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200nm~900nm 24.7V

型号：MICROFJ-60035-TSV-TR 编号：C603295

封装：WBGA-36

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 J 系列硅光电倍增传感器 (SiPM) 针对高性能计时应用进行了优化，如 ToF-PET（飞行时间正电子发射层析成像）。由于提高了微单元密度，J 系列传感器可以实现 50% 的光电检测效率 (PDE)，灵敏度可扩展到紫外线。该系列具有行业领先的低低暗计数率 50 kHz/mm2，并且因为此类传感器是使用大容量 CMOS 硅工艺生产的，所以它们具有 ±250 mV 的卓越中断电压一致性。 J 系列提供在 TSV 芯片级封装中封装的 3 mm、4 mm 和 6 mm 尺寸，符合行业标准的无铅回流焊接工艺。J 系列还具有安森美半导体独特的快速输出，适用于快速计时功能。

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1+
￥213.43
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￥203.36

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ESD 3.3V截止

型号：ESD9R3.3ST5G 编号：C233388

封装：SOD-923

品牌：onsemi(安森美)

ESD9R旨在为用于超低电流应用（如人体传感器）的专用标准产品（ASSP）和专用集成电路（ASIC）提供静电放电（ESD）保护。这些器件在关闭状态下，从0℃到50℃的泄漏电流低于1 nA。在ESD事件期间，这些器件会开启，将ESD钳位到集成电路（IC）的安全电压水平。这些器件还具有高速数据线低电容和小封装尺寸的优势，适用于空间受限的设计。

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￥2.0297
50+
￥1.6162
150+
￥1.4389
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￥0.9546
2500+
￥0.8561
5000+
￥0.797

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9V~28V

型号：NCP1336BDR2G 编号：C457724

封装：SOIC-13

品牌：onsemi(安森美)

NCP1336 包含了一个高性能电路，旨在为准谐振转换器供电。该控制器基于专属的谷锁闭系统，可以在功率负载变轻时进行切换并降低开关频率。这样将产生稳定的运行，即使在漏极-源极谷中总是发生的开关事件下也是如此。此系统可在低至第 4 个谷的条件下运行，并在之后切换到变频模式，确保卓越的待机功率性能。该控制器发挥了高电压启动电流源的优点，可提供快速无损耗通电序列。为了提高过载条件下的安全性，该控制器包括了过功率保护电路，可对高电平线路处提供的电源进行箝制。具有安全功能的可调计时器依赖反馈电压来检测故障。在版本 B 上，此故障将在 VCC 引脚上触发一个三间歇，自然会降低转换器接收的平均输入功率。在版本 A 上，检测到故障时，控制器则会锁存关断。该控制器具有两个锁存输入，尤其适用于适配器应用：一个专门用于超温保护 (OTP)，提供了一个用于联接 NTC 等下拉温度传感器的简单方式，另一个更为传统，可用于执行准确的过电压保护。最后，还包含了一个欠电压引脚，可在发生低电源情况时停止电路运行。

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1+
￥4.85
10+
￥3.66
30+
￥3.07
100+
￥2.48
500+
￥1.96
1000+
￥1.77

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CAT9555 16位I2C和SMBus I/O端口带中断

型号：CAT9555YI-T2 编号：C83265

封装：TSSOP-24

品牌：onsemi(安森美)

提供16位并行输入/输出端口扩展，兼容I2C和SMBus。适用于传感器、电源开关、LED、按钮和风扇等应用。

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1+
￥7.92
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￥6.4
30+
￥5.64
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￥4.88
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￥3.99
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￥3.76

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无刷直流BLDC电机驱动芯片 30V

型号：MC33035DWR2G 编号：C424244

封装：SOIC-24-300mil

品牌：onsemi(安森美)

MC33035 是一款高性能的第二代单片无刷直流电机控制器，包含了实施全功能开环、三相或四相电机控制系统所需的所有有效功能。该器件包括用于正确换向顺序的转子位置解码器、能够为传感器供电的温度补偿参考、频率可编程的锯齿波振荡器、三个开路收集器顶部驱动器，以及三个高电流图腾柱底部驱动器，适用于驱动功率 MOSFET。还包含了保护功能，有欠压锁定、按周期电流限制且带有可选择时间延迟的关断模式、内部高温关断以及可以接口到微处理器控制系统中的独特故障输出。典型的电机控制功能包括开环速度、前向或反向、运行启用和动态制动。MC33035 用于运行电子传感器相位为 60°/300° 或 120°/240° 的无刷电机，还可高效控制电刷直流电机。

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1+
￥22.42
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￥19.46
30+
￥15.18
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￥13.4
500+
￥12.58
1000+
￥12.21

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300nm~950nm 24.7V

型号：MICROFC-60035-SMT-TR 编号：C603293

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 C 系列硅光电倍增 (SiPM) 传感器具有行业领先的 30 kHz/mm2 低暗计数率，以及卓越的 ±250 mV 击穿电压均匀性。高光子探测效率 (PDE) 使用大容量 CMOS 工艺延伸到了光谱蓝色部分。 C 系列传感器提供 1 mm、3 mm 和 6 mm 尺寸以及多种微单元尺寸。此类器件封装在可平铺成型引线框架 (MLP) 封装内，可兼容行业标准、无引线、回流焊接工艺。C 系列还具有独特的快速输出，适用于快速计时应用。

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1+
￥194.38
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NCS20074DTBR2G

型号：NCS20074DTBR2G 编号：C411221

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

该系列运算放大器提供轨到轨输出操作，3MHz带宽，有单通道、双通道和四通道配置。轨到轨操作使用户能够充分利用整个电源电压范围，同时利用3MHz带宽。该系列可在低至2.7V的电源电压下工作，温度范围为 -40℃至125℃。在2.7V电源下，高带宽提供2.8V/μs的压摆率，而每通道仅消耗405μA的静态电流。宽电源范围允许该系列在高达36V的电源电压下运行，使其适用于广泛的应用。由于这是一款CMOS器件，高输入阻抗和低偏置电流使其非常适合与各种信号传感器接口。该系列器件有多种紧凑型封装可供选择。带有NCV前缀的产品适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用。

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5+
￥3.1919
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￥2.5167
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￥2.2273

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3 MHz、125 μA 低功耗运算放大器

型号：NCS20061SN2T1G 编号：C603827

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

是单通道、双通道和四通道运算放大器系列，具有 3 MHz 的增益带宽积，每个运算放大器仅消耗 125 μA 的静态电流。输入失调电压为 4 mV，工作电源电压范围为 1.8 V 至 5.5 V，工作温度范围广，为 -40℃ 至 125℃。轨到轨输入/输出操作允许使用整个电源电压范围，同时利用 3 MHz 的增益带宽积。低电流消耗和低电源电压性能，采用节省空间的封装，适用于汽车、消费和工业市场中的传感器信号调理和低电压电流检测应用。

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￥1.32
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￥1.29
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￥1.27
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800mV~5.5V 500mA 5.5V

型号：NCV8705MTADJTCG 编号：C604085

封装：WDFN-6-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

是低噪声、低功耗和低压差线性稳压器。凭借出色的噪声和PSRR规格，该器件非常适合用于使用RF接收器、成像传感器、音频处理器或任何需要极其干净电源的组件的产品。采用创新的自适应接地电流电路，可确保在轻载条件下实现超低接地电流。

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1+
￥3.65
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￥2.83
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3.3V 500mA 5.5V

型号：NCV8705MT33TCG 编号：C604084

封装：WDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

是一款低噪声、低功耗和低压差线性稳压器。凭借其出色的噪声和电源抑制比 (PSRR) 规格，该器件非常适合用于使用射频接收器、成像传感器、音频处理器或任何需要极其干净电源的组件的产品。采用创新的自适应接地电流电路，以确保在轻载条件下实现超低接地电流。

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￥2.2113
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轨到轨输出，3 MHz带宽运算放大器

型号：NCV20071SN2T1G 编号：C603866

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

提供轨到轨输出操作，3MHz带宽，有单通道、双通道和四通道配置。轨到轨操作使用户能够充分利用整个电源电压范围，同时利用3MHz带宽。可在低至2.7V的电源电压下工作，温度范围为 -40℃至125℃。在2.7V电源下，高带宽提供2.8V/μs的压摆率，每通道仅消耗405μA的静态电流。宽电源范围允许其在高达36V的电源电压下运行，适用于广泛的应用。由于这是一款CMOS器件，高输入阻抗和低偏置电流使其非常适合与各种信号传感器接口。有多种紧凑型封装可供选择。带有NCV前缀的产品适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。

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1+
￥3.55
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￥2.94
30+
￥2.67
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￥2.35

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KNX双绞线网络收发器

型号：NCN5121MNTWG 编号：C891972

封装：QFN-40-EP(6x6)

品牌：onsemi(安森美)

适用于KNX双绞线网络的收发器IC，支持楼宇网络中的执行器、传感器、微控制器、开关等应用。

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￥36.24
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￥31.14
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ADT7473ARQZ-1RL

型号：ADT7473ARQZ-1RL 编号：C903440

封装：QSOP-16-150mil

品牌：onsemi(安森美)

ADT7473/ADT7473-1 控制器是一个热监控器和多个 PWM 风扇控制器，用于需要主动系统冷却的噪声敏感或功率敏感型应用。 ADT7473/ADT7473-1 可以使用低频率或高频率驱动信号驱动风扇，监控最多两个远程传感器二极管的温度及其自身内部温度，还可以测量和控制最多四个风扇的速度以便它们以可能的最低速度运行，实现最低噪声。

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1+
￥18.96
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￥18.52
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￥18.23

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轨到轨输出，3 MHz带宽运算放大器

型号：NCV20072DTBR2G 编号：C904584

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

提供轨到轨输出操作，3MHz带宽，有单通道、双通道和四通道配置。轨到轨操作使用户能够充分利用整个电源电压范围，同时利用3MHz带宽。可在低至2.7V的电源电压下工作，工作温度范围为 -40°C至125°C。在2.7V电源下，高带宽提供2.8V/μs的压摆率，而每通道仅消耗405μA的静态电流。宽电源范围允许其在高达36V的电源电压下运行，适用于广泛的应用。由于这是一款CMOS器件，高输入阻抗和低偏置电流使其非常适合与各种信号传感器接口。器件有多种紧凑型封装可供选择。带有NCV前缀的产品适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用。

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￥2.92
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￥2.85
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￥2.8
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￥2.75

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轨到轨输出，3 MHz带宽运算放大器

型号：NCV20072DMR2G 编号：C603867

封装：MSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

提供轨到轨输出操作，3MHz带宽，有单通道、双通道和四通道配置。轨到轨操作使用户能够充分利用整个电源电压范围，同时利用3MHz带宽。可在低至2.7V的电源电压下，在-40℃至125℃的温度范围内工作。在2.7V电源下，高带宽提供2.8V/μs的压摆率，而每通道仅消耗405μA的静态电流。宽电源范围允许其在高达36V的电源电压下运行，适用于广泛的应用。由于这是一款CMOS器件，高输入阻抗和低偏置电流使其适合与各种信号传感器接口。有多种紧凑型封装可供选择。带有NCV前缀的产品适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用。

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￥7.29
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UAA2016PG

型号：UAA2016PG 编号：C897236

封装：PDIP-8

品牌：onsemi(安森美)

UAA2016 使用零电压技术驱动三端双向可控硅元件，因此可实现电阻负载的无 RFI 功率调节。直接基于交流电源线运行，其主要应用为电子加热系统的精密调节，如板式加热器或烙铁。内置的数字锯齿波形允许在设置点的 +/-1°C 范围内进行比例温度调节操作。为了节能，有一个可编程温度降低功能，为了实现安全性，传感器故障安全将在传感器链接断开时抑制输出脉冲。也可用于预设温度（如除霜）应用。在需要高迟滞的应用中，其值可调整为设置点上下最大 5°C。所有这些功能均使用极少的外部组件实施。

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￥15.47
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￥13.17
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￥11.74
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无刷直流BLDC电机驱动芯片 20V 带门极驱动器

型号：LV8907UWR2G 编号：C480809

封装：LQFP-48-EP(7x7)

品牌：onsemi(安森美)

LV8907 是一款高性能、无传感器三相 BLDC 电机控制器，带有集成的门极驱动器，用于驱动外部 N-MOSFET。片上两级电荷泵提供了所需的门极电流，适用于多种超低 RDS(ON) 型外部 N-MOSFET。该器件提供了多种系统保护和诊断功能，如过电流、过电压、短路、欠电压、高温等。它支持开环以及闭环速度控制，带有用户可配置启动、速度设置和比例/积分 (PI) 控制系数，因此适用于多种电机和负载组合。LV8907 具有内置的线性稳压器用于为外部电路、监控计时器和局域互联网 (LIN) 收发器供电，提供了最小的系统解决方案占位。提供了 SPI 接口进行参数设置和系统运行状况监控。LV8907 工作结温容限可达 175°C，具有可电子兼容 LIN 的控制信号（PWM 和 Enable），是理想的独立汽车 BLDC 电机控制系统解决方案。

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1+
￥36.9 ￥123
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￥24.28 ￥121.4
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￥11.863 ￥118.63
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￥11.621 ￥116.21

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双路运算放大器

型号：KA2904 编号：C188663

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

KA258系列由两个独立的、高增益、内部频率补偿的运算放大器组成，这些放大器专为在宽电压范围内使用单电源供电而设计。也可以使用双电源供电，且低电源电流消耗与电源电压的大小无关。应用领域包括传感器放大器、直流增益模块，以及所有传统的运算放大器电路，这些电路现在可以在单电源系统中轻松实现

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￥1.9508
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200nm~900nm 24.7V

型号：MICROFJ-30035-TSV-TR 编号：C891567

封装：WBGA-8

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 J 系列硅光电倍增传感器 (SiPM) 针对高性能计时应用进行了优化，如 ToF-PET（飞行时间正电子发射层析成像）。由于提高了微单元密度，J 系列传感器可以实现 50% 的光电检测效率 (PDE)，灵敏度可扩展到紫外线。该系列具有行业领先的低低暗计数率 50 kHz/mm2，并且因为此类传感器是使用大容量 CMOS 硅工艺生产的，所以它们具有 ±250 mV 的卓越中断电压一致性。 J 系列提供在 TSV 芯片级封装中封装的 3 mm、4 mm 和 6 mm 尺寸，符合行业标准的无铅回流焊接工艺。J 系列还具有安森美半导体独特的快速输出，适用于快速计时功能。

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1+
￥170.25
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Operational Amplifier,Wide supply range,3MHz CMOS Op-Amp

型号：NCS20071XV53T2G 编号：C5209282

封装：SOT-553

品牌：onsemi(安森美)

提供轨到轨输出操作，3MHz带宽，有单通道、双通道和四通道配置。轨到轨操作使用户能够充分利用整个电源电压范围，同时利用3MHz带宽。可在低至2.7V的电源电压下工作，温度范围为-40℃至125℃。在2.7V电源下，高带宽提供2.8V/μs的压摆率，每通道仅消耗405μA的静态电流。宽电源范围允许其在高达36V的电源电压下运行，适用于广泛的应用。由于是CMOS器件，高输入阻抗和低偏置电流使其适合与各种信号传感器接口。有多种紧凑型封装可供选择。

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1+
￥2.13
10+
￥2.08
30+
￥2.05

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AP0202AT: 图像信号处理器, 2MP

型号：AP0202AT2L00XPGA0-DR 编号：C603151

封装：VFBGA-100

品牌：onsemi(安森美)

AP0202AT是一款图像信号处理器，支持高达2兆像素传感器。它提供并行和OpenLDI输出接口。该协处理器与ON Semiconductor的AR0230AT, AR0132AT, AR0140AT和AR0136AT HDR汽车传感器配合使用，非常适合数字环绕视图摄像头。

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1+
￥58.98
10+
￥56.1
30+
￥54.35
100+
￥52.88

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300nm~950nm 24.7V

型号：MICROFC-10035-SMT-TR 编号：C891563

封装：SMD

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 C 系列硅光电倍增 (SiPM) 传感器具有行业领先的 30 kHz/mm2 低暗计数率，以及卓越的 ±250 mV 击穿电压均匀性。高光子探测效率 (PDE) 使用大容量 CMOS 工艺延伸到了光谱蓝色部分。 C 系列传感器提供 1 mm、3 mm 和 6 mm 尺寸以及多种微单元尺寸。此类器件封装在可平铺成型引线框架 (MLP) 封装内，可兼容行业标准、无引线、回流焊接工艺。C 系列还具有独特的快速输出，适用于快速计时应用。

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1+
￥127.05
10+
￥121.22
30+
￥111.11

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3 MHz、125 μA 低功耗运算放大器

型号：NCS20061SQ3T2G 编号：C892867

封装：SC-70-5

品牌：onsemi(安森美)

是单通道、双通道和四通道运算放大器系列，增益带宽积为 3MHz，每个运算放大器的静态电流仅为 125μA。输入失调电压为 4mV，工作电源电压范围为 1.8V 至 5.5V，工作温度范围为 -40℃ 至 125℃。轨到轨输入/输出操作允许使用整个电源电压范围，同时利用 3MHz 的增益带宽积。因此，该系列在许多行业标准产品中具有卓越的性能。带有 NCV 前缀的器件适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用，符合 AEC-Q100 标准且具备 PPAP 能力。低电流消耗和低电源电压性能，采用节省空间的封装，非常适合汽车、消费和工业市场中的传感器信号调理和低电压电流检测应用。

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1+
￥2.43
10+
￥2.37
30+
￥2.33

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轨到轨输出，3 MHz带宽运算放大器

型号：NCV272DMR2G 编号：C895024

封装：Micro-8

品牌：onsemi(安森美)

运算放大器提供轨到轨输出操作。输出可以在距正轨320mV和距负轨50mV的范围内摆动。这种轨到轨操作使用户能够充分利用整个电源电压范围，同时利用3MHz的带宽。运算放大器可以在低至2.7V的电源电压下工作，温度范围为-40°C至125°C。高带宽提供2.4V/μs的压摆率，同时仅消耗550μA的静态电流。同样，运算放大器可以在高达16V（单电源）和36V（双电源或四电源）的电源电压下运行，使其非常适合各种电池供电的应用。由于这是一款CMOS器件，它具有高输入阻抗和低偏置电流，使其非常适合与各种信号传感器接口。此外，它有各种紧凑的封装形式，具有不同的引脚排列样式，可用于高密度PCB。

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1+
￥5.18
10+
￥4.21
30+
￥3.72
100+
￥3.24

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3 MHz、125 μA 低功耗运算放大器

型号：NCV20062DTBR2G 编号：C603865

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

是单、双和四运算放大器系列，每路运算放大器的增益带宽积 (GBWP) 为 3 MHz，静态电流仅为 125 μA。输入失调电压为 4 mV，工作电源电压范围为 1.8 V 至 5.5 V，工作温度范围为 -40℃ 至 125℃。轨到轨输入/输出操作允许在利用 3 MHz GBWP 的同时使用整个电源电压范围。因此，该系列产品比许多行业标准部件具有更卓越的性能。这些器件通过了 AEC-Q100 认证，以 NCV 为前缀表示。低电流消耗和低电源电压性能，采用节省空间的封装，使其非常适合汽车、消费和工业市场中的传感器信号调理和低电压电流检测应用。

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1+
￥5.81
10+
￥5.68
30+
￥5.59

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低功耗、1.2 MHz运算放大器

型号：NCS20082DR2G 编号：C904562

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCS20081/2/4 系列包含单路、双路和四路运算放大器 (Op Amps)，增益带宽积 (GBWP) 为 1.2 MHz，每个运算放大器的静态电流仅为 42 A。NCS2008x 的输入失调电压为 4 mV，工作电压为 1.8 V 至 5.5 V，工作温度范围宽（−40°C 至 +125°C）。轨到轨输入/输出操作允许使用整个电源电压范围，同时充分利用 1.2 MHz 的 GBWP。因此，该系列的性能优于许多行业标准器件。这些器件符合 AEC-Q100 标准，并以 NCV 为前缀。NCS2008x 的低电流消耗和低电源电压性能采用节省空间的封装，使其成为汽车、消费电子和工业市场中传感器信号调理和低压电流传感应用的理想选择。

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￥8.54
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￥7.08
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￥6.28
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￥5.38

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NCP81295MNTXG

型号：NCP81295MNTXG 编号：C904554

封装：LQFN-32

品牌：onsemi(安森美)

是电子可复位的串联保险丝，适用于12V大电流应用，如服务器、存储和基站。提供极低的0.65 mΩ集成MOSFET，以减小解决方案尺寸并最小化功率损耗。还集成了高精度电流传感器，用于监控和过载保护。

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￥25.47
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￥21.72
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￥19.49

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MC33035DWG

型号：MC33035DWG 编号：C10665

封装：SOIC-24-300mil

品牌：onsemi(安森美)

MC33035 是一款高性能的第二代单片无刷直流电机控制器，包含了实施全功能开环、三相或四相电机控制系统所需的所有有效功能。该器件包括用于正确换向顺序的转子位置解码器、能够为传感器供电的温度补偿参考、频率可编程的锯齿波振荡器、三个开路收集器顶部驱动器，以及三个高电流图腾柱底部驱动器，适用于驱动功率 MOSFET。还包含了保护功能，有欠压锁定、按周期电流限制且带有可选择时间延迟的关断模式、内部高温关断以及可以接口到微处理器控制系统中的独特故障输出。典型的电机控制功能包括开环速度、前向或反向、运行启用和动态制动。MC33035 用于运行电子传感器相位为 60°/300° 或 120°/240° 的无刷电机，还可高效控制电刷直流电机。

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1+
￥35.44
10+
￥30.43
30+
￥27.37

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350 kHz, 20 μA 低功耗运算放大器

型号：NCV20091SN2T1G 编号：C603870

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

NCS2009 系列运算放大器采用轨对轨输入和输出运行，带宽 350 kHz，提供单路、双路和四路配置。轨对轨运行让设计人员能够充分利用整个电源电压范围，同时利用 350 kHz 带宽。NCS2009 电源电压运行范围为 1.8 至 5.5 V，温度范围为 ?40 至 125°C。在 1.8 V 电源电压下，此器件的摆率为 0.15 V/?s，而每个沟道仅消耗 20 ?A 的静态电流。因为这是一款 CMOS 器件，所以其高输入阻抗和低偏置电流使其适用于连接多种信号传感器。NCS2009 采用各种紧凑型封装。

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ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：1A@8/20us

型号：SZESD9R3.3ST5G 编号：C896571

封装：SOD-923

品牌：onsemi(安森美)

ESD9R旨在为用于超低电流应用（如人体传感器）的专用标准产品（ASSP）和专用集成电路（ASIC）提供静电放电（ESD）保护。这些器件在关闭状态下，从0℃到50℃的泄漏电流设计为低于1 nA。在ESD事件期间，这些器件会开启，将ESD钳位到对集成电路（IC）安全的电压水平。这些器件还具有高速数据线所需的低电容特性，以及适用于空间受限设计的小封装尺寸优势。

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