083M器件包含GaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

数据手册

1+
￥3.96
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￥3.22
30+
￥2.85
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￥2.48
500+
￥2.03
1000+
￥1.92

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型号：TLP172AM(TPL,E 编号：C2152276

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP172AM由一个红外LED和一个光电MOSFET光耦合组成，采用4引脚SO6封装。这款光电继电器的输出电流额定值比光电晶体管型光电耦合器更高；因此，它适用于大电流的通断控制。

数据手册

1+
￥5.35
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￥4.25
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￥3.71
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￥3.17
500+
￥2.7
1000+
￥2.54

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型号：GAQY211G2EH 编号：C7435127

封装：SMD-4P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、无弹跳和无噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

1+
￥5.47
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￥4.45
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￥3.94
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￥3.44
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￥3.02
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￥2.87

有货

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型号：GAQY215G1EH 编号：C48606611

封装：SMD-4P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

1 Form A(SPST-NO)负载电压:150V 连续负载电流:1.1A

1+
￥6.41
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￥5.33
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￥4.73
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￥4.06
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￥3.76
1000+
￥3.63

有货

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型号：TLP250H(F) 编号：C88151

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP250H 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器，由一个 GaAℓAs 红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125 °C 的温度下保证性能和规格。其内部设有法拉第屏蔽层，可保证 ±40 kV/μs 的共模瞬态抗扰度

数据手册

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￥6.45
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￥5.37
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￥4.37
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￥3.7
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￥3.4
1000+
￥3.27

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型号：AT223-CuH-S 编号：C32712995

封装：SMD-8P,9.7x6.5mm

品牌：AOTE(奥特)

AT223 贴片SMD8固态继电器光耦

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￥6.9065 ￥7.27
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￥5.7095 ￥6.01
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￥5.054 ￥5.32
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￥4.3035 ￥4.53
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￥4.047 ￥4.26
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￥3.895 ￥4.1

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型号：HCPL-2631-500E 编号：C188742

封装：SMD-8P

品牌：Broadcom(博通)

鸥翼脚

数据手册

1+
￥7.27
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￥6.57
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￥6.18
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￥4.8118 ￥4.91
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￥4.6256 ￥4.72
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￥4.5374 ￥4.63

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型号：GAQY414S 编号：C19188667

封装：SOP-4

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

1+
￥8.19
10+
￥6.83
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￥6.08
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￥5.23
500+
￥4.73
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￥4.56

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型号：HCPL-0630-500E 编号：C20027

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

6N137、HCPL - 26xx/06xx/4661、HCNW137/26x1 是光耦合门，其将 GaAsP 发光二极管与集成高增益光电探测器相结合。使能输入可对探测器进行选通。探测器集成电路的输出是集电极开路的肖特基钳位晶体管

数据手册

1+
￥8.27
10+
￥6.79
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￥5.98
100+
￥4.9588 ￥5.06
500+
￥4.5668 ￥4.66
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￥4.3806 ￥4.47

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型号：GAQW212GS 编号：C7435123

封装：SOP-8

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

1+
￥8.76
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￥7.32
30+
￥6.53
100+
￥5.15
500+
￥4.76
1000+
￥4.58

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型号：VOM1271T 编号：C146286

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

VOM1271是一款独立的光电隔离MOSFET驱动器。与传统的需要外部电源为驱动器本身提供VCC和/或VDD轨的MOSFET驱动器不同，VOM1271从隔离栅低压初级侧的LED电流中获取驱动其内部电路所需的所有电流。这节省了设计师因提供一个或多个外部电源而占用的空间和成本。VOM1271还集成了组件内部的关断电路，从而消除了为了通过减少关断时间来提高整体开关速度而需额外增加的组件需求。这些特性结合SOP4小封装，为各种MOSFET驱动应用提供了小巧、高度集成的隔离门极驱动解决方案。

数据手册

1+
￥10.21
10+
￥8.42
30+
￥7.44
100+
￥6.32
500+
￥5.83

有货

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型号：AQV252GAX 编号：C425149

封装：SMD-6P

品牌：PANASONIC(松下)

数据手册

1+
￥19.31
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￥17.36
30+
￥16.19
100+
￥13.91
500+
￥13.26
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￥12.97

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型号：OR-3H7C-TP-G 编号：C394246

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：Orient(奥伦德)

消费级该ORPC-3H7系列器件包含一个红外发光二极管，光电晶体管探测器。它们封装在一个4引脚SOP里面，不含卤素和Sb₂O₃。

数据手册

10+
￥0.3539
100+
￥0.2769
300+
￥0.2384
3000+
￥0.2224
6000+
￥0.1993
9000+
￥0.1877

有货

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型号：LTV-817S-TA1-B 编号：C109226

封装：SMD-4P

品牌：LITEON(光宝)

LTV817B 贴片光耦光电耦合

数据手册

10+
￥0.3592
100+
￥0.2879
300+
￥0.2523
1000+
￥0.2245
5000+
￥0.2031
10000+
￥0.1924

有货

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型号：EL1019 编号：C695835

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：UMW(友台半导体)

UMW101X 系列将 AlGaAs 红外发射二极管作为发射器，与采用塑料 LSOP4 封装的硅平面光电晶体管探测器进行光耦合。凭借坚固的共面双塑封结构，UMW101X 系列具备最稳定的隔离特性。

数据手册

10+
￥0.4326
100+
￥0.3401
300+
￥0.2938
3000+
￥0.2265
6000+
￥0.1987
9000+
￥0.1849

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型号：LTV-214-B-G 编号：C2942983

封装：SOP-4-175mil

品牌：LITEON(光宝)

特性：电流传输比（CTR）：在IF = ±1mA、VCE = 5V时，最小为20%。高输入输出隔离电压：(Viso = 3,750Vrms)。采用双传输模塑技术。应用：需要高密度安装的混合基板

数据手册

5+
￥0.7466
50+
￥0.5953
150+
￥0.5197
500+
￥0.4629
3000+
￥0.4176
6000+
￥0.3949

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型号：MOC3022M(UMW) 编号：C2842958

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

UMW MOC302X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

数据手册

5+
￥0.7814
50+
￥0.6895
130+
￥0.5757
520+
￥0.5265
2470+
￥0.5046
6500+
￥0.4915

有货

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型号：TLP293(GR-TPL,E 编号：C2832665

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器，采用SO4封装，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

5+
￥0.863
50+
￥0.7445
150+
￥0.6937
500+
￥0.6303
2500+
￥0.6202
5000+
￥0.6033

有货

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型号：MOC3052S-TA1 编号：C115471

封装：SMD-6P

品牌：LITEON(光宝)

特性：输入与输出之间的隔离电压 Viso：5000Vrms。 6引脚DIP光耦合器，三端双向可控硅驱动器输出。高重复峰值关态电压 VDRM：最小600V。高关态电压临界上升率 (dV/dt：最小1000V/μs)。应用：AC电机驱动器。 AC电机启动器

数据手册

5+
￥1.0074
50+
￥0.8447
150+
￥0.7749
1000+
￥0.6573
2000+
￥0.6108
5000+
￥0.5829

有货

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型号：ATM3063-CuH-SE 编号：C20612773

封装：SOP-4

品牌：AOTE(奥特)

ATM3063是由一个 GaAs 红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等。

5+
￥1.0828
50+
￥0.856
150+
￥0.7587
500+
￥0.6374
3000+
￥0.5834
6000+
￥0.551

有货

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型号：MOC3023SM(UMW) 编号：C3014300

封装：SOP-6-6.5mm

品牌：UMW(友台半导体)

由砷化镓红外发光二极管和单晶硅芯片随机相光电双向晶闸管组成的光耦合器。

数据手册

5+
￥1.1424
50+
￥0.9001
150+
￥0.7962
1000+
￥0.6324
2000+
￥0.5747
5000+
￥0.54

有货

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型号：GAQY221R2S 编号：C22385176

封装：SOP-4-175mil-2.54mm

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、无弹跳和无噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

1+
￥3.48
10+
￥2.77
30+
￥2.47
100+
￥2.09
500+
￥1.93
1000+
￥1.82

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型号：KAQY214ATLD 编号：C136448

封装：SMD-4P

品牌：Cosmo(冠西)

KAQY214系列性能稳定，非常适合电信和接地故障应用。它是一款单刀单掷常开开关（1 Form A），在许多应用中可替代机电继电器。该开关采用镓铝砷（GaAlAs）发光二极管进行驱动控制，并使用集成单片管芯作为开关输出

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1+
￥4.13
10+
￥3.39
30+
￥3.02
100+
￥2.66
500+
￥2.13
1000+
￥2.01

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型号：TLP2745(TP,E 编号：C146330

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2745由高输出GaAlAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。它采用厚度最大为2.3 mm的薄型SO6L封装。

数据手册

1+
￥4.37
10+
￥3.55
30+
￥3.15
100+
￥2.74
500+
￥2.19
1500+
￥2.06

有货

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型号：MOC3083M 编号：C23552

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的分离电源三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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