ST传感器_厂家_价格_品牌_库存

封装：UFQFPN-48(7x7)

特性：超低功耗，具备FlexPowerControl。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下电流为200nA，为RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式电流为280nA。停止2模式电流为1.0μA，带RTC时为1.28μA

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型号：STM32F303C8T6 编号：C88449

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM Cortex-M4 32 位带 FPU 的 CPU（最高 72 MHz），单周期乘法和硬件除法，90 DMIPS（来自 CCM），DSP 指令。高达 64 KB 的闪存。 12 KB 带硬件奇偶校验的 SRAM。常规增强器：4 KB 带硬件奇偶校验的 SRAM，位于指令和数据总线上。 CRC 计算单元。复位和电源管理。低功耗模式：睡眠、停止、待机。 VDD、VDA 电压范围：2.0 至 3.6 V

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型号：STM32F407ZET6 编号：C36869

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32 位 ARM Cortex-M4 CPU 带 FPU，自适应实时加速器（ART AcceleratorTM）允许从闪存执行零等待状态，具备内存保护单元，210 DMiPS / 1.25 DMiPS/MHz（Dhrystone 2.1）和 DSP 指令。内存：高达 1 Mbyte 的闪存；高达 192 + 4 Kbytes 的 SRAM，包括 64 Kbyte 的 CCM（核心耦合内存）数据 RAM；灵活的静态内存控制器，支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。 LCD 并行接口，8080/6800 模式。

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型号：STM32H750VBT6 编号：C404010

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 32位Arm Cortex-M7内核，带双精度浮点单元和L1缓存：16KB数据缓存和16KB指令缓存；频率高达480MHz，具备内存保护单元、1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。 128KB闪存。 1MB RAM：192KB TCM RAM（包括64KB ITCM RAM + 128KB用于时间关键程序的DTCM RAM），864KB用户SRAM和4KB备份域SRAM。双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133MHz。灵活的外部内存控制器，高达32位数据总线：同步模式下SRAM、PSRAM、NOR闪存时钟频率高达133MHz；支持SDRAM/LPSDR SDRAM；支持8/16位NAND闪存；具备CRC计算单元。支持ROP、PC-ROP、主动篡改保护、安全固件升级，具备安全访问模式。多达168个具有中断能力的I/O端口

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型号：VND5T016ASPTR-E 编号：C2150047

封装：PowerSO-16

品牌：ST(意法半导体)

支持模拟电流感应的双通道高侧驱动器，用于24V汽车应用

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型号：VN340SPTR-E 编号：C2150024

封装：PowerSO-10

品牌：ST(意法半导体)

四通道高侧智能功率固态继电器

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型号：STM32WB55RGV6 编号：C401505

封装：QFN-68-EP(8x8)

品牌：ST(意法半导体)

超低功耗双核64 MHz Arm Cortex-M4 + 32MHz Cortex-M0+ MCU，具有1 MB Flash存储器、蓝牙5, 802.15.4、USB、LCD和AES-256

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型号：STM32H750VBT6TR 编号：C2969869

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含先进的专利技术。 32位Arm Cortex-M7内核，带双精度FPU和L1缓存：16KB数据缓存和16KB指令缓存；频率高达480MHz，具备MPU，1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。 128KB闪存。 1MB RAM：192KB TCM RAM（含64KB ITCM RAM + 128KB DTCM RAM用于关键时序程序），864KB用户SRAM，4KB备份域SRAM。双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133MHz。灵活的外部内存控制器，高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、NOR闪存，同步模式下时钟频率高达133MHz。SDRAM/LPSDR SDRAM。8/16位NAND闪存

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型号：STM32F730R8T6 编号：C478453

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：带有浮点单元（FPU）、自适应实时加速器（ART Accelerator™）和L1缓存的32位Arm® Cortex®-M7 CPU，8KB数据缓存和8KB指令缓存，允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行，频率高达216MHz，具备内存保护单元（MPU），462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。 64KB闪存，具备保护机制（读写保护、专有代码读出保护（PCROP））。 528字节一次性可编程（OTP）内存。 SRAM：256KB（包括64KB用于关键实时数据的数据紧耦合内存（TCM）RAM）+ 16KB用于关键实时程序的指令TCM RAM + 4KB备份SRAM（在最低功耗模式下可用）。灵活的外部内存控制器，具有高达32位数据总线，支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、NOR/NAND内存。双模式四路串行外设接口（Quad-SPI）。 1.7V至3.6V应用电源和I/O。上电复位（POR）、掉电复位（PDR）、可编程电压检测器（PVD）和欠压复位（BOR）

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型号：STM32F373CBT6 编号：C1337334

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法，带浮点单元（FPU）和内存保护单元（MPU）的DSP指令。1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。存储器：64至256 Kbytes的闪存，32 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0至3.6 V，上电/掉电复位（POR/PDR），可编程电压检测器（PVD），低功耗模式（睡眠、停止、待机），RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器，用于RTC的32kHz振荡器（带校准），内部8 MHz RC（带x16 PLL选项），内部40kHz振荡器

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型号：STM32L152VBT6A 编号：C1337590

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台: 1.65V 至 3.6V 电源。-40°C 至 85°C/105°C 温度范围。0.3μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。0.9μA 待机模式 + RTC。0.57μA 停止模式（16 个唤醒线）。1.2μA 停止模式 + RTC。9μA 低功耗运行模式。214μA/MHz 运行模式

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型号：STM32G431KBU6 编号：C529358

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator），可实现从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速，FMAC为滤波数学加速器。 128 KB闪存，支持ECC，具备专有代码读出保护（PCROP）和可安全存储区域，1 KB OTP。 22 KB SRAM，前16 KB实现硬件奇偶校验。常规加速：指令和数据总线上有10 KB SRAM，带硬件奇偶校验（CCM SRAM）。复位和电源管理：具备上电/掉电复位（POR/PDR/BOR）、可编程电压检测器（PVD）、低功耗模式（睡眠、停止、待机和关机）、VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器，32 kHz振荡器带校准，内部16 MHz RC可选PLL（±1%），内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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型号：STM32L476RET6 编号：C71075

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71 V至3.6 V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下为300 nA：为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式下为30 nA（5个唤醒引脚）。待机模式下为120 nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式下为420 nA。停止2模式下为1.1 μA，带RTC的停止2模式下为1.4 μA

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型号：STM8AF52A8TDY 编号：C1339146

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：AEC-Q10x合格。核心:最大CPU频率：24 MHz。采用哈佛架构和3级流水线的先进STM8A内核。平均每条指令1.6个周期，在16 MHz CPU频率下可实现10 MIPS（行业标准基准测试）。存储器:程序存储器：32至128 Kbyte Flash程序；在55℃下数据保留20年。数据存储器：高达2 Kbyte真数据EEPROM；耐久性300 key/le

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型号：STM32F412ZGT6 编号：C967645

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线与批量采集模式（BAM）。内核：32位Arm Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART AcceleratorTM）允许从闪存无等待状态执行，频率高达100MHz，具备内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器：高达1MB的闪存；256KB的SRAM；灵活的外部静态存储器控制器，数据总线高达16位，支持SRAM、PSRAM、NOR闪存；双模式Quad-SPI接口。

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型号：STM32F103ZET6 编号：C8287

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex™-M3 CPU，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），单周期乘法和硬件除法。 256至512 Kbytes的闪存，高达64 Kbytes的SRAM。灵活的静态内存控制器，带有4个片选，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存。 LCD并行接口，8080/6800模式。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz带校准的RC，32 kHz带校准的RTC振荡器。睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电

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型号：STM32L471VET6 编号：C2969810

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为-40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下为300nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式30nA（5个唤醒引脚）。待机模式120nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式420nA。停止2模式下1.1μA，带RTC时1.4μA

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型号：STM32F373RBT6 编号：C154712

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法，带FPU（浮点单元）和MPU（内存保护单元）的DSP指令，1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。内存：64至256 Kbytes的闪存，32 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0至3.6 V，上电/掉电复位（POR/PDR），可编程电压检测器（PVD），低功耗模式：睡眠、停止、待机，VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器，32 kHz带校准的RTC振荡器，内部8 MHz RC（带x16 PLL选项），内部40 kHz振荡器。多达84个快速I/O，所有可映射到外部中断向量，多达45个5 V耐压I/O

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型号：L6472HTR 编号：C222220

封装：HTSSOP-28

品牌：ST(意法半导体)

采用运动引擎和SPI的完全集成微步进电机驱动器

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型号：STM32F446ZET6 编号：C1337227

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达180 MHz，具备MPU，225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器：512 KB闪存、128 KB SRAM、具有高达16位数据总线的灵活外部存储器控制器，支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存、双模式QuadSPI接口。 LCD并行接口，支持8080/6800模式。时钟、复位和电源管理：1.7 V至3.6 V应用电源和I/O、POR、PDR、PVD和BOR、4至26 MHz晶体振荡器、内部16 MHz工厂校准RC（精度1%）、用于RTC的32 kHz振荡器及校准、内部32 kHz RC及校准。低功耗：支持睡眠、停止和待机模式。 VBAT为RTC供电，20×32位备份寄存器加上可选的4 KB备份SRAM。 3个12位、2.4 MSPS ADC：多达24个通道，三重交错模式下可达7.2 MSPS。 2个12位D/A转换器

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型号：L9396 编号：C2970000

封装：TQFP-64-EP(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

多电源，用于汽车应用

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型号：L6203 编号：C34306

封装：Multiwatt-11-V

品牌：ST(意法半导体)

DMOS全桥驱动器

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型号：STM32MP157AAC3 编号：C511448

封装：TFBGA-361(12x12)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含先进的专利技术。 32位双核Arm Cortex-A7，每个核心L1有32K字节指令缓存和32K字节数据缓存，256K字节统一二级缓存，具备Arm NEON和Arm TrustZone。 32位Arm Cortex-M4带FPU/MPU，最高209 MHz（最高703 CoreMark）。外部DDR内存最高1 Gbyte，支持LPDDR2/LPDDR3-1066 16/32位、DDR3/DDR3L-1066 16/32位。 708 K字节内部SRAM，包括256 K字节AXI SYSRAM、384 K字节AHB SRAM、64 K字节备份域AHB SRAM和4 K字节备份域SRAM。双模式Quad-SPI内存接口。灵活的外部内存控制器，最高16位数据总线，可连接外部IC和SLC NAND内存，最高8位ECC。具备TrustZone外设，Cortex-M4资源隔离

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型号：STM32F446RET7 编号：C1343794

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达180 MHz，具备MPU，225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器：512 KB闪存、128 KB SRAM、具有高达16位数据总线的灵活外部存储器控制器，支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存、双模式QuadSPI接口。 LCD并行接口，支持8080/6800模式。时钟、复位和电源管理：1.7 V至3.6 V应用电源和I/O、POR、PDR、PVD和BOR、4至26 MHz晶体振荡器、内部16 MHz工厂校准RC（精度1%）、用于RTC的32 kHz振荡器及校准、内部32 kHz RC及校准。低功耗：支持睡眠、停止和待机模式。 VBAT为RTC供电，20×32位备份寄存器加上可选的4 KB备份SRAM。 3个12位、2.4 MSPS ADC：多达24个通道，三重交错模式下可达7.2 MSPS。 2个12位D/A转换器

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型号：STM32H757XIH6 编号：C1343741

封装：TFBGA-265

品牌：ST(意法半导体)

特性：双核:32位Arm Cortex-M7内核，具有双精度FPU和16KB数据、16KB指令L1缓存；频率高达480MHz，有MPU，1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。32位Arm Cortex-M4内核，具有FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）用于内部闪存和外部存储器，频率高达240MHz，有MPU，300 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器:2MB闪存，支持边读边写。1MB RAM：192KB TCM RAM（含64KB ITCM RAM + 128KB DTCM RAM用于时间关键程序），864KB用户SRAM，4KB备份域SRAM。双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133MHz。灵活的外部内存控制器，高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存，同步模式下时钟高达125MHz。CRC计算单元。安全：ROP、PC-ROP、主动篡改、安全固件升级支持、安全访问模式

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型号：STM32L452CET6 编号：C5269876

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，具备FlexPowerControl。供电电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为-40℃至85/125℃。 VBAT模式下为145nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式下为22nA（5个唤醒引脚）。待机模式下为106nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式下为375nA。停止2模式下为2.05μA，带RTC时为2.40μA

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型号：STM32F415VGT6 编号：C118210

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存0等待状态执行，频率高达168 MHz，有内存保护单元，210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。内存：高达1 Mbyte闪存；高达(192 + 4) Kbytes SRAM，含64 Kbyte CCM（核心耦合内存）数据RAM；灵活的静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存。

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型号：STM32F413ZHT6 编号：C1337238

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线，具备增强批量采集模式 (eBAM)。1.7 V 至 3.6 V 电源。40 °C 至 85/105/125 °C 温度范围。内核：带有浮点单元 (FPU) 的 Arm 32 位 Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器 (ART Accelerator™) 允许从闪存零等待状态执行，频率高达 100 MHz，具备内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1)，支持 DSP 指令。高达 1.5 Mbytes 的闪存。320 Kbytes 的 SRAM。灵活的外部静态内存控制器，具有高达 16 位数据总线：SRAM、PSRAM、NOR 闪存。双模式 Quad-SPI 接口

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型号：MM1Z13 编号：C107588

封装：SOD-123

品牌：ST(先科)

13V 500mW，即1/2W

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型号：MM1Z2V4 编号：C96629

封装：SOD-123

品牌：ST(先科)

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