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封装：SO-8

这些电路由两个独立的、高增益、内部频率补偿运算放大器组成，专门设计用于在宽电压范围内的单电源供电下工作。低电源电流消耗与电源电压的大小无关。应用领域包括传感器放大器、直流增益模块以及所有传统的运算放大器电路，现在这些电路在单电源系统中更容易实现

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型号：STM8L151G4U6 编号：C95239

封装：UFQFPN-28(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

8位超低功耗MCU，最高32 KB Flash，1 KB数据EEPROM，RTC，LCD，定时器，USART，I2C，SPI，ADC，DAC，比较器。工作条件包括1.8 V至3.6 V（断电时低至1.65 V）的工作电源范围以及-40°C至85、105或125°C的温度范围。该MCU支持五种低功耗模式：Wait，低功耗运行（5.1 μA），低功耗Wait（3 μA），全RTC的Active-halt（1.3 μA）和Halt（350 nA）。它还具有从Halt模式快速唤醒功能，可在4.7 μs内完成。先进的STM8内核包括哈佛架构和3级流水线，最高频率为16 MHz，峰值为16 CISC MIPS。它支持高达40个外部中断源。复位和电源管理系统包括低功耗、超安全的BOR复位，具有5个可选阈值，超低功耗POR/PDR，以及可编程电压检测器（PVD）。时钟管理功能包括1至16 MHz晶体振荡器，32 kHz晶体振荡器，内部16 MHz工厂校准RC，以及内部38 kHz低功耗RC。时钟安全系统确保可靠运行。该MCU包括带有报警中断和自动从Halt唤醒功能的BCD日历，以及带有升压转换器的LCD，可支持高达4x28段。存储器选项包括高达32 KB的Flash程序存储器，1 Kbyte带有ECC和RWW的数据EEPROM，灵活的写入和读取保护模式，以及高达2 Kbyte的RAM。模拟和数字外设包括带有输出缓冲器的12位DAC，最高1 Msps/25通道的12位ADC，T传感器和内部参考电压，以及带有唤醒功能的两个超低功耗比较器。定时器包括两个带有2个通道（用作IC、OC、PWM、正交编码器）的16位定时器，一个带有3个通道支持电机控制的16位高级控制定时器，以及一个带有7位预分频器的8位定时器。通信接口包括SPI、快速I2C（400 kHz）、SMBus、PMBus和USART（ISO 7816接口和IrDA）。该MCU支持高达41个I/O，所有I/O均可映射到中断向量，以及高达16个电容式传感通道，用于触摸按键、接近感应、线性触摸和旋转触摸传感器。开发支持包括快速片上编程和无侵入式调试SWIM，以及使用USART的引导加载程序。该MCU具有96位唯一ID。

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型号：L9680 编号：C1547081

封装：TQFP-100-EP(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

L9680是一款用于成熟安全气囊市场的高级安全气囊系统芯片解决方案，集成了更高的电源电流和主动轮速传感器接口。

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￥495.9406 ￥855.07
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型号：LM358PT 编号：C97414

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

这些电路由两个独立的、高增益、内部频率补偿运算放大器组成，专为在宽电压范围内的单电源下工作而设计。低功耗电源电流与电源电压的大小无关。应用领域包括传感器放大器、直流增益模块和所有传统的运算放大器电路，现在可以更轻松地在单电源系统中实现。例如，这些电路可以直接由逻辑系统中使用的标准5V电源供电，并且无需额外的电源即可轻松提供所需的接口电子设备。在线性模式下，输入共模电压范围包括地，即使仅由单电源电压供电，输出电压也可以摆幅到地。

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型号：STM32F103R8T7 编号：C1337996

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU 内核，最高频率 72 MHz，在 0 等待状态内存访问时，性能为 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64 或 128 Kbytes 的闪存和 20 Kbytes 的 SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O，POR、PDR 和可编程电压检测器（PVD），4 至 16 MHz 晶体振荡器，内部 8 MHz 工厂校准 RC，内部 40 kHz RC，用于 CPU 时钟的 PLL，带校准的 32 kHz 振荡器用于 RTC。低功耗睡眠、停止和待机模式，VBAT 为 RTC 和备份寄存器供电。 2×12 位、1 μs A/D 转换器（最多 16 通道），转换范围：0 至 3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7 通道 DMA 控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPIs、I²C 和 USARTs

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型号：LM2904AYPT 编号：C2058906

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

该电路由两个独立的高增益运算放大器组成，内部实现了频率补偿。它们专为汽车和工业控制系统设计。该电路可在宽电压范围内由单电源供电。低电源电流消耗与电源电压的大小无关。应用领域包括传感器放大器、直流增益模块以及所有传统的运算放大器电路，现在可以在单电源系统中更轻松地实现。例如，这些电路可以直接由逻辑系统中使用的标准5V电源供电，并轻松提供所需的电子接口，而无需任何额外的电源。在线性模式下，即使由单电源供电，输入共模电压范围也包括地，输出电压也可以摆幅到地。

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型号：STM32F103T8U6TR 编号：C2053628

封装：VFQFPN-36(6x6)

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU 内核，最高频率 72 MHz，在 0 等待状态内存访问时，性能为 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64 或 128 Kbytes 的闪存和 20 Kbytes 的 SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O，POR、PDR 和可编程电压检测器（PVD），4 至 16 MHz 晶体振荡器，内部 8 MHz 工厂校准 RC，内部 40 kHz RC，用于 CPU 时钟的 PLL，带校准的 32 kHz 振荡器用于 RTC。低功耗睡眠、停止和待机模式，VBAT 为 RTC 和备份寄存器供电。 2×12 位、1 μs A/D 转换器（最多 16 通道），转换范围：0 至 3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7 通道 DMA 控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPIs、I²C 和 USARTs

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￥26.88
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型号：L9663-TR 编号：C2970261

封装：TQFP-32

品牌：ST(意法半导体)

适用于汽车传感器应用的外围传感器接口，提供多种传感器应用的通用和灵活解决方案。

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型号：STM32F103TBU6TR 编号：C1339380

封装：VFQFPN-36(6x6)

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU 内核，最高频率 72 MHz，在 0 等待状态内存访问时，性能为 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64 或 128 Kbytes 的闪存和 20 Kbytes 的 SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O，POR、PDR 和可编程电压检测器（PVD），4 至 16 MHz 晶体振荡器，内部 8 MHz 工厂校准 RC，内部 40 kHz RC，用于 CPU 时钟的 PLL，带校准的 32 kHz 振荡器用于 RTC。低功耗睡眠、停止和待机模式，VBAT 为 RTC 和备份寄存器供电。 2×12 位、1 μs A/D 转换器（最多 16 通道），转换范围：0 至 3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7 通道 DMA 控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPIs、I²C 和 USARTs

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型号：TSV911AIYLT 编号：C2059110

封装：SOT-23-5

品牌：ST(意法半导体)

提供低电压操作和轨到轨输入输出，以及出色的速度/功耗比，在5V时最大仅消耗1.1mA电流的情况下提供8MHz增益带宽积。该运算放大器为单位增益稳定型，具有超低输入偏置电流。适用于传感器接口、电池供电和便携式应用以及有源滤波。

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型号：TSV914IPT 编号：C83262

封装：TSSOP-14

品牌：ST(意法半导体)

TSV91x运算放大器提供低电压操作、轨到轨输入和输出，以及出色的速度/功耗比，在5V电压下最大仅消耗1.1mA电流，同时提供8MHz的增益带宽积。该运算放大器具有单位增益稳定性，且输入偏置电流极低。这些器件非常适合用于传感器接口、电池供电和便携式应用以及有源滤波。

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型号：STM32F103C6T6ATR 编号：C2053946

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU 内核，最高频率 72 MHz，在 0 等待状态内存访问时，性能为 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），具备单周期乘法和硬件除法功能。 16 或 32 KB 的闪存，6 或 10 KB 的 SRAM。 2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O，POR、PDR 和可编程电压检测器（PVD），4 至 16 MHz 晶体振荡器，内部 8 MHz 工厂校准 RC，内部 40 kHz RC，用于 CPU 时钟的 PLL，带校准功能的 32 kHz RTC 振荡器。具备睡眠、停止和待机模式，VBAT 为 RTC 和备份寄存器供电。 2 个 12 位、1 μs A/D 转换器（最多 16 个通道），转换范围 0 至 3.6 V，具备双采样和保持能力，有温度传感器。 7 通道 DMA 控制器，支持定时器、ADC、SPIs、I²Cs 和 USARTs 等外设

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￥35.87
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型号：STLQ015M28R 编号：C222356

封装：SOT-23-5L

品牌：ST(意法半导体)

提供最大150 mA电流，输入电压范围为1.5V至5.5V，典型压差为112mV。该器件的关键特性是其静态电流，在最大输出电流时仅为1.4μA。该器件在输出端使用陶瓷电容时稳定。它提供极低的静态电流，并延长需要非常长待机时间的应用的电池寿命。使能逻辑控制功能使该器件进入关断模式，将总电流消耗降至1 nA。该器件还包括短路恒流限制和热保护。典型应用包括：便携式和电池供电系统、电子传感器和微控制器电源。

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￥3.36
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型号：TSX631ILT 编号：C2058779

封装：SOT-23-5

品牌：ST(意法半导体)

提供低电压操作和轨到轨输入输出。单通道、双通道和四通道版本的引脚排列与行业标准兼容。增益带宽积为200 kHz，在16V时最大功耗为60 μA。采用最小的工业封装。适用于传感器接口和工业信号调理。宽温度范围和高ESD耐受性，便于在恶劣的汽车应用中使用。

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￥17.95
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￥15.12
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型号：E-TEA3718SDP 编号：C361016

封装：PowerDIP-16

品牌：ST(意法半导体)

该电路由一个与LS-TTL兼容的逻辑输入、一个电流传感器、一个单稳态电路和一个内置保护二极管的输出级组成。两片TEA3718集成电路和少量外部元件可构成一个完整的控制和驱动单元，用于LS-TTL或微处理器控制的步进电机系统。

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￥20.5276 ￥27.74
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￥13.4828 ￥18.22
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￥13.1276 ￥17.74

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型号：STM32F103TBU7 编号：C1339326

封装：UQFN-36-EP(6x6)

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU 内核，最高频率 72 MHz，在 0 等待状态内存访问时，性能为 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64 或 128 Kbytes 的闪存和 20 Kbytes 的 SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O，POR、PDR 和可编程电压检测器（PVD），4 至 16 MHz 晶体振荡器，内部 8 MHz 工厂校准 RC，内部 40 kHz RC，用于 CPU 时钟的 PLL，带校准的 32 kHz 振荡器用于 RTC。低功耗睡眠、停止和待机模式，VBAT 为 RTC 和备份寄存器供电。 2×12 位、1 μs A/D 转换器（最多 16 通道），转换范围：0 至 3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7 通道 DMA 控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPIs、I²C 和 USARTs

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￥52.92
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￥52.05

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型号：STM32MP135DAE7 编号：C5360919

封装：LFBGA-289(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体先进的专利技术。核心：32位Arm Cortex-A7，L1 32KB指令/32KB数据缓存，128KB统一二级缓存，具备Arm NEON和Arm TrustZone。存储器：外部DDR内存最大1GB，支持LPDDR2/LPDDR3-1066 16位、DDR3/DDR3L-1066 16位；168KB内部SRAM（128KB AXI SYSRAM + 32KB AHB SRAM + 8KB备份域SRAM）；双Quad-SPI内存接口；灵活的外部内存控制器，最大16位数据总线，可连接外部IC和SLC NAND内存，支持8位ECC。安全/防护：TrustZone外设，12个防篡改引脚（包括5个主动防篡改），具备温度、电压、频率和32kHz监测功能。复位和电源管理：1.71V至3.6V I/O电源（5V耐受I/O），POR、PDR、PVD和BOR，片上LDO（USB 1.8V、1.1V），备份稳压器（~0.9V），内部温度传感器，低功耗模式（睡眠、停止、LPLV-停止、LPLV-停止2和待机）。时钟管理：内部振荡器（64MHz HSI振荡器、4MHz CSI振荡器、32kHz LSI振荡器），外部振荡器（8-48MHz HSE振荡器、32.768kHz LSE振荡器），4个带分数模式的PLL。通用输入/输出：最多135个带中断功能的安全I/O端口，最多6个唤醒功能。互连矩阵：2个总线矩阵，64位Arm AMBA AXI互连，最高266MHz；32位Arm AMBA AHB互连，最高209MHz

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￥65.35
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￥55.97
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￥50.25

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型号：LM358APT 编号：C2057489

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

这些电路由两个独立的、高增益、内部频率补偿的运算放大器组成，专门设计用于在宽电压范围内由单电源供电。低功耗电源电流与电源电压的大小无关。应用领域包括传感器放大器、直流增益模块和所有传统的运算放大器电路，现在可以更轻松地在单电源系统中实现。例如，这些电路可以直接由逻辑系统中使用的标准5V电源供电，并且无需额外的电源即可轻松提供所需的接口电子设备。在线性模式下，输入共模电压范围包括地，即使仅由单电源电压供电，输出电压也可以摆幅到地。

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￥1.2411
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￥0.9729
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￥0.8579

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型号：TSX562AIYST 编号：C2059287

封装：MiniSO-8

品牌：ST(意法半导体)

TSX56x、TSX56xA系列运算放大器采用16 V CMOS技术，能在最小的工业级封装中实现先进的精度和性能。TSX56x、TSX56xA的引脚排列与工业标准兼容，具备出色的速度/功耗比，在16 V电压下仅消耗250 μA电流，同时拥有900 kHz的增益带宽积。这些特性使TSX56x、TSX56xA非常适合用于传感器接口和工业信号调理

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￥7.6464 ￥12.96
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￥7.4753 ￥12.67
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￥7.3632 ￥12.48
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￥7.2511 ￥12.29

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型号：TSX562IQ2T 编号：C2058029

封装：TDFN-8(2x2)

品牌：ST(意法半导体)

TSX56x、TSX56xA系列运算放大器采用16 V CMOS技术，能在最小的工业级封装中实现先进的精度和性能。TSX56x、TSX56xA的引脚排列与工业标准兼容，具备出色的速度/功耗比，在16 V电压下仅消耗250 μA电流，同时拥有900 kHz的增益带宽积。这些特性使TSX56x、TSX56xA非常适合用于传感器接口和工业信号调理

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￥8.442 ￥18.76
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￥7.2 ￥16
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￥6.4215 ￥14.27
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￥5.625 ￥12.5
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￥5.265 ￥11.7
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￥5.112 ￥11.36

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型号：TSZ151ICT 编号：C24298792

封装：-

品牌：ST(意法半导体)

是单通道和双通道运算放大器，具有极低失调电压，且几乎不会随温度变化而漂移。提供轨到轨输入和输出，具备出色的速度/功耗比，增益带宽积为1.6MHz，在5V电压下仅消耗210μA电流。还具有超低输入偏置电流，非常适合高精度传感器接口。

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￥8.528 ￥13.12
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￥5.72 ￥8.8
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￥5.3625 ￥8.25
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￥5.2065 ￥8.01

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型号：MP23DB01HPTR 编号：C3171836

封装：RHLGA-5(2.7x3.5)

品牌：ST(意法半导体)

MEMS 音频传感器多性能模式数字麦克风

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￥9.94
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￥7.46
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￥6.49

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型号：STM32F103VBT7 编号：C1338979

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU 内核，最高频率 72 MHz，在 0 等待状态内存访问时，性能为 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64 或 128 Kbytes 的闪存和 20 Kbytes 的 SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O，POR、PDR 和可编程电压检测器（PVD），4 至 16 MHz 晶体振荡器，内部 8 MHz 工厂校准 RC，内部 40 kHz RC，用于 CPU 时钟的 PLL，带校准的 32 kHz 振荡器用于 RTC。低功耗睡眠、停止和待机模式，VBAT 为 RTC 和备份寄存器供电。 2×12 位、1 μs A/D 转换器（最多 16 通道），转换范围：0 至 3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7 通道 DMA 控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPIs、I²C 和 USARTs

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1+
￥55.19
10+
￥47.33
30+
￥42.55

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型号：STM32F103VBT6TR 编号：C2053830

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU 内核，最高频率 72 MHz，在 0 等待状态内存访问时，性能为 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64 或 128 Kbytes 的闪存和 20 Kbytes 的 SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O，POR、PDR 和可编程电压检测器（PVD），4 至 16 MHz 晶体振荡器，内部 8 MHz 工厂校准 RC，内部 40 kHz RC，用于 CPU 时钟的 PLL，带校准的 32 kHz 振荡器用于 RTC。低功耗睡眠、停止和待机模式，VBAT 为 RTC 和备份寄存器供电。 2×12 位、1 μs A/D 转换器（最多 16 通道），转换范围：0 至 3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7 通道 DMA 控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPIs、I²C 和 USARTs

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￥13.58
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￥13.3
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￥11.38

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型号：STM32MP135FAE7 编号：C7501745

封装：LFBGA-289(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 32位Arm Cortex-A7内核，L1为32K字节指令缓存/32K字节数据缓存，128K字节统一二级缓存，具备Arm NEON和Arm TrustZone。外部DDR内存高达1GB，支持LPDDR2/LPDDR3-1066 16位、DDR3/DDR3L-1066 16位；168K字节内部SRAM，包括128K字节AXI SYSRAM、32K字节AHB SRAM和8K字节备份域SRAM；双Quad-SPI内存接口；灵活的外部内存控制器，数据总线高达16位，可连接外部IC和SLC NAND内存，具备高达8位ECC。安全启动，TrustZone外设，12个防篡改引脚（包括5个主动防篡改引脚），具备温度、电压、频率和32kHz监控功能。 I/O电源为1.71V至3.6V（5V耐压I/O），具备POR、PDR、PVD和BOR，片上LDO（USB 1.8V、1.1V），备份稳压器（约0.9V），内部温度传感器，低功耗模式包括睡眠、停止、LPLV-停止、LPLV-停止2和待机模式，待机模式下DDR保留，可控制PMIC配套芯片。内部振荡器包括64MHz HSI振荡器、4MHz CSI振荡器、32kHz LSI振荡器；外部振荡器包括8-48MHz HSE振荡器、32.768kHz LSE振荡器；4个带分数模式的PLL。多达135个具备中断能力的安全I/O端口，多达6个唤醒功能。 2个总线矩阵，64位Arm AMBA AXI互连，最高266MHz；32位Arm AMBA AHB互连，最高209MHz

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￥79.49
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￥75.42
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￥68.38

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型号：STM32F103VGT7 编号：C83182

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU，带MPU，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。内存：768 KB至1 MB的闪存，96 KB的SRAM，带有4个片选的灵活静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存，LCD并行接口，8080/6800模式。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz带校准的RC，32 kHz带校准的RTC振荡器。低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 3个12位、1 μs A/D转换器（最多21个通道），转换范围：0至3.6 V，三重采样和保持能力，温度传感器。 2个12位D/A转换器

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型号：LM258YPT 编号：C2059473

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

这些电路由两个独立的、高增益的、内部频率补偿的运放组成，专门设计用于在宽电压范围内从单一电源供电。低功耗电源汲取与电源电压幅值无关。应用领域包括传感器放大器、直流增益模块以及所有传统的运放电路，现在可以更轻松地在单电源系统中实现。例如，这些电路可以直接由标准 5 V 供电，该电压用于逻辑系统，并且可以轻松提供所需的接口电子设备，而无需额外的电源。在线性模式下，输入共模电压范围包括地，并且输出电压也可以摆动至地，即使仅从单一电源电压供电。

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型号：LM358AWDT 编号：C2969987

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

电路由两个独立的高增益运算放大器组成，采用内部频率补偿，专为在宽电压范围内的单电源下工作而设计。低功耗电源电流与电源电压大小无关。应用领域包括传感器放大器、直流增益模块和所有传统运算放大器电路，现在可以更轻松地在单电源系统中实现。例如，这些电路可以直接由逻辑系统中使用的标准 +5V 供电，并且无需额外电源即可轻松提供所需的接口电子设备。在线性模式下，输入共模电压范围包括地。即使在单电源电压下工作，输出电压也可以摆幅至地。

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