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IL600系列是具有CMOS输出的无源输入数字信号隔离器。与光耦合器相比，它们接口相似，但性能更优，封装密度更高。这些器件采用NVE获得专利的IsoLoop自旋电子巨磁阻（GMR）技术制造，具有尺寸小、速度快和功耗低的特点。独特的陶瓷/聚合物复合隔离层提供了出色的隔离性能，且隔离层寿命几乎无限。通过一个电阻设置输入电流；与限流电阻并联的电容可改善动态性能。这些多功能组件可替代各种光耦合器，适用于广泛的数据速率、边沿速度和电源电平，从而简化了库存需求。这些器件有多种封装形式，也提供裸片。

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型号：IL 712S-3E 编号：C6968629

封装：SOIC-8

品牌：NVE

高速数字隔离器是采用专利的自旋电子巨磁阻（GMR）技术制造的CMOS器件。独特的陶瓷/聚合物复合屏障提供出色的隔离和几乎无限的屏障寿命。两个通道的典型数据速率为150 Mbps。标准和S级部件的温度范围为 -40℃至 +100℃，“T”和“V”级部件的最高工作温度为125℃。V级版本为宽体封装提供0 kVRMS的极高隔离电压，为MSOP提供2.5 kVRMS的隔离电压。对称磁耦合屏障的典型传播延迟仅为10 ns，脉冲宽度失真低至300 ps（0.3 ns）。最小瞬态抗扰度为100 kV/μs。

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型号：IL261-1E 编号：C224322

封装：QSOP-16-150mil

品牌：NVE

通用数字隔离器 2500Vrms pval(2093) 通道 110Mbps 30kV/?s CMTI

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型号：IL610A-2E 编号：C224359

封装：PDIP-8

品牌：NVE

IL600A系列是带漏极开路输出的隔离信号耦合器。与光耦合器相比，它们接口相似，但性能更优，封装密度更高。这些器件采用NVE专利的自旋电子巨磁阻（GMR）技术制造，具有尺寸小、速度快和功耗低的特点。独特的陶瓷/聚合物复合隔离层提供了出色的隔离性能，且隔离层寿命几乎无限。通过一个电阻设置输入电流；与限流电阻并联的电容可改善动态性能。这些多功能组件可替代各种光耦合器，能在很宽的数据速率、边沿速度和电源电平范围内工作，从而简化了库存需求。器件有MSOP、SOIC和PDIP封装，也提供裸片形式。

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型号：IL515E 编号：C224333

封装：SOIC-16-300mil

品牌：NVE

隔离器是低成本隔离器，工作速度高达 2 Mbps，工作温度范围为 -40°C 至 85°C。设备采用 NVE 获得专利的 IsLoop 自旋电子巨磁阻 (GMR) 技术。独特的陶瓷/聚合物复合屏障可提供出色的隔离效果和几乎无限的屏障寿命。

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型号：IL715E 编号：C224296

封装：SOIC-16-300mil

品牌：NVE

采用专利的IsoLoop自旋电子巨磁阻（GMR）技术制造的CMOS器件。独特的陶瓷/聚合物复合屏障可提供出色的隔离效果和几乎无限的屏障寿命。所有发射和接收通道在全温度和电源电压范围内均以110 Mbps的速度运行。对称磁耦合屏障的典型传播延迟仅为10 ns，脉冲宽度失真为2 ns，达到了任何隔离器的最佳规格

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型号：DC002-10E 编号：C236536

封装：DFN-6-EP(2.5x2.5)

品牌：NVE

直流串联稳压器专为恶劣、嘈杂的环境而设计，这类环境需要具备对大电压瞬变和高输入电压的抗扰能力。这些稳压器在提供稳定的稳压电源的同时，还能保护敏感的电子元件。它们可在高达170°C的高温环境下工作

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型号：IL3085E 编号：C224336

封装：SOIC-16-300mil

品牌：NVE

是一种电流隔离的高速差分总线收发器，专为平衡传输线上的双向数据通信而设计。使用NVE获得专利的IsoLoop自旋电子巨磁电阻（GMR）技术。独特的陶瓷/聚合物复合屏障可提供出色的隔离效果和几乎无限的屏障寿命。宽体版本可提供真正的8mm爬电距离。窄体和QSOP封装可实现前所未有的小型化。在27Ω负载下可提供至少1.5V的电压，以确保在长电缆长度上实现出色的数据完整性。与3V输入电源兼容，无需额外的电平转换即可连接标准微控制器。限流和热关断功能可防止输出短路和总线争用，避免产生过多的功耗。接收器输入采用“开路失效保护”设计，确保在A/B浮空时R输出为逻辑高电平。

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型号：IL514-3ETR7 编号：C211673

封装：SOIC-16

品牌：NVE

数字隔离器

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型号：IL611A-3E 编号：C224366

封装：SOIC-8

品牌：NVE

IL600A系列是带漏极开路输出的隔离信号耦合器。与光耦合器相比，它们接口相似，但性能更优，封装密度更高。这些器件采用NVE专利的自旋电子巨磁阻（GMR）技术制造，具有尺寸小、速度快和功耗低的特点。独特的陶瓷/聚合物复合隔离层提供了出色的隔离性能，且隔离层寿命几乎无限。通过一个电阻设置输入电流；与限流电阻并联的电容可改善动态性能。这些多功能组件可替代各种光耦合器，能在很宽的数据速率、边沿速度和电源电平范围内工作，从而简化了库存需求。器件有MSOP、SOIC和PDIP封装，也提供裸片形式。

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型号：IL261E 编号：C224321

封装：SOIC-16-300mil

品牌：NVE

采用专利的IsoLoop自旋电子巨磁阻（GMR）技术制造的CMOS器件。独特的陶瓷/聚合物复合屏障提供出色的隔离性能和几乎无限的屏障寿命。所有发射和接收通道在全温度和电源电压范围内以110 Mbps的速度运行。对称磁耦合屏障的典型传播延迟仅为10 ns，脉冲宽度失真为2 ns，达到任何隔离器的最佳规格

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型号：IL3422-3E 编号：C224347

封装：SOIC-16

品牌：NVE

IL3485和IL3422是电流隔离型差分总线收发器，专为平衡传输线上的双向数据通信而设计。这些器件采用了NVE公司获得专利的IsoLoop自旋电子巨磁阻（GMR）技术。IL3485在54Ω负载下可提供至少1.5V的电压，IL3422在100Ω负载下可提供至少2V的电压，确保长电缆上的数据具有出色的完整性

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型号：IL3085-1E 编号：C224337

封装：QSOP-16-150mil

品牌：NVE

是一种电流隔离的高速差分总线收发器，专为平衡传输线上的双向数据通信而设计。使用NVE获得专利的IsoLoop自旋电子巨磁电阻（GMR）技术。独特的陶瓷/聚合物复合屏障可提供出色的隔离效果和几乎无限的屏障寿命。宽体版本可提供真正的8mm爬电距离。窄体和QSOP封装可实现前所未有的小型化。在27Ω负载下可提供至少1.5V的电压，以确保在长电缆长度上实现出色的数据完整性。与3V输入电源兼容，无需额外的电平转换即可连接标准微控制器。限流和热关断功能可防止输出短路和总线争用，避免产生过多的功耗。接收器输入采用“开路失效保护”设计，确保在A/B浮空时R输出为逻辑高电平。

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型号：IL3122E 编号：C224339

封装：SOIC-16-300mil

品牌：NVE

是电流隔离的差分总线收发器，设计用于通过平衡传输线进行双向数据通信。采用NVE获得专利的IsoLoop自旋电子巨磁电阻（GMR）技术。能在长电缆上实现出色的数据完整性。还与3V输入电源兼容，允许在无额外电平转换的情况下连接标准微控制器。具有限流和热关断功能，可防止输出短路和总线争用，避免产生过大的功耗。接收器还采用了“开路故障保护”设计，可确保在总线线路断开或“浮动”时，R端为逻辑高电平。

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型号：IL260VE 编号：C224320

封装：SOIC-16-300mil

品牌：NVE

采用专利的IsoLoop自旋电子巨磁阻（GMR）技术制造的CMOS器件。独特的陶瓷/聚合物复合屏障提供出色的隔离性能和几乎无限的屏障寿命。所有发射和接收通道在全温度和电源电压范围内以110 Mbps的速度运行。对称磁耦合屏障的典型传播延迟仅为10 ns，脉冲宽度失真为2 ns，达到任何隔离器的最佳规格

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