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该产品为非常低压差稳压器,有SO-8和DPAK封装,输出电压范围广。非常低的压差电压(0.4 V)和极低的静态电流使其特别适用于低噪声、低功耗应用,尤其是电池供电系统。具备关断逻辑控制功能(5引脚,TTL兼容),这意味着当该器件用作局部稳压器时,可以使部分电路板进入待机状态,降低总功耗。仅需一个2.2 μF的电容来保证稳定性,节省空间和成本。
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  • 汽车用4 Kbit SPI总线EEPROM,带高速时钟
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  • 低压低电流8位移位寄存器
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  • 有货
  • 是一款低压降稳压器,有 SO-8、DPAK、PPAK 和 TO-92 等封装形式,输出电压范围广。极低的压降(0.4 V)和极低的静态电流,使其特别适用于低噪声、低功耗应用,尤其是电池供电系统。PPAK 和 SO-8 封装具备 TTL 兼容的关断逻辑控制功能,作为本地稳压器使用时,可使电路板部分进入待机模式,降低总功耗。仅需 2.2 μF 电容即可保证稳定性,节省空间和成本。仅 SO-8 封装有汽车级版本,该器件符合汽车市场 AEC-Q100 规范,工作温度范围为-40℃ 至 125℃,并进行了 PAT、SYL、SBL 统计测试。
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  • 有货
  • 是一种高电压、超低静态电流和低压降线性稳压器,能够提供超过 85 mA 的输出电流。该设备的输入电压范围为 4.3 V 至 24 V,使用输出陶瓷电容时稳定。故障条件保护包括短路电流限制。满载时 5 μA 的超低静态电流使其非常适合低功耗应用和电池供电系统。较宽的输入电压范围使其成为低功耗工业应用的理想解决方案。有 SOT23-5 或 DFN8 3x3-8 引脚封装。
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  • 采用 TO-220、TO-220FP、D²PAK 和 DPAK 封装,有多种固定输出电压,适用于广泛的应用领域。可提供板载本地稳压,消除单点稳压带来的分配问题。每个型号都内置了内部限流、热关断和安全区保护,基本不会损坏。如果提供足够的散热,可提供超过 1A 的输出电流。虽然主要设计为固定电压稳压器,但也可与外部组件配合使用,以获得可调电压和电流。
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      ¥4.89
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  • 512 Kbit串行I2C总线EEPROM,105°C工作温度
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  • 特性:核心:ARM 32 位 Cortex-M0 CPU,频率高达 48 MHz。16 至 256 Kbytes 的闪存。4 至 32 Kbytes 的带硬件奇偶校验的 SRAM。CRC 计算单元。复位和电源管理。数字和 I/O 电源:VDD = 2.4V 至 3.6V
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  • D2PAK封装的12A Snubberless 三端双向可控硅
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  • LD39100可提供最高1 A的电流,输入电压范围为1.5 V至5.5 V,典型压差为200 mV。
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  • 低压16位恒定电流LED灌驱动器
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  • 该功率MOSFET系列采用STripFET™工艺开发,此工艺专门用于最小化输入电容和栅极电荷。这使得该器件适合用作电信和计算机应用中的先进高效隔离式DC - DC转换器的初级开关,以及对栅极电荷驱动要求较低的应用。
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  • N沟道60 V、0.0012 Ohm典型值、260 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装
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  • STM32F042x4/x6 微控制器集成了高性能 ARM Cortex-M0 32 位 RISC 核心,工作频率高达 48 MHz,具有高速嵌入式存储器(高达 32 KB 的 Flash 存储器和 6 KB 的 SRAM),以及广泛的增强型外设和 I/O。所有设备均提供标准通信接口(一个 I2C、两个 SPI/一个 I2S、一个 HDMI CEC 和两个 USART),一个 USB 全速设备(无晶体),一个 CAN,一个 12 位 ADC,四个 16 位定时器,一个 32 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。
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  • 高速串行接口的ESD保护共模滤波器
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  • 是一种低压降线性稳压器,可提供高达 1.3 A 的输出电流。输出电压固定为 1.8 V、2.5 V、3.3 V,并且可调节。有三种不同引脚排列的版本。由于采用 BiCMOS 技术,在整个允许的结温范围内,静态电流可控制并保持在 650 μA 以下。使用低 ESR 输出陶瓷电容时稳定。内部保护电路包括带迟滞的热保护和过流限制。适用于数据存储应用,如硬盘驱动器,可为读取通道和存储芯片提供 3.3 V 电压。有小型薄型 DFN6 (3×3mm) 和 DFN8 (4×4mm) 封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.85
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      ¥5.63
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  • 有货
  • 特性:工作条件:工作电源范围 1.8V 至 3.6V(掉电时低至 1.65V);温度范围:-40℃ 至 85℃、105℃ 或 125℃。 低功耗特性:5 种低功耗模式(等待、低功耗运行 (5.1μA)、低功耗等待 (3μA)、带完整 RTC 的活动暂停 (1.3μA)、暂停 (350nA));功耗:195μA/MHz@440μA;每个 I/O 超低泄漏:50nA;从暂停快速唤醒:4.7μs。 先进的 STM8 内核:哈佛架构和 3 级流水线;最大频率 16MHz,16 CISC MIPS 峰值;多达 40 个外部中断源。 复位和电源管理:低功耗、超安全的 BOR 复位,有 5 个可选阈值;超低功耗 POR/PDR;可编程电压检测器 (PVD)。 时钟管理:1 至 16MHz 晶体振荡器;32kHz 晶体振荡器;内部 16MHz 工厂校准 RC;内部 38kHz 低功耗 RC;时钟安全系统。 低功耗 RTC:带闹钟中断的 BCD 日历;通过周期性中断从暂停自动唤醒
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      ¥6.96
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  • 互补功率晶体管
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  • 45 V、30 A双路功率肖特基整流器
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  • OMNIFET III全保护下桥臂驱动器
    数据手册
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      ¥4.07
    • 1000+

      ¥3.92
  • 有货
  • 1 Mbit串行I2C总线EEPROM
    数据手册
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    • 10+

      ¥5.71
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      ¥4.2
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      ¥3.75
    • 1000+

      ¥3.52
  • 有货
  • 嵌入高压转换器的高级准谐振控制器和650V GAN HEMT
    数据手册
    • 1+

      ¥7.85
    • 10+

      ¥7.16
    • 30+

      ¥6.73
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      ¥6
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M0+ CPU,频率高达64 MHz。 工作温度:-40°C至85°C。 存储器:高达64 Kbytes的带保护的闪存;8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理:电压范围2.0 V至3.6 V;上电/掉电复位(POR/PDR);低功耗模式:睡眠、停止、待机;RTC和备份寄存器的VBAT电源。 时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器;带校准的32 kHz晶体振荡器;带PLL选项的内部16 MHz RC;内部32 kHz RC振荡器(±5%)
    数据手册
    • 1+

      ¥7.91
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      ¥6.49
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      ¥5.71
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      ¥4.43
    • 1000+

      ¥4.26
  • 有货
  • 是一款快速超低压降线性稳压器,可在2.5V至6V的输入电源下工作。提供多种输出选项。低压降、低噪声和超低静态电流使其适用于低压微处理器和存储器应用。该器件采用BiCMOS工艺,可独立于输出负载电流实现低静态电流运行。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.14
    • 10+

      ¥6.76
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      ¥6
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      ¥4.76
  • 有货
  • A7985A是一款专为汽车应用设计的降压开关调节器,具有2.5A限流嵌入式功率MOSFET,能够提供高达2A的输出电流。输入电压范围为4.5V至38V,输出电压可调范围为0.6V至输入电压。开关频率为250kHz,可编程至1MHz。该器件采用HSOP8封装,具有AEC-Q100认证。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.28
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      ¥6.14
  • 有货
  • 300V,20 A超高速二极管
    数据手册
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    • 50+

      ¥5.76
    • 100+

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    • 500+

      ¥4.49
    • 1000+

      ¥4.31
  • 有货
  • N沟道950 V、1 Ohm典型值、9 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-247封装
    数据手册
    • 1+

      ¥8.65
    • 10+

      ¥7.08
    • 30+

      ¥6.22
    • 100+

      ¥5.25
    • 500+

      ¥4.82
    • 1000+

      ¥4.62
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M0+ CPU,频率高达64 MHz。工作温度:-40℃至85℃/125℃。内存:高达64 KB的闪存。8 KB带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理:电压范围:1.7 V至3.6 V
    数据手册
    • 1+

      ¥10.09
    • 10+

      ¥9.21
    • 30+

      ¥8.66
    • 100+

      ¥8.1
    • 490+

      ¥7.84
  • 有货
  • N沟道600 V、0.108 Ohm典型值、26 A MDmesh M2功率MOSFET,TO-247封装
    数据手册
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      ¥10.125 ¥12.5
    • 10+

      ¥7.5828 ¥10.68
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      ¥5.8255 ¥9.55
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      ¥5.1118 ¥8.38
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      ¥4.7946 ¥7.86
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