ISOCOM光耦_厂家_价格_品牌_库存

HCPL4502M、HCPL4503M、HCPL2503M、6N135M、6N136M、HCPL2530M和HCPL2531M光电耦合器包含耦合高速光电检测器晶体管的AlGaAs LED。通过降低输入晶体管的基极-集电极电容，单独连接实现光电二极管偏压使速度比传统光电晶体管光电耦合器提高数个级别。 HCPL4503M不会内部连接到光电晶体管基极，有助于改善抗噪能力，内部噪声屏蔽提供一流的共模抑制性能，高达50,000V/us。

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￥6.2
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￥5.12
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￥4.59
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￥4.06
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￥2.86
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型号：TLP250H(F) 编号：C88151

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP250H 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器，由一个 GaAℓAs 红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125 °C 的温度下保证性能和规格。其内部设有法拉第屏蔽层，可保证 ±40 kV/μs 的共模瞬态抗扰度

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￥6.52
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￥5.29
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￥4.3
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￥3.33
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￥3.14

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型号：GAQY412S 编号：C7435116

封装：SOP4

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗 EMI 或 RFI。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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￥10.06
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￥8.26
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￥7.27
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型号：HCPL-063L-500E 编号：C188704

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

15MBd,5mA低输入电流,3.3V/5V数字光电耦合器

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￥13.02
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￥11.47
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型号：EL1018(TA)-VG 编号：C40574672

封装：SOP-4-2.54mm

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￥0.2923
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￥0.238
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￥0.2244
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￥0.2081

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型号：AT354B-CuH-S 编号：C20612637

封装：SOP-4

品牌：AOTE(奥特)

AT354是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装SOP4。广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、白色家电等。

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￥0.387885 ￥0.4083
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￥0.288705 ￥0.3039
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￥0.281865 ￥0.2967

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型号：EL1018 编号：C695834

封装：LSOP-4

品牌：UMW(友台半导体)

UMW101X 系列将 AlGaAs 红外发射二极管作为发射器，与采用塑料 LSOP4 封装的硅平面光电晶体管探测器进行光耦合。凭借坚固的共面双塑封结构，UMW101X 系列具备最稳定的隔离特性。

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￥0.4275
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￥0.2024
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￥0.1902

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型号：LTV-817S-TA1-B 编号：C109226

封装：SMD-4P

品牌：LITEON(光宝)

LTV817B 贴片光耦光电耦合

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￥0.4904
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￥0.4027
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￥0.2851

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型号：LTV-217-TP1-C-G 编号：C133123

封装：SOIC-4-175mil

品牌：LITEON(光宝)

特性：电流传输比（CTR）：最小值为50%，条件为IF = 5mA，VCE = 5V。高输入输出隔离电压（Viso = 3,750Vrms）。采用双传输模塑技术。安全认证：UL1577、VDE DIN EN60747-5-5（VDE 0884-5）、CSA CA5A、FIMKO。RoHS合规：器件中使用的所有材料均符合欧盟RoHS指令（No.2002/95/EC）。ESD通过HBM 8000V/MM2000V。应用：要求高密度安装的混合基板。可编程控制器

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￥0.4951
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￥0.2502

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型号：EL3H7(D)(TA)-G 编号：C142287

封装：SOIC-4-175mil

EL3H7 D级 4-pin SSOP (2mm) 光耦

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10+
￥0.5025
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￥0.3994
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￥0.3479
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￥0.2784
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￥0.2629

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型号：LTV-214-B-G 编号：C2942983

封装：SOP-4-175mil

品牌：LITEON(光宝)

特性：电流传输比（CTR）：在IF = ±1mA、VCE = 5V时，最小为20%。高输入输出隔离电压：(Viso = 3,750Vrms)。采用双传输模塑技术。应用：需要高密度安装的混合基板

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￥0.7727
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￥0.5457
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￥0.4889
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￥0.4436
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￥0.4208

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型号：MOC3083SM(UMW) 编号：C3014303

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：UMW(友台半导体)

UMW MOC308X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

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￥1.4556
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￥0.9913
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型号：ELD207(TA) 编号：C146234

封装：SO-8

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￥1.6964
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￥1.192
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￥0.8478

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型号：6N137M 编号：C2841483

封装：DIP-8

品牌：UMW(友台半导体)

UwW 6N137 光耦合器由一个 850 nm 的铝镓砷（AlGaAS）发光二极管（LED）组成，该 LED 与一个带选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门进行光耦合。此输出采用集电极开路结构，因此允许进行线或输出。在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内，可保证耦合参数

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￥1.9948
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￥1.3021
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￥0.9273
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￥0.858

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型号：MOC3081M 编号：C9215

封装：DIP-6

MOC3081M、MOC3082M和MOC3083M器件包含GaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

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￥3.41
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￥2.77
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￥2.28
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型号：ELM611(TA) 编号：C42383364

封装：SOP-5-4.4mm

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￥3.44
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型号：H11L1SR2M 编号：C20082

封装：SOP-6-2.54mm

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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￥3.44
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￥2.38
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￥1.98
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￥1.68
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型号：MOC3081SR2M 编号：C112418

封装：SOP-6-2.54mm

MOC3081M、MOC3082M和MOC3083M器件包含GaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

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1+
￥4.23
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￥3.49
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￥3.12
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￥2.76
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￥2.19

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型号：GAQY214EH 编号：C7435128

封装：SMD-4P

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

1+
￥5.26
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￥4.32
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￥3.85
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￥2.68
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￥2.54

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型号：FOD3120SD 编号：C15455

封装：SOP-8-2.54mm

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

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￥6.04
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￥4.84
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￥4.24
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￥3.29
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型号：TLP3906(TPL,E 编号：C146278

封装：SOP-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3906 是一款采用 SO6 封装的光耦合器，由一个红外发光二极管和一个光电二极管阵列通过光耦合组成。这些光电二极管串联连接，使 TLP3906 适用于 MOS 栅极驱动应用。

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￥6.36
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￥5.21
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￥4.57
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￥3.86
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￥3.54
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￥3.4

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型号：GAQY215G1EH 编号：C48606611

封装：SMD-4P

1 Form A(SPST-NO)负载电压:150V 连续负载电流:1.1A

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￥6.41
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￥5.33
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￥4.73
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￥4.06
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￥3.76
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￥3.63

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型号：GAQW216EH 编号：C7435161

封装：SMD-8P