ISOCOM光耦_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-6-300mil

由高输出红外 LED 与高增益、高速光电探测器耦合而成，采用 SO6L 封装。该产品可安装在与东芝 SDIP6 封装相同的焊盘图案上。此外，SO6L 封装的最大高度为 2.3mm，比传统 SDIP6 封装薄约 45%。其低矮的封装有助于减小系统尺寸，并且可以放置在对高度有限制的位置，如电路板背面。此外，由于该产品保证了 5kVrms（最小值）的高隔离电压，因此符合国际安全标准的加强绝缘等级。

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型号：ACPL-227-50BE 编号：C691928

封装：SO-8-4.4mm

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - 227是一款直流输入双通道半间距光电晶体管光耦合器，包含两个与两个独立光电晶体管进行光耦合的发光二极管。它采用8引脚SO封装。ACPL - 247是一款直流输入四通道半间距光电晶体管光耦合器，包含四个与四个独立光电晶体管进行光耦合的发光二极管

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型号：TLP183(GRL-TPL,E 编号：C192587

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP183是一款低输入型光电晶体管耦合器，采用SO6封装，由与铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP183保证具备高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C。

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型号：TLP719F(D4-TP,F) 编号：C2987248

封装：SOIC-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP719F由GaAAs高输出发光二极管和高速探测器组成。该器件为6引脚SDIP。TLP719F比8引脚DIP小50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求。因此，在需要安全标准认证的设备中可以减小安装面积。TLP719F在光电探测器芯片上集成了法拉第屏蔽，以提供有效的共模噪声瞬态抗扰度。因此，该产品适用于嘈杂的环境条件。

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型号：AT223-CuH-D 编号：C22390117

封装：DIP-8

品牌：AOTE(奥特)

AT223 光继电器由红外发光二极管和光电发生器、 MOSFET 组成。广泛应用于：通讯产品、调制解调器/传感、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。

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型号：SFH6286-3T 编号：C144899

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外发射二极管，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm，可堆叠。选项 6 可实现大于 8mm 的爬电距离和电气间隙。该版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高 400VRMS 或直流的工作电压的加强绝缘。

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型号：CNY65(B)-V 编号：C473828

封装：DIP-4

品牌：EVERLIGHT(亿光)

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型号：FOD2712AR2 编号：C903690

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD2711A光隔离放大器包括流行的AZ431L精密可编程分流电压基准和光耦合器。该光耦合器是一种以光学方式耦合到硅光电晶体管的砷化镓(GaAs)发光二极管。参考电压容差为1%。电流传输比(CTR)的范围为100%-200%。它主要用作隔离交流到直流电源和直流/直流转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器。使用FOD2712A时，电源设计者可减少紧密封装设计中的组件数量并节省空间。严格的容差参考使得在许多应用中都无需进行调整。该器件采用紧凑型8引脚小型封装。

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型号：TLP5772(TP,E 编号：C396037

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP5772由一个镓铝砷（GaAℓAs）红外发光二极管以及一个集成的高增益、高速光电探测器组成，采用6引脚SO6L封装。与8引脚DIP封装相比，TLP5772的尺寸缩小了50%，并符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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型号：TLP2366(TPL,E 编号：C150130

封装：SOIC-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。保证在高达125℃的温度下工作，电源电压范围为2.7V至5.5V。采用SO6封装，内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。

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型号：APW214EH 编号：C42444471

封装：SMD-8P

品牌：APSEMI(先进光)

光电继电器是可靠、技术先进的逻辑到功率接口设备。其基本功能是从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和功率之间提供隔离屏障。与机械继电器相比，光电继电器具有明显优势，包括：长寿命（机械和电气寿命无限制）、无跳变开关、更高的速度和高频开关、更高的灵敏度（更低的功耗）、抗电磁干扰或射频干扰、无电弧、无跳变和无噪声、更耐振动和冲击、可进行交流或直流负载切换、封装尺寸小。

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型号：TLP105(TPL,F) 编号：C2990748

封装：SOP-5-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个红外发光二极管与一个高增益、高速光电探测器光耦合组成。TLP105 采用 6 引脚 MFSOP 封装。TLP105 采用图腾柱输出，能够吸电流和拉电流。

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型号：APW214E 编号：C42444403

封装：DIP-8

品牌：APSEMI(先进光)

光电继电器是可靠、技术先进的逻辑到功率接口设备。其基本功能是从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和功率之间提供隔离屏障。与机械继电器相比，光电继电器具有明显优势，包括：长寿命（机械和电气寿命无限制）、无跳变开关、更高的速度和高频开关、更高的灵敏度（更低的功耗）、抗电磁干扰或射频干扰、无电弧、无跳变和无噪声、更耐振动和冲击、可进行交流或直流负载切换、封装尺寸小。

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型号：HCPL-0501-500E 编号：C6673

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带模拟应用。这些器件在IF = 16 mA时的电流传输比（CTR）最小为7%。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16 mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6 kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。这些器件在IF = 16 mA时的电流传输比（CTR）最小为19%。

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型号：PC410LENIP0F 编号：C2942110

封装：SOP-5-3.6mm

品牌：SHARP(夏普)

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型号：HCPL-0453-500E 编号：C692009

封装：SOP-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过减小基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16 mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6 kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在lF = 16 mA时，这些器件的CTR最小为19%。

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型号：HCPL-4504-000E 编号：C29225

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 4504和HCPL - 0454包含一个GaAsP LED，而HCPL - J454和HCNW4504包含一个AlGaAs LED。该LED与一个集成的高增益光电探测器进行光耦合。HCPL - 4504系列具有短传播延迟和高电流传输比（CTR）

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型号：HCPL-0454-500E 编号：C545693

封装：SOP-8

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 4504和HCPL - 0454采用GaAsP LED，而HCPL - J454和HCNW4504采用AlGaAs LED。该LED与集成高增益光电探测器进行光耦合。HCPL - 4504系列具有短传播延迟和高电流传输比（CTR）

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型号：AT222-CuH-S 编号：C22439635

封装：SMD-8P

品牌：AOTE(奥特)

AT222光电继电器由光MOSFET、光电电压发生器和红外LED组成。实现了低导通电阻，具有良好的性价比。采用8引脚封装（DIP、SMD）。广泛应用于：通讯产品、 调制解调器/传感器备、移动电话/安全设备、自动化设备、测量仪器、高速检测机。

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型号：LT211 编号：C19186145

封装：SOP-4

品牌：Letex(丽太)

LT211是一款采用4引脚SOP封装的微型1-Form A固态继电器，它采用光耦合MOSFET技术，实现输入与输出之间1500V的隔离。光耦合输入由高效的GaAlAs红外LED控制，输出端采用MOSFET。

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型号：GAQY225G3EH 编号：C53198684

封装：SMD-4P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

1 Form A(SPST-NO)负载电压: 100 V 连续负载电流: 3.0A

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型号：GAQV212GEH 编号：C7435168

封装：SMD-6P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：TLP292-4(LA-TP,E 编号：C17488870

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：EL0531 编号：C42371563

封装：SOP-8

品牌：AOTE(奥特)

EL0531双通道光电耦合器包含输入和输出间具有电气绝缘的一对发光二极管和光检测器。广泛应用于：高速逻辑接地隔离、取代脉冲变压器、模拟信号接地隔离、极性感应、隔离模拟放大器。

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型号：AQY212EH 编号：C2894775

封装：DIP-4

品牌：PANASONIC(松下)

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型号：ACPL-K43T-500E 编号：C364866

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

ACPL-K43T 是一款单通道、高温、高共模抑制比（CMR）、高速数字光耦合器，采用八引脚微型封装，专门用于汽车应用。ACPL-K44T 是 ACPL-K43T 的双通道版本。这两款产品均采用拉伸型 SO-8 封装，设计为与标准表面贴装工艺兼容

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型号：GAQY412E 编号：C7435145

封装：DIP-4

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（低功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、无弹跳、无噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：6N137-X007T 编号：C241879

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

单通道和双通道光耦合器利用高效输入 LED 与集成光电二极管 IC 探测器耦合。探测器具有开漏 NMOS 晶体管输出，与集电极开路肖特基钳位晶体管输出相比，泄漏更少。单通道类型在引脚 7 上有使能功能，允许对探测器进行选通。内部屏蔽为部分型号提供了 5kV/μs 或 15kV/μs 的共模瞬态抗扰度。建议在引脚 5 和 8 之间连接一个 0.1μF 的旁路电容。

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型号：HCPL-2631-000E 编号：C545700

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了GaAsP发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器IC的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可确保在Vcm = 1000V时，共模瞬态抗扰度规格高达15,000V/μs。这种独特的设计在实现TTL兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40℃至 +85℃范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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型号：ISOM8116DFHRQ1 编号：C43317184

封装：SOIC-4

品牌：TI(德州仪器)

ISOM811x-Q1 器件是具有 LED 仿真器输入和晶体管输出的单通道光耦仿真器，也是许多传统光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版器件，无需重新设计 PCB 即可增强现有系统。与光耦合器相比，ISOM811x-Q1 光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势，包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的 CTR 和严格的过程控制，从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应或温度变化，因此仿真 LED 输入级的功耗比光耦合器低。

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