ST传感器_厂家_价格_品牌_库存

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型号：STEVAL-MKI031V1 编号：C19561095

封装：-

品牌：ST(意法半导体)

1+
￥1990.41
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￥794.19
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￥767.65
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￥754.54

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型号：STEVAL-MKI041V1 编号：C17260066

封装：-

品牌：ST(意法半导体)

1+
￥2011.07
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￥802.43
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￥775.62
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￥762.37

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型号：STEVAL-MKI035V1 编号：C19421146

封装：-

品牌：ST(意法半导体)

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￥2062.72
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￥823.04
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￥795.54
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￥781.95

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型号：STEVAL-BFA001V1B 编号：C17260910

封装：-

品牌：ST(意法半导体)

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￥2116.57
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￥844.53
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￥816.31
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￥802.36

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型号：STV-974/552S-R01 编号：C19561509

封装：-

品牌：ST(意法半导体)

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￥2183.23
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￥871.13
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￥842.02
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￥827.63

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型号：AEKD-BLINDSPOTA1 编号：C17513251

封装：-

品牌：ST(意法半导体)

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￥2253.31
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￥2116.31
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￥2045.59
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型号：STEVAL-ICB004V1 编号：C19319873

封装：-

品牌：ST(意法半导体)

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￥2307.06
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￥920.54
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￥889.78
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￥874.58

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型号：IMG-524-P01 编号：C19737999

封装：-

品牌：ST(意法半导体)

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￥2312.9
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￥2172.27
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￥2099.68
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￥2063.82

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型号：STEVAL-IFS007V1 编号：C19510593

封装：-

品牌：ST(意法半导体)

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￥2326.45
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￥928.27
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￥897.25
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￥881.93

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型号：STEVAL-MKI111V1 编号：C19498980

封装：-

品牌：ST(意法半导体)

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￥2379.72
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￥949.53
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￥917.8
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￥902.12

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型号：STEVAL-IFS003V1 编号：C19439887

封装：-

品牌：ST(意法半导体)

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￥3203.06
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￥1278.04
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￥1235.34
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型号：STEVAL-IFS012V1 编号：C19602614

封装：-

品牌：ST(意法半导体)

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￥3333.35
200+
￥1330.03
500+
￥1285.59
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￥1263.63

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型号：STM8/128-EV/TS 编号：C17329484

封装：-

品牌：ST(意法半导体)

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￥3568.02
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￥1423.67
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￥1376.09
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￥1352.59

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型号：STEVAL-MKI062V1 编号：C17525802

封装：-

品牌：ST(意法半导体)

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￥4630.54
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￥1847.62
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￥1785.88
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￥1755.37

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型号：STV-674/502V-R01 编号：C19343022

封装：-

品牌：ST(意法半导体)

1+
￥7859.61
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￥3136.04
500+
￥3031.25
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￥2979.46

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型号：STV-676-E01 编号：C19279663

封装：-

品牌：ST(意法半导体)

1+
￥8711.07
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￥3475.78
500+
￥3359.63
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￥3302.24

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型号：SPT01-335DEE 编号：C1975840

封装：QFN-9(3x3)

品牌：ST(意法半导体)

SPT01-335专为保护24 V接近传感器而设计。它实现了传感器电源的反极性和过压保护，以及电源开关的过压保护。它提供了一种非常紧凑且灵活的解决方案，为PNP或NPN传感器提供两种连接方式。得益于意法半导体（ST）的高性能技术，SPT01-335能为接近传感器提供最高级别的保护，符合IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4和IEC 60947-5-2 / IEC 61000-4-5标准。

数据手册

1+
￥5.33
10+
￥4.31
30+
￥3.81
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￥3.3
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￥3
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￥2.85

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型号：STM32MP135AAE3 编号：C19191778

封装：LFBGA-289(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含ST先进的专利技术。 32位Arm Cortex-A7内核，L1为32Kbyte指令缓存/32Kbyte数据缓存，128Kbyte统一二级缓存，具备Arm NEON和Arm TrustZone。外部DDR内存最大1Gbyte，支持LPDDR2/LPDDR3-1066 16位、DDR3/DDR3L-1066 16位；168Kbytes内部SRAM（128Kbytes AXI SYSRAM + 32Kbytes AHB SRAM + 8Kbytes备份域SRAM）；双Quad-SPI内存接口；灵活的外部内存控制器，最大16位数据总线。 TrustZone外设，12个防篡改引脚（包括5个有源防篡改），具备温度、电压、频率和32kHz监测功能。 1.71V至3.6V I/O电源（5V耐受I/O），POR、PDR、PVD和BOR，片上LDO（USB 1.8V、1.1V），备份稳压器（~0.9V），内部温度传感器，低功耗模式（睡眠、停止、LPLV-停止、LPLV-停止2和待机）。内部振荡器（64MHz HSI振荡器、4MHz CSI振荡器、32kHz LSI振荡器），外部振荡器（8-48MHz HSE振荡器、32.768kHz LSE振荡器），4个带分数模式的PLL。最多135个具备中断能力的安全I/O端口，最多6个唤醒功能。 2个总线矩阵，64位Arm AMBA AXI互连（最高266MHz），32位Arm AMBA AHB互连（最高209MHz）

1+
￥71.83
10+
￥61.35
30+
￥54.97

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型号：X-NUCLEO-NFC08A1 编号：C22406470

封装：-

品牌：ST(意法半导体)

该扩展板配置为支持 ISO14443A/B、ISO15693、FeiCa 和 AP2P 通信。ST25R3916B 在标准应用的读取器模式下管理帧编码和解码,如 NFC、近场和近邻高频 RFID 标准。它支持 ISO/IEC 14443 类型 A 和 B、ISO/IEC 15693(仅单副载波)和 ISO/IEC 18092 通信协议,以及 NFC 论坛类型 1、2、3、4 和 5 标签的检测、读取和写入。板载低功耗电容式传感器可在不开启读取器场的情况下实现超低功耗唤醒,并可选择传统电感式唤醒以进行幅度或相位测量。自动天线调谐 (AAT) 技术可在靠近金属部件和/或变化的环境中运行。

1+
￥397.49
30+
￥378.9

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型号：LM358DT 编号：C9418

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

这些电路由两个独立的、高增益的、内部频率补偿的运放组成，专门设计用于在宽电压范围内从单一电源供电。低功耗电源汲取与电源电压幅值无关。应用领域包括传感器放大器、直流增益模块以及所有传统的运放电路，现在可以更轻松地在单电源系统中实现。例如，这些电路可以直接由标准 5 V 供电，该电压用于逻辑系统，并且可以轻松提供所需的接口电子设备，而无需额外的电源。在线性模式下，输入共模电压范围包括地，并且输出电压也可以摆动至地，即使仅从单一电源电压供电。

数据手册

5+
￥0.3953
50+
￥0.3197
150+
￥0.2808
1250+
￥0.2488
2500+
￥0.2376
5000+
￥0.23

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型号：LM2904DT 编号：C105411

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

该电路由两个独立的高增益运算放大器组成，内部实现了频率补偿。它们专为汽车和工业控制系统设计。该电路可在宽范围电压的单电源下工作。低电源电流消耗与电源电压大小无关。应用领域包括传感器放大器、直流增益模块以及所有传统运算放大器电路，现在可以更轻松地在单电源系统中实现。例如，这些电路可以直接由逻辑系统中使用的标准5V电源供电，并且无需任何额外电源即可轻松提供所需的电子接口。在线性模式下，即使在单电源下工作，输入共模电压范围也包括地，输出电压也可以摆幅到地。

数据手册

10+
￥0.3627
100+
￥0.2873
300+
￥0.2486
2500+
￥0.2167
5000+
￥0.2056
10000+
￥0.198

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型号：LM258DT 编号：C75472

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

这些电路由两个独立的、高增益的、内部频率补偿的运放组成，专门设计用于在宽电压范围内从单一电源供电。低功耗电源汲取与电源电压幅值无关。应用领域包括传感器放大器、直流增益模块以及所有传统的运放电路，现在可以更轻松地在单电源系统中实现。例如，这些电路可以直接由标准 5 V 供电，该电压用于逻辑系统，并且可以轻松提供所需的接口电子设备，而无需额外的电源。在线性模式下，输入共模电压范围包括地，并且输出电压也可以摆动至地，即使仅从单一电源电压供电。

数据手册

10+
￥0.3869
100+
￥0.3085
300+
￥0.2683
2500+
￥0.2277
5000+
￥0.2162
10000+
￥0.2083

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型号：STM32F103CBT6 编号：C8304

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32位Cortex-M3 CPU内核，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC，用于CPU时钟的PLL，带校准的32 kHz振荡器用于RTC。低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器（最多16个通道），转换范围：0至3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7通道DMA控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPI、I²C和USART

数据手册

1+
￥11.06
10+
￥9.62
30+
￥8.6
250+
￥7.67
500+
￥7.25
1000+
￥7.07

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型号：STM32F103RBT6 编号：C8735

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32位Cortex-M3 CPU内核，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC，用于CPU时钟的PLL，带校准的32 kHz振荡器用于RTC。低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器（最多16个通道），转换范围：0至3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7通道DMA控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPI、I²C和USART

数据手册

1+
￥14.91
10+
￥12.99
30+
￥11.62
100+
￥10.38
500+
￥9.81
1000+
￥9.58

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型号：STM32F103RCT6TR 编号：C39704

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），单周期乘法和硬件除法。存储器：256至512 Kbytes的闪存，高达64 Kbytes的SRAM，具有4个片选的灵活静态存储器控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器，LCD并行接口，8080/6800模式。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC带校准，32 kHz振荡器用于RTC带校准。低功耗：睡眠、停止和待机模式，V_BAT为RTC和备份寄存器供电。 3个12位、1 μs A/D转换器（最多21个通道），转换范围：0至3.6 V，三重采样和保持能力，温度传感器，2个12位D/A转换器。 DMA：12通道DMA控制器，支持的外设：定时器、ADC、DAC、SDIO、I²Ss、SPIs、I²C和USART

数据手册

1+
￥14.52
10+
￥12.66
30+
￥11.34
100+
￥9.86
500+
￥9.3
1000+
￥9.08

有货

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型号：STM32F103R8T6 编号：C46034

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32位Cortex-M3 CPU内核，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC，用于CPU时钟的PLL，带校准的32 kHz振荡器用于RTC。低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器（最多16个通道），转换范围：0至3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7通道DMA控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPI、I²C和USART

数据手册

1+
￥15.42
10+
￥13.47
30+
￥12.1
100+
￥10.84
500+
￥10.26
1000+
￥10.03

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型号：STM32F103T8U6 编号：C19671

封装：VFQFPN-36(6x6)

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32位Cortex-M3 CPU内核，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC，用于CPU时钟的PLL，带校准的32 kHz振荡器用于RTC。低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器（最多16个通道），转换范围：0至3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7通道DMA控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPI、I²C和USART

数据手册

1+
￥18.82
10+
￥16.36
30+
￥14.87
100+
￥13.19
490+
￥12.59
980+
￥12.33

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型号：STM32F103VBT6 编号：C8314

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32位Cortex-M3 CPU内核，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC，用于CPU时钟的PLL，带校准的32 kHz振荡器用于RTC。低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器（最多16个通道），转换范围：0至3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7通道DMA控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPI、I²C和USART

数据手册

1+
￥16.19
10+
￥14.13
30+
￥12.68
100+
￥10.23
500+
￥9.62
1000+
￥9.37

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型号：LM358ADT 编号：C92457

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

这些电路由两个独立的、高增益的、内部频率补偿的运放组成，专门设计用于在宽电压范围内从单一电源供电。低功耗电源汲取与电源电压幅值无关。应用领域包括传感器放大器、直流增益模块以及所有传统的运放电路，现在可以更轻松地在单电源系统中实现。例如，这些电路可以直接由标准 5 V 供电，该电压用于逻辑系统，并且可以轻松提供所需的接口电子设备，而无需额外的电源。在线性模式下，输入共模电压范围包括地，并且输出电压也可以摆动至地，即使仅从单一电源电压供电。

数据手册

5+
￥0.5611
50+
￥0.4449
150+
￥0.3867
500+
￥0.3431
2500+
￥0.2792
5000+
￥0.2618

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型号：STM32F103TBU6 编号：C8363

封装：VFQFPN36(6x6)

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32位Cortex-M3 CPU内核，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC，用于CPU时钟的PLL，带校准的32 kHz振荡器用于RTC。低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器（最多16个通道），转换范围：0至3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7通道DMA控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPI、I²C和USART

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1+
￥29.91
10+
￥25.8
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￥22.3
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