角度传感器_厂家_价格_品牌_库存

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型号：RD602C003A 编号：C2687309

封装：SIP-3

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型号：RD602B014B 编号：C2687307

封装：SIP-3

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型号：RDC506A03A 编号：C28956301

封装：SMD

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型号：MT6501GT-ADD 编号：C7431278

封装：TSSOP-16

MT6501是新一代基于先进的各向异性磁阻（AMR）技术的角度位置传感器芯片。该芯片内部集成了互成45°摆放的两对AMR惠斯通电桥组成的敏感元件以及高性能的专用信号处理电路。由于AMR器件在用作角度测量应用的时候工作于饱和区（饱和磁场为300高斯），实际工作时，芯片只对平行于芯片表面的磁场的方向变化做出响应，而与磁场强度无关。因此MT6501在使用过程中，对于磁铁本身的加工误差以及磁铁和芯片的安装距离误差要求相对较低。

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型号：MT6815CT-AAE-R 编号：C2979598

封装：SOP-8

磁性角度位置编码器传感器

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型号：WI-27-503 编号：C2910004

封装：-

特性：标称阻值范围：100Ω—500KΩ。阻值允许偏差：±10%。独立线性精度：±2%。额定功率：2W。残留阻值：1-2/2-3端子 < 10Ω。最高使电电压：线性电阻分布特性呈B型变化，由AC500V逐渐变小至AC250V。耐电压：1000V/2000VAC（1分钟）。防护等级：IP67。温度系数：±100ppm。全回转角度：360°。有效电气行程：300°±3°。回转转矩：500gf.cm~200gf.cm（旋转速度60°/1秒）。电阻体回转寿命特性：10万次。工作温度：-40℃~ +125℃。储藏温度：-30℃~ +70℃。标准包装：10只/盒

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￥25.3827 ￥49.77
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型号：WI-27-203 编号：C2910003

封装：-

特性：标称阻值范围：100Ω-500KΩ。阻值允许偏差：±10%。独立线性精度：±2%。额定功率：2W。残留阻值：1-2/2-3端子 < 10Ω。最高使电电压：线性电阻分布特性呈B型变化，由AC500V逐渐变小至AC250V。耐电压：1000V/2000VAC（1分钟）。防护等级：IP67。温度系数：±100ppm。全回转角度：360°。有效电气行程：300°±3°。回转转矩：500gf.cm-200gf.cm（旋转速度60°/1秒）。电阻体回转寿命特性：10万次。工作温度：-40°C-+125°C。储藏温度：-30°C-+70°C。标准包装：10只/盒

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型号：WI-27-102 编号：C2909999

封装：-

特性：标称阻值范围：100Ω-500KΩ。阻值允许偏差：±10%。独立线性精度：±2%。额定功率：2W。残留阻值：1-2/2-3端子 < 10Ω。最高使电电压：线性电阻分布特性呈B型变化，由AC500V逐渐变小至AC250V。耐电压：1000V/2000VAC（1分钟）。防护等级：IP67。温度系数：±100ppm。全回转角度：360°。有效电气行程：300°±3°。回转转矩：500gf.cm-200gf.cm（旋转速度60°/1秒）。电阻体回转寿命特性：10万次。工作温度：-40°C-+125°C。储藏温度：-30°C-+70°C。标准包装：10只/盒

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型号：WI-27-104 编号：C2910005

封装：-

特性：标称阻值范围：100Ω—500KΩ。阻值允许偏差：±10%。独立线性精度：±2%。额定功率：2W。残留阻值：1-2/2-3端子 < 10Ω。最高使电电压：线性电阻分布特性呈B型变化，由AC500V逐渐变小至AC250V。耐电压：1000V/2000VAC（1分钟）。防护等级：IP67。温度系数：±100ppm。全回转角度：360°。有效电气行程：300°±3°。回转转矩：500gf.cm~200gf.cm（旋转速度60°/1秒）。电阻体回转寿命特性：10万次。工作温度：-40°C~ +125°C。储藏温度：-30°C~ +70°C。标准包装：10只/盒

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型号：WI-27-502 编号：C2910001

封装：-

特性：标称阻值范围：100Ω-500KΩ。阻值允许偏差：±10%。独立线性精度：±2%。额定功率：2W。残留阻值：1-2/2-3端子 < 10Ω。最高使电电压：线性电阻分布特性呈B型变化，由AC500V逐渐变小至AC250V。耐电压：1000V/2000VAC（1分钟）。防护等级：IP67。温度系数：±100ppm。全回转角度：360°。有效电气行程：300° ± 3°。回转转矩：500gf.cm-200gf.cm（旋转速度60°/1秒）。电阻体回转寿命特性：10万次。工作温度：-40°C-+125°C。储藏温度：-30°C-+70°C。标准包装：10只/盒

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型号：WI-27-103 编号：C2910002

封装：-

特性：标称阻值范围：100Ω-500KΩ。阻值允许偏差：±10%。独立线性精度：±2%。额定功率：2W

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￥25.8804 ￥49.77
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型号：GP2Y0A51SK0F 编号：C390727

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品牌：SHARP(夏普)

是一种距离测量传感器单元，由PSD（位置敏感探测器）、红外LED（红外发射二极管）和信号处理电路集成组合而成。由于采用三角测量法，距离检测不易受物体反射率、环境温度和工作时间的影响。该设备输出与检测距离对应的电压，因此该传感器也可用作接近传感器。

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￥33
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型号：MA710GQ-Z 编号：C2909779

封装：QFN-16(3x3)

检测永磁体的绝对角位置，通常是旋转轴上的径向磁化圆柱体。快速数据采集和处理可在 0 至 60,000 rpm 的速度下提供精确的角度测量。特别适用于低磁场应用：侧轴配置或使用非稀土磁体。具有可编程阈值的磁场强度检测功能，可检测磁体相对于传感器的位置，以创建诸如轴向运动检测或诊断等功能。片上非易失性存储器可存储配置参数，包括参考零角度位置、ABZ 编码器设置和磁场检测阈值。

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￥33.3416
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￥26.5498
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￥23.8948
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型号：A1339LLPTR-DD-T 编号：C2153695

封装：TSSOP-24-EP

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

是一款360°角度传感器IC，基于磁性圆形垂直霍尔（CVH）技术提供非接触式高分辨率角位置信息。它具有片上系统（SoC）架构，包括CVH前端、数字信号处理和电机通信（UVW）或编码器输出（A、B、I）。还包括片上EEPROM技术，能够支持多达100次读写循环，用于校准参数的灵活生产线末端编程。适用于需要0°至360°角度测量的汽车应用，如电子动力转向（EPS）、旋转PRNDL和节气门系统。支持客户集成到安全关键应用中。有双芯片24引脚eTSSOP和单芯片14引脚TSSOP封装，封装为无铅（Pb），100%雾锡引脚框架电镀。

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￥75.38
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￥71.68
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￥65.29

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型号：RD602B004A 编号：C1322552

封装：插件

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￥4.74
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￥4.02

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型号：MT6501GT-ADD 编号：C5451786

封装：TSSOP-16

MT6501是新一代基于先进的各向异性磁阻（AMR）技术的角度位置传感器芯片。该芯片内部集成了互成45°摆放的两对AMR惠斯通电桥组成的敏感元件以及高性能的专用信号处理电路。由于AMR器件在用作角度测量应用的时候工作于饱和区（饱和磁场为300高斯），实际工作时，芯片只对平行于芯片表面的磁场的方向变化做出响应，而与磁场强度无关。因此MT6501在使用过程中，对于磁铁本身的加工误差以及磁铁和芯片的安装距离误差要求相对较低。

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型号：TLE5309DE2211XUMA1 编号：C2655219

封装：SO-16

品牌：Infineon(英飞凌)

是一个具有模拟输出的多样化冗余角度传感器。它将用于360°全角度范围的巨磁阻（GMR）传感器与用于高精度的各向异性磁阻（AMR）传感器以倒装配置组合在一个封装中。磁阻（MR）元件测量旋转磁场的正弦和余弦角度分量。传感器分别提供模拟正弦和余弦输出电压，描述0至180°（AMR传感器）和0至360°（GMR传感器）范围内的磁角度。差分MR电桥信号与磁场强度无关，模拟输出适用于差分或单端应用。输出电压旨在使用与传感器相同电源作为电压参考的A/D转换器的动态范围。两个传感器IC由独立的电源和接地引脚独立供电。

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￥21.09
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￥17.89
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型号：MLX90316KDC-BDG-100-RE 编号：C2655186

封装：SOIC-8

品牌：Melexis(比利时迈来芯)

是一款三轴旋转位置传感器，可提供在设备表面上方旋转的小偶极磁体（轴端磁体）的绝对角位置。由于其表面集成了磁集中器（IMC），该单片设备以非接触方式感应所施加磁通量密度的水平分量。这种应用于旋转位置传感器的独特传感原理，使得角位置在机械（气隙、轴偏移）公差范围内具有出色的鲁棒性。该水平分量的旋转可在宽范围（高达360°-完整旋转）内被感应，并由片上DSP（数字信号处理）进行处理，最终以比例模拟输出、PWM（脉宽调制）信号或通过3引脚SPI（串行接口）通道访问的14位数据形式报告磁体的绝对角位置

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1+
￥26.09
10+
￥25.54
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￥25.17
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￥24.79

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型号：MA780GQ-Z 编号：C17551692

封装：QFN-16(3x3)

是一款低功耗角度传感器，可检测永磁体的绝对角位置，如旋转轴上的径向磁化圆柱体。凭借其功率循环能力，该传感器针对需要低平均功率的应用进行了优化。可通过片上时钟或外部控制器控制时序。提供标志以检测可定义的角度变化量。支持广泛的磁场强度和空间配置，包括轴端和离轴（侧轴安装）配置。片上非易失性存储器（NVM）可存储配置参数，包括参考零角度位置、功率循环参数以及影响输出分辨率的滤波器窗口。采用QFN-16（3mmx3mm）封装。

1+
￥27.0353
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￥26.9369
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￥24.9871

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型号：MA736GGU-Z 编号：C17294861

封装：UTQFN-14(2x2)

用于检测永磁体的绝对角位置，通常是旋转轴上的径向磁化圆柱体。超小UTQFN封装，使其成为空间受限应用的理想解决方案。快速数据采集和处理，可提供从静态角度测量到高速旋转的精确角度测量。数字滤波可调节，以优化在伺服电机应用中的控制回路性能。支持广泛的磁场强度和空间配置，支持轴端和侧轴（离轴安装）配置。检测磁场强度，并包括可用于诊断目的的可配置阈值。片上非易失性存储器（NVM）可存储配置参数，如参考零角度和磁场检测阈值。也可以使用易失性寄存器配置，而无需访问NVM。

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￥30.7219
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￥26.9369
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型号：IPS2550DE1R 编号：C7528042

封装：TSSOP-16-EP

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一种无磁感应式位置传感器IC，可用于汽车、工业、医疗和消费应用中的高速绝对位置传感。使用涡流物理原理来检测在一组线圈上方移动的简单金属目标的位置，该组线圈由一个发射线圈和两个接收线圈组成。三个线圈通常作为铜走线印刷在印刷电路板（PCB）上，发射线圈在两个接收线圈中感应出二次电压，该电压取决于金属目标在线圈上方的位置。通过解调并处理来自接收线圈的二次电压，可获得代表目标在线圈上位置的信号，目标可以是任何金属，如铝、钢或带有印刷铜层的PCB

1+
￥62.93
10+
￥54.2
30+
￥48.89

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型号：RDC1032A0F 编号：C2687312

封装：-

特性：使用温度范围：-30℃~+85℃。保存温度范围：-40℃~+90℃。外观良好，无过度生锈、裂纹、电镀不良和变色。机械行程：符合附图组件装配图。实际行程：B-A为实际行程。有效行程：B'-A'为有效行程。操作力：0.25N以下，杠杆移动速度5mm/s。限位器强度：在机械行程两端位置，杠杆距框架表面2mm处施加10N静载荷10秒后，传感器无间歇性接触或过度机械损坏。推拉杠杆：从与杠杆平行方向对杠杆施加10N静载荷10秒后，传感器无间歇性接触或过度机械损坏。杠杆摆动：1.8mm p-p最大值。杠杆倾斜和扭曲：2度最大值。杠杆偏差：0.5mm以下

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￥10.5
10+
￥8.88
30+
￥8

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型号：MLX90340LDC-AAA-000-RE 编号：C2153667

封装：SOIC-8

品牌：Melexis(比利时迈来芯)

对垂直和平行于IC表面施加的磁通密度敏感。对施加到IC的磁通密度的三个分量（即Bx、By和Bz）敏感。这使得其配合正确的磁路能够解码任何移动磁体的绝对位置（例如0至360度的旋转位置或线性位移）。它能够设计出新一代非接触式位置传感器，常用于重型和工业应用。报告与可编程线性霍尔传感器兼容的可编程比例模拟输出信号。通过编程，还可提供数字PWM（脉冲宽度调制）输出特性。

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￥10.8
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￥9.91
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￥8.78
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￥8.52
1000+
￥8.41

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型号：MT6501CT-ADD 编号：C5449396

封装：SOP-8

MT6501是新一代基于先进的各向异性磁阻（AMR）技术的角度位置传感器芯片。该芯片内部集成了互成45°摆放的两对AMR惠斯通电桥组成的敏感元件以及高性能的专用信号处理电路。由于AMR器件在用作角度测量应用的时候工作于饱和区（饱和磁场为300高斯），实际工作时，芯片只对平行于芯片表面的磁场的方向变化做出响应，而与磁场强度无关。因此MT6501在使用过程中，对于磁铁本身的加工误差以及磁铁和芯片的安装距离误差要求相对较低。

1+
￥11.63
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￥10.65
30+
￥10.03

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型号：VCP1615 编号：C5375498

封装：DFN-12

品牌：HUAXIN(华芯)

VCP1615 是一款高精度的线性位置传感器，它采用了各向异性磁阻(AMR)技术，相比于传统的霍尔传感器，可以提供更高的位置精度。通过优化的设计和封装，VCP1615 可以在油污、灰尘和高温等恶劣环境下工作，具有优秀的可靠性和精确度。

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￥24.01
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￥20.53
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￥18.46
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型号：HAL3900DJ-A 编号：C22443314

封装：SSOP-16

品牌：TDK

1+
￥37.8385 ￥39.83
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￥32.832 ￥34.56
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￥29.773 ￥31.34
100+
￥27.2175 ￥28.65

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型号：MA330GQ-Z 编号：C3825333

封装：QFN-16(3x3)