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封装：WDFN-6(2x2)

是一款低噪声、低功耗和低压差线性稳压器。凭借其出色的噪声和电源抑制比 (PSRR) 规格，该器件非常适合用于使用射频接收器、成像传感器、音频处理器或任何需要极其干净电源的组件的产品。采用创新的自适应接地电流电路，以确保在轻载条件下实现超低接地电流。

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型号：NCV20091SQ3T2G 编号：C603871

封装：SC-70-5

品牌：onsemi(安森美)

NCS2009 系列运算放大器采用轨对轨输入和输出运行，带宽 350 kHz，提供单路、双路和四路配置。轨对轨运行让设计人员能够充分利用整个电源电压范围，同时利用 350 kHz 带宽。NCS2009 电源电压运行范围为 1.8 至 5.5 V，温度范围为 ?40 至 125°C。在 1.8 V 电源电压下，此器件的摆率为 0.15 V/?s，而每个沟道仅消耗 20 ?A 的静态电流。因为这是一款 CMOS 器件，所以其高输入阻抗和低偏置电流使其适用于连接多种信号传感器。NCS2009 采用各种紧凑型封装。

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型号：NCV20084DTBR2G 编号：C2902144

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

NCS20081/2/4 是一系列单通道、双通道和四通道运算放大器（Op Amp），每通道单位增益带宽积（GBWP）为 1.2 MHz，每路运算放大器的静态电流仅为 42 μA。NCS2008x 的输入失调电压为 4 mV，工作电源电压范围为 1.8 V 至 5.5 V，工作温度范围为 -40℃ 至 +125℃。轨到轨输入/输出操作允许在利用 1.2 MHz 单位增益带宽积的同时使用整个电源电压范围。因此，该系列产品的性能优于许多行业标准产品。这些器件符合 AEC - Q100 标准，以 NCV 前缀表示。NCS2008x 采用节省空间的封装，具有低电流消耗和低电源电压性能，非常适合汽车、消费和工业市场中的传感器信号调理和低电压电流检测应用。

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型号：KA2904 编号：C188663

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

KA258系列由两个独立的、高增益、内部频率补偿的运算放大器组成，这些放大器专为在宽电压范围内使用单电源供电而设计。也可以使用双电源供电，且低电源电流消耗与电源电压的大小无关。应用领域包括传感器放大器、直流增益模块，以及所有传统的运算放大器电路，这些电路现在可以在单电源系统中轻松实现

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型号：NCV20072DTBR2G 编号：C904584

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

提供轨到轨输出操作，3MHz带宽，有单通道、双通道和四通道配置。轨到轨操作使用户能够充分利用整个电源电压范围，同时利用3MHz带宽。可在低至2.7V的电源电压下工作，工作温度范围为 -40°C至125°C。在2.7V电源下，高带宽提供2.8V/μs的压摆率，而每通道仅消耗405μA的静态电流。宽电源范围允许其在高达36V的电源电压下运行，适用于广泛的应用。由于这是一款CMOS器件，高输入阻抗和低偏置电流使其非常适合与各种信号传感器接口。器件有多种紧凑型封装可供选择。带有NCV前缀的产品适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用。

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型号：NCV4254CPDAJR2G 编号：C904613

封装：SOIC-8-EP

品牌：onsemi(安森美)

NCV4254C 是一款单片集成式低漏跟踪稳压器，适用于紧密跟踪参比输入电压的可调缓冲输出电压。该输出可高达 70 mA，同时能够配置为高于、低于或等于参比电压。该零部件可用于带远程传感器的汽车应用，或需要隔离其他稳压器输出的场合。需要现有稳压器无法提供的更高电流时，NCV4254C 还能让用户快速升级模块。

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型号：NCV8703MX33TCG 编号：C604080

封装：XDFN-6(1.5x1.5)

品牌：onsemi(安森美)

NCV8703是一款低噪声、低功耗、低压差线性稳压器。凭借其出色的噪声和电源抑制比（PSRR）指标，该器件非常适合用于采用射频（RF）接收器、图像传感器、音频处理器的产品，或任何需要极其纯净电源的组件。NCV8703采用了创新的自适应接地电流电路，以确保在轻载条件下实现超低接地电流

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型号：NCV4254CDSTR2G 编号：C603917

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV4254C 是一款单片集成式低漏跟踪稳压器，适用于紧密跟踪参比输入电压的可调缓冲输出电压。该输出可高达 70 mA，同时能够配置为高于、低于或等于参比电压。该零部件可用于带远程传感器的汽车应用，或需要隔离其他稳压器输出的场合。需要现有稳压器无法提供的更高电流时，NCV4254C 还能让用户快速升级模块。

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型号：NCV4254CPDSTR2G 编号：C603918

封装：SOIC-8-EP

品牌：onsemi(安森美)

NCV4254C 是一款单片集成式低漏跟踪稳压器，适用于紧密跟踪参比输入电压的可调缓冲输出电压。该输出可高达 70 mA，同时能够配置为高于、低于或等于参比电压。该零部件可用于带远程传感器的汽车应用，或需要隔离其他稳压器输出的场合。需要现有稳压器无法提供的更高电流时，NCV4254C 还能让用户快速升级模块。

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型号：AP0202AT2L00XPGA0-DR 编号：C603151

封装：VFBGA-100

品牌：onsemi(安森美)

AP0202AT是一款图像信号处理器，支持高达2兆像素传感器。它提供并行和OpenLDI输出接口。该协处理器与ON Semiconductor的AR0230AT, AR0132AT, AR0140AT和AR0136AT HDR汽车传感器配合使用，非常适合数字环绕视图摄像头。

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型号：NCV8184DR2G 编号：C150044

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

是一款单片集成低压差跟踪稳压器，可提供可调缓冲输出电压，紧密跟踪参考输入（±3.0mV）。可用于带远程传感器的汽车应用，或任何需要隔离稳压器输出的场景。还能在需要增加电流而现有稳压器无法提供时，对模块进行快速升级。此外，该器件还可作为高端驱动器使用。

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型号：NCS20071XV53T2G 编号：C5209282

封装：SOT-553

品牌：onsemi(安森美)

提供轨到轨输出操作，3MHz带宽，有单通道、双通道和四通道配置。轨到轨操作使用户能够充分利用整个电源电压范围，同时利用3MHz带宽。可在低至2.7V的电源电压下工作，温度范围为-40℃至125℃。在2.7V电源下，高带宽提供2.8V/μs的压摆率，每通道仅消耗405μA的静态电流。宽电源范围允许其在高达36V的电源电压下运行，适用于广泛的应用。由于是CMOS器件，高输入阻抗和低偏置电流使其适合与各种信号传感器接口。有多种紧凑型封装可供选择。

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型号：NCS20061SQ3T2G 编号：C892867

封装：SC-70-5

品牌：onsemi(安森美)

是单通道、双通道和四通道运算放大器系列，增益带宽积为 3MHz，每个运算放大器的静态电流仅为 125μA。输入失调电压为 4mV，工作电源电压范围为 1.8V 至 5.5V，工作温度范围为 -40℃ 至 125℃。轨到轨输入/输出操作允许使用整个电源电压范围，同时利用 3MHz 的增益带宽积。因此，该系列在许多行业标准产品中具有卓越的性能。带有 NCV 前缀的器件适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用，符合 AEC-Q100 标准且具备 PPAP 能力。低电流消耗和低电源电压性能，采用节省空间的封装，非常适合汽车、消费和工业市场中的传感器信号调理和低电压电流检测应用。

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型号：UAA2016PG 编号：C897236

封装：PDIP-8

品牌：onsemi(安森美)

UAA2016 使用零电压技术驱动三端双向可控硅元件，因此可实现电阻负载的无 RFI 功率调节。直接基于交流电源线运行，其主要应用为电子加热系统的精密调节，如板式加热器或烙铁。内置的数字锯齿波形允许在设置点的 +/-1°C 范围内进行比例温度调节操作。为了节能，有一个可编程温度降低功能，为了实现安全性，传感器故障安全将在传感器链接断开时抑制输出脉冲。也可用于预设温度（如除霜）应用。在需要高迟滞的应用中，其值可调整为设置点上下最大 5°C。所有这些功能均使用极少的外部组件实施。

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型号：NCP81295MNTXG 编号：C904554

封装：LQFN-32

品牌：onsemi(安森美)

是电子可复位的串联保险丝，适用于12V大电流应用，如服务器、存储和基站。提供极低的0.65 mΩ集成MOSFET，以减小解决方案尺寸并最小化功率损耗。还集成了高精度电流传感器，用于监控和过载保护。

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型号：MICROFC-10035-SMT-TR 编号：C891563

封装：SMD

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 C 系列硅光电倍增 (SiPM) 传感器具有行业领先的 30 kHz/mm2 低暗计数率，以及卓越的 ±250 mV 击穿电压均匀性。高光子探测效率 (PDE) 使用大容量 CMOS 工艺延伸到了光谱蓝色部分。 C 系列传感器提供 1 mm、3 mm 和 6 mm 尺寸以及多种微单元尺寸。此类器件封装在可平铺成型引线框架 (MLP) 封装内，可兼容行业标准、无引线、回流焊接工艺。C 系列还具有独特的快速输出，适用于快速计时应用。

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型号：SZESD9R3.3ST5G 编号：C896571

封装：SOD-923

品牌：onsemi(安森美)

ESD9R旨在为用于超低电流应用（如人体传感器）的专用标准产品（ASSP）和专用集成电路（ASIC）提供静电放电（ESD）保护。这些器件在关闭状态下，从0℃到50℃的泄漏电流设计为低于1 nA。在ESD事件期间，这些器件会开启，将ESD钳位到对集成电路（IC）安全的电压水平。这些器件还具有高速数据线所需的低电容特性，以及适用于空间受限设计的小封装尺寸优势。

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型号：TLV272DMR2G 编号：C895204

封装：MSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

运算放大器提供轨到轨输出操作。输出可以在距正轨320mV和距负轨50mV范围内摆动。这种轨到轨操作使用户能够充分利用整个电源电压范围，同时利用3MHz带宽。运算放大器可在低至2.7V的电源电压下工作，温度范围为-40℃至125℃。高带宽提供2.4V/μs的压摆率，同时仅消耗550μA的静态电流。同样，运算放大器可以在高达16V（单电源）和36V（双电源或四电源）的电源电压下运行，使其非常适合广泛的电池供电应用。由于这是一款CMOS器件，它具有高输入阻抗和低偏置电流，使其非常适合与各种信号传感器接口。此外，它有多种紧凑封装和不同引脚排列样式，可用于高密度PCB。

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型号：TLV271SN2T1G 编号：C464137

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

TLV271 运算放大器提供轨对轨输出运行。输出可在正电源轨的 320 mV 内摆动，在负电源轨的 50 mV 内摆动。该轨对轨运行让用户能够充分利用整个电源电压范围，同时利用 3 MHz 带宽。TLV271 可以在负 40 至正 105 摄氏度的温度范围内以低至 2.7 V 的电源电压运行。高带宽提供了 2.4 V/?s 的摆率，而仅消耗了 550uA 的静态电流。同样，TLV271 可以在高达 16 V 的电源电压下运行，因此非常适用于各种电池供电的应用。因为这是一款 CMOS 器件，其具有高输入阻抗和低偏置电流，因此非常适用于连接多种信号传感器。此外，它采用小型 TSOP5 封装，具有两种引脚排列样式，可用于高密度 PCB。

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型号：NCS20082DR2G 编号：C904562

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCS20081/2/4 系列包含单路、双路和四路运算放大器 (Op Amps)，增益带宽积 (GBWP) 为 1.2 MHz，每个运算放大器的静态电流仅为 42 A。NCS2008x 的输入失调电压为 4 mV，工作电压为 1.8 V 至 5.5 V，工作温度范围宽（−40°C 至 +125°C）。轨到轨输入/输出操作允许使用整个电源电压范围，同时充分利用 1.2 MHz 的 GBWP。因此，该系列的性能优于许多行业标准器件。这些器件符合 AEC-Q100 标准，并以 NCV 为前缀。NCS2008x 的低电流消耗和低电源电压性能采用节省空间的封装，使其成为汽车、消费电子和工业市场中传感器信号调理和低压电流传感应用的理想选择。

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型号：NCV8184PDR2G 编号：C904678

封装：SOIC-8-EP

品牌：onsemi(安森美)

是一款单片集成低压差跟踪稳压器，可提供一个可调的缓冲输出电压，该电压可紧密跟踪（±3.0mV）参考输入。可用于带远程传感器的汽车应用，或任何需要隔离稳压器输出的情况。还可让用户在需要增加电流而现有稳压器无法提供时，对其模块进行快速升级。此外，该器件还可作为高端驱动器使用。

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型号：NCP81292MNTXG 编号：C2902227

封装：QFN-32(5x5)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81292是一款50 A、可电子复位的串联保险丝，适用于12 V大电流应用，如服务器、存储设备和基站。NCP81292采用极低导通电阻（0.65 mΩ）的集成MOSFET，可减小方案尺寸并降低功耗。它还集成了高精度电流传感器，用于监测和过载保护。

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型号：CS8190EDWFR20G 编号：C899110

封装：SO-20-300mil

品牌：onsemi(安森美)

CS8190 特别适用于空气芯仪表移动。该集成电路提供了模拟转速表或速度计所需的所有功能。CS8190 采用速度传感器输入，并生成正弦和余弦相关输出信号，以差分驱动空气芯仪表。基于 CS289 或 LM1819 等行业标准转速表驱动器增加了很多增强功能。该输出使用差分驱动器，无需齐纳参比，提供更高转矩。该器件可耐受 60V 瞬变电压，减少了所需保护电路要求。该器件还比现有器件更精密，可实现更少的辅助器件，适用于速度计。

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型号：NCH-RSL15-512-101WC40-ABG 编号：C28173662

封装：WLCSP-40(2.3x2.5)

品牌：onsemi(安森美)

是一款基于超低功耗安全的Arm Cortex-M33处理器的蓝牙低功耗5.2无线微控制器，专为工业和医疗应用中的连接智能设备而设计。全面且易于使用的软件开发工具包（SDK）提供了示例应用程序，展示了硬件功能，可通过网络安全平台实现安全功能，在智能感知模式下获取传感器数据，配置内置电源管理并利用蓝牙低功耗特性。

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型号：MICROFJ-30035-TSV-TR 编号：C891567

封装：WBGA-8

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 J 系列硅光电倍增传感器 (SiPM) 针对高性能计时应用进行了优化，如 ToF-PET（飞行时间正电子发射层析成像）。由于提高了微单元密度，J 系列传感器可以实现 50% 的光电检测效率 (PDE)，灵敏度可扩展到紫外线。该系列具有行业领先的低低暗计数率 50 kHz/mm2，并且因为此类传感器是使用大容量 CMOS 硅工艺生产的，所以它们具有 ±250 mV 的卓越中断电压一致性。 J 系列提供在 TSV 芯片级封装中封装的 3 mm、4 mm 和 6 mm 尺寸，符合行业标准的无铅回流焊接工艺。J 系列还具有安森美半导体独特的快速输出，适用于快速计时功能。

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型号：NCV20061SN2T1G 编号：C892897

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

是单通道、双通道和四通道运算放大器系列，增益带宽积 (GBWP) 为 3MHz，每个运算放大器的静态电流仅为 125μA。输入失调电压为 4mV，工作电源电压范围为 1.8V 至 5.5V，工作温度范围为 -40°C 至 125°C。轨到轨输入/输出操作允许使用整个电源电压范围，同时利用 3MHz 的 GBWP。在节省空间的封装中具有低电流消耗和低电源电压性能，适用于汽车、消费和工业市场中的传感器信号调理和低电压电流检测应用。

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型号：NCV20091SN2T1G 编号：C603870

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

NCS2009 系列运算放大器采用轨对轨输入和输出运行，带宽 350 kHz，提供单路、双路和四路配置。轨对轨运行让设计人员能够充分利用整个电源电压范围，同时利用 350 kHz 带宽。NCS2009 电源电压运行范围为 1.8 至 5.5 V，温度范围为 ?40 至 125°C。在 1.8 V 电源电压下，此器件的摆率为 0.15 V/?s，而每个沟道仅消耗 20 ?A 的静态电流。因为这是一款 CMOS 器件，所以其高输入阻抗和低偏置电流使其适用于连接多种信号传感器。NCS2009 采用各种紧凑型封装。

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型号：NCV20071XV53T2G 编号：C5209283

封装：SOT-553

品牌：onsemi(安森美)

提供轨到轨输出操作，3MHz带宽，有单通道、双通道和四通道配置。轨到轨操作使用户能够充分利用整个电源电压范围，同时利用3MHz带宽。可在低至2.7V的电源电压下工作，温度范围为-40℃至125℃。在2.7V电源下，高带宽提供2.8V/μs的压摆率，每通道仅消耗405μA的静态电流。宽电源范围允许其在高达36V的电源电压下运行，适用于广泛的应用。由于是CMOS器件，高输入阻抗和低偏置电流使其适合与各种信号传感器接口。有多种紧凑型封装可供选择。

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型号：NCS2004MUTAG 编号：C892865

封装：VTDFN-6-EP(1.6x1.6)

品牌：onsemi(安森美)

提供轨到轨输出操作，输出可在距正电源轨70mV和距负电源轨30mV范围内摆动。这种轨到轨操作使用户能够充分利用整个电源电压范围，同时利用3.5MHz带宽。可在低至2.5V的电源电压下工作，工作温度范围为 -40°C至125°C。高带宽提供2.4V/μs的压摆率，同时仅消耗典型值为390μA的静态电流。也可在高达16V的电源电压下运行，适用于广泛的电池供电应用。作为CMOS器件，具有高输入阻抗和低偏置电流，适合与各种信号传感器接口。此外，它采用小型SC-88A或UDFN封装，可用于高密度PCB。

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型号：NCS20162DR2G 编号：C40205570

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

提供 8MHz 增益带宽积，每通道静态电流消耗为 500μA。输入失调电压为 0.3mV，工作电源电压范围从 1.8V 至 5.5V，工作温度范围为 -40°C 至 125°C。轨到轨输入和输出操作允许使用整个电源电压范围。低电流消耗和低电源电压操作，适用于传感器信号调理和低电压电流检测应用。

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