角度传感器_厂家_价格_品牌_库存

封装：TSSOP-16-EP

是一种无磁感应式位置传感器IC，可用于汽车、工业、医疗和消费应用中的高速绝对位置传感。使用涡流物理原理来检测在一组线圈上方移动的简单金属目标的位置，该组线圈由一个发射线圈和两个接收线圈组成。三个线圈通常作为铜走线印刷在印刷电路板（PCB）上，发射线圈在两个接收线圈中感应出二次电压，该电压取决于金属目标在线圈上方的位置。通过解调并处理来自接收线圈的二次电压，可获得代表目标在线圈上位置的信号，目标可以是任何金属，如铝、钢或带有印刷铜层的PCB

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型号：KMXP2000 编号：C22418515

封装：DFN-12-EP(2x6)

品牌：TE Connectivity(泰科电子)

位置传感器在许多工业、机器人和医疗应用中发挥着越来越重要的作用。先进的恶劣环境应用需要即使暴露在油污、灰尘中也能良好运行的传感器。磁阻技术和可用的外形使其能满足这些需求。该传感器比常用的霍尔传感器提供更高的精度，旨在恶劣环境（包括高温环境）中提供可靠和准确的测量。传感器的测量原理基于各向异性磁阻效应（AMR效应）。传感器有两种不同的DFN封装，提供多种方向选择。这些封装可以轻松集成到几乎任何自动化组装过程中。

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型号：SCL3300-D01-004 编号：C910587

封装：SMD-12P

品牌：muRata(村田)

SCL3300 - D01是一款高性能倾角传感器组件。它是一款基于成熟的电容式3D - MEMS技术、具备角度输出功能的三轴倾角传感器。信号处理由带有灵活SPI数字接口的混合信号ASIC完成

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型号：RD7121004C 编号：C1322554

封装：DIP-5

品牌：ALPSALPINE(阿尔卑斯阿尔派)

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型号：RDC50C001A 编号：C2687315

封装：-

品牌：ALPSALPINE(阿尔卑斯阿尔派)

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型号：RD602B016A 编号：C2687308

封装：SIP-3

品牌：ALPSALPINE(阿尔卑斯阿尔派)

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型号：RD602C003A 编号：C2687309

封装：SIP-3

品牌：ALPSALPINE(阿尔卑斯阿尔派)

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型号：RD602B014B 编号：C2687307

封装：SIP-3

品牌：ALPSALPINE(阿尔卑斯阿尔派)

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型号：RDC1032A0F 编号：C2687312

封装：-

品牌：ALPSALPINE(阿尔卑斯阿尔派)

特性：使用温度范围：-30℃~+85℃。保存温度范围：-40℃~+90℃。外观良好，无过度生锈、裂纹、电镀不良和变色。机械行程：符合附图组件装配图。实际行程：B-A为实际行程。有效行程：B'-A'为有效行程。操作力：0.25N以下，杠杆移动速度5mm/s。限位器强度：在机械行程两端位置，杠杆距框架表面2mm处施加10N静载荷10秒后，传感器无间歇性接触或过度机械损坏。推拉杠杆：从与杠杆平行方向对杠杆施加10N静载荷10秒后，传感器无间歇性接触或过度机械损坏。杠杆摆动：1.8mm p-p最大值。杠杆倾斜和扭曲：2度最大值。杠杆偏差：0.5mm以下

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型号：HMC1512-TR 编号：C93143

封装：SOIC-8

品牌：Honeywell(霍尼韦尔)

用于线性、角度或旋转位移的微型表面贴装传感器，专为磁饱和场感应而设计。HMC1501包含一个单饱和模式惠斯通电桥感应元件，可根据通过传感器表面的磁通量方向产生输出电压。HMC1512包含两个共置的饱和模式惠斯通电桥元件，可提供更大范围的角位移。两种传感器类型都是高产量OEM设计的经济高效且节省空间的解决方案。

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型号：ADA4571BRZ-R7 编号：C654133

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

是各向异性磁阻（AMR）传感器，集成信号调节放大器和ADC驱动器。可产生两个模拟输出，指示周围磁场的角位置。由一个封装内的两个管芯组成，即AMR传感器和固定增益（标称G = 40）仪表放大器。可提供与旋转磁场角度相关的干净且放大的余弦和正弦输出信号。输出电压范围与电源电压成比例。传感器包含两个惠斯通电桥，彼此相对成45°角。x-y传感器平面中的旋转磁场可提供两个正弦输出信号，其频率是传感器与磁场方向之间角度的两倍。在x-y平面的均匀磁场中，输出信号与z方向（气隙）的物理位置无关。采用8引脚SOIC封装。

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型号：MA734GQ-Z 编号：C3825456

封装：QFN-16(3x3)

品牌：MPS(芯源)

用于检测永久磁铁的绝对角位置，通常是旋转轴上的径向磁化圆柱体。快速的数据采集和处理，可提供从静态角度测量到高速旋转的精确角度测量。数字滤波可调，可在伺服电机应用中优化控制回路性能。支持广泛的磁场强度和空间配置，包括轴端和侧轴（离轴安装）配置。检测磁场强度，包括可配置的阈值，可用于按钮式人机界面 (HMI) 应用或诊断目的。片上非易失性存储器 (NVM) 用于存储配置参数，如参考零角度和磁场检测阈值。也可以在不访问 NVM 的情况下使用易失性寄存器对其进行编程。采用 QFN-16 (3mmx3mm) 封装。

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型号：RD1030211A 编号：C336011

封装：-

品牌：ALPSALPINE(阿尔卑斯阿尔派)

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型号：RD6R1A0008 编号：C470631

封装：SIP-3

品牌：ALPSALPINE(阿尔卑斯阿尔派)

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型号：RDC502012A 编号：C351172

封装：SIP-3

品牌：ALPSALPINE(阿尔卑斯阿尔派)

额定电压5V DC,动作寿命100万次，总电阻值10kΩ，使用温度范围-40℃ to＋120℃，线性保证范围320°，线性±2%，可满足所有位置检测需要的旋转型传感器

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型号：MLX90340LDC-AAA-000-RE 编号：C2153667

封装：SOIC-8

品牌：Melexis(比利时迈来芯)

对垂直和平行于IC表面施加的磁通密度敏感。对施加到IC的磁通密度的三个分量（即Bx、By和Bz）敏感。这使得其配合正确的磁路能够解码任何移动磁体的绝对位置（例如0至360度的旋转位置或线性位移）。它能够设计出新一代非接触式位置传感器，常用于重型和工业应用。报告与可编程线性霍尔传感器兼容的可编程比例模拟输出信号。通过编程，还可提供数字PWM（脉冲宽度调制）输出特性。

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型号：MT6501GT-ADD 编号：C7431278

封装：TSSOP-16

品牌：MagnTek(麦歌恩)

MT6501是新一代基于先进的各向异性磁阻（AMR）技术的角度位置传感器芯片。该芯片内部集成了互成45°摆放的两对AMR惠斯通电桥组成的敏感元件以及高性能的专用信号处理电路。由于AMR器件在用作角度测量应用的时候工作于饱和区（饱和磁场为300高斯），实际工作时，芯片只对平行于芯片表面的磁场的方向变化做出响应，而与磁场强度无关。因此MT6501在使用过程中，对于磁铁本身的加工误差以及磁铁和芯片的安装距离误差要求相对较低。

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型号：MT6501GT-ADD 编号：C5451786

封装：TSSOP-16

品牌：MagnTek(麦歌恩)

MT6501是新一代基于先进的各向异性磁阻（AMR）技术的角度位置传感器芯片。该芯片内部集成了互成45°摆放的两对AMR惠斯通电桥组成的敏感元件以及高性能的专用信号处理电路。由于AMR器件在用作角度测量应用的时候工作于饱和区（饱和磁场为300高斯），实际工作时，芯片只对平行于芯片表面的磁场的方向变化做出响应，而与磁场强度无关。因此MT6501在使用过程中，对于磁铁本身的加工误差以及磁铁和芯片的安装距离误差要求相对较低。

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型号：KTH7112-QN16 编号：C50331731

封装：QFN-16L(3x3)

品牌：CONNTEK(昆泰芯)

16 位高速高精度离轴磁编码器，可编程 ABZ/UVW/PWM/SPI/SSI 多模式输出角度传感器，离轴精度±0.2°

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型号：TLE5309DE2211XUMA1 编号：C2655219

封装：SO-16

品牌：Infineon(英飞凌)

是一个具有模拟输出的多样化冗余角度传感器。它将用于360°全角度范围的巨磁阻（GMR）传感器与用于高精度的各向异性磁阻（AMR）传感器以倒装配置组合在一个封装中。磁阻（MR）元件测量旋转磁场的正弦和余弦角度分量。传感器分别提供模拟正弦和余弦输出电压，描述0至180°（AMR传感器）和0至360°（GMR传感器）范围内的磁角度。差分MR电桥信号与磁场强度无关，模拟输出适用于差分或单端应用。输出电压旨在使用与传感器相同电源作为电压参考的A/D转换器的动态范围。两个传感器IC由独立的电源和接地引脚独立供电。

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型号：TLE5012BE3005XUMA1 编号：C2655217

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：WI-27-202 编号：C2910000

封装：-

品牌：BOCHEN(博晨)

特性：标称阻值范围:100Ω 500KΩ。阻值允许偏差:±10%。独立线性精度:±2%。额定功率:2W。残留阻值:1 2/2 3端子 < 10Ω。最高使电电压:线性电阻分布特性呈B型变化由AC500V逐渐变小AC250V。耐电压:1000V/2000VAC(1分钟)。防护等级:IP67。温度系数:±100ppm。全回转角度:360°。有效电气行程:300° ± 3°。回转转矩:500gf.cm 200gf.cm(旋转速度60°/1秒)。电阻体回转寿命特性:10万次。工作温度:-40°C~+125°C。储藏温度:-30°C~+70°C。标准包装:10只/盒

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型号：WI-27-102 编号：C2909999

封装：-

品牌：BOCHEN(博晨)

特性：标称阻值范围：100Ω-500KΩ。阻值允许偏差：±10%。独立线性精度：±2%。额定功率：2W。残留阻值：1-2/2-3端子 < 10Ω。最高使电电压：线性电阻分布特性呈B型变化，由AC500V逐渐变小至AC250V。耐电压：1000V/2000VAC（1分钟）。防护等级：IP67。温度系数：±100ppm。全回转角度：360°。有效电气行程：300°±3°。回转转矩：500gf.cm-200gf.cm（旋转速度60°/1秒）。电阻体回转寿命特性：10万次。工作温度：-40°C-+125°C。储藏温度：-30°C-+70°C。标准包装：10只/盒

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型号：WI-27-503 编号：C2910004

封装：-

品牌：BOCHEN(博晨)

特性：标称阻值范围：100Ω—500KΩ。阻值允许偏差：±10%。独立线性精度：±2%。额定功率：2W。残留阻值：1-2/2-3端子 < 10Ω。最高使电电压：线性电阻分布特性呈B型变化，由AC500V逐渐变小至AC250V。耐电压：1000V/2000VAC（1分钟）。防护等级：IP67。温度系数：±100ppm。全回转角度：360°。有效电气行程：300°±3°。回转转矩：500gf.cm~200gf.cm（旋转速度60°/1秒）。电阻体回转寿命特性：10万次。工作温度：-40℃~ +125℃。储藏温度：-30℃~ +70℃。标准包装：10只/盒

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型号：WI-27-203 编号：C2910003

封装：-

品牌：BOCHEN(博晨)

特性：标称阻值范围：100Ω-500KΩ。阻值允许偏差：±10%。独立线性精度：±2%。额定功率：2W。残留阻值：1-2/2-3端子 < 10Ω。最高使电电压：线性电阻分布特性呈B型变化，由AC500V逐渐变小至AC250V。耐电压：1000V/2000VAC（1分钟）。防护等级：IP67。温度系数：±100ppm。全回转角度：360°。有效电气行程：300°±3°。回转转矩：500gf.cm-200gf.cm（旋转速度60°/1秒）。电阻体回转寿命特性：10万次。工作温度：-40°C-+125°C。储藏温度：-30°C-+70°C。标准包装：10只/盒

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型号：WI-27-502 编号：C2910001

封装：-

品牌：BOCHEN(博晨)

特性：标称阻值范围：100Ω-500KΩ。阻值允许偏差：±10%。独立线性精度：±2%。额定功率：2W。残留阻值：1-2/2-3端子 < 10Ω。最高使电电压：线性电阻分布特性呈B型变化，由AC500V逐渐变小至AC250V。耐电压：1000V/2000VAC（1分钟）。防护等级：IP67。温度系数：±100ppm。全回转角度：360°。有效电气行程：300° ± 3°。回转转矩：500gf.cm-200gf.cm（旋转速度60°/1秒）。电阻体回转寿命特性：10万次。工作温度：-40°C-+125°C。储藏温度：-30°C-+70°C。标准包装：10只/盒

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型号：AS5048B-HTSP-500 编号：C2655184

封装：TSSOP-14

品牌：ams(艾迈斯半导体)

是一款易于使用的360°角度位置传感器，具有14位高分辨率输出。该IC测量磁体旋转角度的绝对位置，由霍尔传感器、模数转换器和数字信号处理组成。磁体的绝对位置信息可通过PWM输出直接获取，并可通过标准SPI或高速I²C接口读出。零位置可通过SPI或I²C命令进行编程。这简化了整个系统的组装，因为磁体的零位置不需要机械对准。该传感器能够容忍未对准、气隙变化、温度变化以及外部磁场。其坚固性和较宽的温度范围（-40°C至150°C）使其非常适合在恶劣的工业和医疗环境中进行旋转角度传感。多个IC可以进行菊花链连接，以进行串行数据读出。内部稳压器允许该IC在3.5V或5V电源下工作。

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型号：RDC506A03A 编号：C28956301

封装：SMD

品牌：ALPSALPINE(阿尔卑斯阿尔派)

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型号：EVWAE4001B14 编号：C148308

封装：SMD-4P,12.6x10.6mm

品牌：PANASONIC(松下)

GS传感器

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型号：MT6501CT-ADD 编号：C5449396

封装：SOP-8

品牌：MagnTek(麦歌恩)

MT6501是新一代基于先进的各向异性磁阻（AMR）技术的角度位置传感器芯片。该芯片内部集成了互成45°摆放的两对AMR惠斯通电桥组成的敏感元件以及高性能的专用信号处理电路。由于AMR器件在用作角度测量应用的时候工作于饱和区（饱和磁场为300高斯），实际工作时，芯片只对平行于芯片表面的磁场的方向变化做出响应，而与磁场强度无关。因此MT6501在使用过程中，对于磁铁本身的加工误差以及磁铁和芯片的安装距离误差要求相对较低。

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