ISOCOM光耦_厂家_价格_品牌_库存

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装。由于比DIP封装小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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型号：HT-6N137-S1TA1 编号：C34376259

封装：SMD-8P

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

高速光耦，可满足各式各样的工业控制板需求，包括高速逻辑接地隔离、电源相关、电表、通讯设备、 UPS、太阳能等应用。输入电压类型：DC, 正向压降Max:1.5V;DTR:10Mbps，CMRS1000V/us，隔离电压：5KV.

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型号：TLP2301(V4-TPL,E) 编号：C3003191

封装：SOP-4

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型号：H11L1S-JSM 编号：C22376095

封装：SOP-6-6.5mm-2.54mm

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

输出探测器包含施密特触发器，为噪声免疫和脉冲整形提供了滞后效应。

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型号：TLP292(BL-TPL,E 编号：C17569086

封装：SOIC-4-4.55mm

TLP292 是一款高隔离、交流低输入型光电耦合器，采用 SO4 封装，由光电晶体管与两个反并联红外发光二极管进行光耦合组成。由于 TLP292 保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围 Ta = -55 至 125 °C，因此适用于小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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型号：TLP5701W-AXW 编号：C42432183

封装：LSOP-6

品牌：ISOMICRON(安芯微半导体)

IGBT栅极驱动光耦，峰值电流1.5A，隔离电压(rms): 5KV，LSOP6，窄体

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型号：CA-IS3211VCJ 编号：C7422522

封装：SOIC-6-300mil

品牌：Chipanalog(川土微)

这是一系列单通道、光兼容的隔离式栅极驱动器，能够吸收6A电流并提供5A电流。这些器件可采用双电源或单电源供电，VCC - VEE的宽电压范围为10V至30V（8V欠压锁定版本）或14V至30V（12V欠压锁定版本），非常适合在各种逆变器、电机控制或隔离式电源系统中驱动功率MOSFET、IGBT或碳化硅（SiC）晶体管。该驱动器可配置为低端和高端驱动器

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型号：VO618A-3X017T 编号：C143748

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

110℃额定的VO618A具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器具有一个GaAs红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料DIP-4封装中。这些耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

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型号：LTV-847 编号：C10794

封装：DIP-16

品牌：LITEON(光宝)

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型号：HMHA2801R2 编号：C457670

封装：SOIC-4-175mil

HMHA281 和 HMHA2801 系列器件在紧凑型 4 引脚微型扁平封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。引线间距为 1.27 mm。

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型号：TLP265J(TPR,E 编号：C2844516

封装：SO-4-4.6mm

TLP265J 由一个非零交叉光三端双向可控硅开关元件组成，并通过光耦合器连接到一个红外 LED。TLP265J 采用SO6 封装，保证爬电距离最小为 5.0 毫米，电气间隙最小为 5.0 毫米，绝缘厚度最小为 0.4 毫米。

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型号：ACPL-827-00CE 编号：C445976

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是一款直流输入双通道、全间距光电晶体管光耦合器，包含两个发光二极管，它们与两个独立的晶体管进行光耦合。采用8引脚双列直插式封装。同样，是一款直流输入四通道、全间距光电晶体管光耦合器，包含四个发光二极管，它们与四个独立的晶体管进行光耦合。采用16引脚双列直插式封装。两款光耦合器都提供宽引脚间距选项和引脚弯曲的表面贴装器件（SMD）选项，输入-输出隔离电压为5000Vrms。响应时间tr通常为4μs，在输入电流为5mA时，最小电流传输比（CTR）为50%。

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型号：ATM601-CuH-S 编号：C20612633

封装：S0P-5

品牌：AOTE(奥特)

ATM601内部有一个 850nm 的 AlGaAS LED，其光学耦合到具有选通输出的超高速集成光电检测器。这些器件采用 5 引脚外形封装，符合标准封装外形。广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等

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型号：ICPL-314W-500EAXW 编号：C42432173

封装：LSOP-6

品牌：ISOMICRON(安芯微半导体)

IGBT栅极驱动光耦，峰值电流1A，隔离电压(rms): 5KV，LSOP6，宽体

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型号：TLP291(Y-TP,SE 编号：C5156505

封装：SO-4-175mil

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用SO4封装，是非常小且薄的耦合器。保证了较宽的工作温度范围（-55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于如小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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型号：HCPL-2601-000E(UMW) 编号：C53109714

封装：DIP-8

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型号：TCLD1000 编号：C3097770

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

TCLD1000由一个达林顿光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用4引脚SO6L封装。

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型号：TLP620(GB,F) 编号：C96252

封装：DIP-4

TLP620, -2 和 -1 由一个光电晶体管与两个反向并联的砷化镓红外发光二极管光耦合组成。TLP620-2 在八引脚塑料 DIP 中提供两个隔离通道，而 TLP620-4 在十六引脚塑料 DIP 中提供四个隔离通道。

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型号：4N32M 编号：C110941

封装：DIP-6

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器，光耦合至一个硅平面达林顿放大器。

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型号：MOC3021SR2M 编号：C68654

封装：SMD-6P

MOC301XM 和 MOC302XM 系列为光隔离三端双向可控硅元件驱动器器件。此类器件包含 GaAs 红外发光二极管和光激活硅双向开关，其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适用于电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口，可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。

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型号：AT212-CuH-D 编号：C22384607

封装：DIP-4

品牌：AOTE(奥特)

AT212光电继电器由光MOSFET、光电电压发生器和红外LED组成。实现了低导通电阻，具有良好的性价比。采用4引脚封装（DIP、SMD、DIP-M、SLM）。广泛应用于：通讯产品、 调制解调器/传感器备、移动电话/安全设备、自动化设备、测量仪器、高速检测机。

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型号：ACPL-P314(AT) 编号：C41415694

封装：SOP-6-P

品牌：AOTE(奥特)

ACPL-P314(AT)是一种输出电流为0.6A的栅极驱动光电耦合器，具有一个镓砷磷化合物( GaAsP ) 的发光二极管，通过红外光耦合到光敏集成电路。广泛应用于：开关电源、IGBT/MOSFET 栅极驱动器、交流和无刷直流电机驱动器、可再生能源逆变器、工业逆变器。

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型号：MOC207R2M 编号：C274700

封装：SO-8

这些器件由砷化镓红外线发光二极管组成，二极管以光学方式耦合到单片硅光电晶体管检测器上，采用可表面帖装的小型塑料封装。它们非常适合高密度应用，并且无需通过电路板安装。

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型号：FOD3120S(UMW) 编号：C53109751

封装：SOP-8

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型号：CA-IS3211VBG 编号：C7422540

封装：SOIC-8-300mil

品牌：Chipanalog(川土微)

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型号：FOD3150S(UMW) 编号：C53109753

封装：SOP-8

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型号：ISOM8710DFFR 编号：C22427584

封装：SOIC-5

品牌：TI(德州仪器)

器件是具有二极管仿真器输入和数字输出的单通道光耦仿真器，是许多传统光耦合器的引脚兼容、可直接替换器件，无需重新设计PCB即可增强业界通用封装。这些器件可实现高达25Mbps的传输数据速率，并可通过两个逻辑输出选项输出3.3V和5V信号：CMOS兼容输出和集电极开路输出。与光耦合器相比，光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势，包括高共模瞬态抗扰度（CMTI）、低传播延迟、小脉宽失真（PWD）、低功耗、更宽的温度范围以及严格的过程控制，从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应，因此仿真二极管输入级的功耗比光耦合器低

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￥3.85
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￥2.91
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￥2.49
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型号：TLP350(UMW) 编号：C53109744

封装：SOP-8