霍尔传感器_厂家_价格_品牌_库存

本传感器的原边与副边之间是绝缘的，用于测量直流、交流和脉冲电流...

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型号：AN3V 50 PB30 编号：C25011968

封装：插件

本传感器的原边与副边之间是绝缘的，用于测量直流、交流和脉冲电流。

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型号：AN3V 16 PB50 编号：C25011970

封装：插件

本传感器的原边与副边之间是绝缘的，用于测量直流、交流和脉冲电流...

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型号：TMCS1100A1QDRQ1 编号：C5219807

封装：SOIC-8

TMCS1100-Q1 符合 AEC-Q100 标准且具有外部基准的 ±600V 隔离式精密电流传感器

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型号：TMCS1107A1UQDR 编号：C3684419

封装：SOIC-8

TMCS1107 ±420V 基本隔离、20Arms 80kHz 霍尔效应电流传感器，带基准

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型号：AN1V 150 PB20 编号：C30584740

封装：SIP,17x10mm

本传感器的原边与副边之间是绝缘的，用于测量直流、交流和脉冲电流。

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型号：AN1V 150 PB22 编号：C30584744

封装：SIP,17x10mm

本传感器的原边与副边之间是绝缘的，用于测量直流、交流和脉冲电流。

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型号：TMCS1101A1UQDR 编号：C2864476

封装：SOIC-8

TMCS1101 ±600V 基本隔离、20Arms 80kHz 霍尔效应电流传感器，带基准

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型号：TMCS1123B1AQDVGR 编号：C31514635

封装：SOIC-10

TMCS1123-Q1是一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于1.4%的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于0.9%的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。

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型号：TMCS1101A4UQDRQ1 编号：C5219795

封装：SOIC-8

TMCS1101-Q1 符合 AEC-Q100 标准且具有内部基准的 ±600V 隔离式精密电流传感器

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型号：AN1V 100 PB20 编号：C30584739

封装：SIP,17x10mm

本传感器的原边与副边之间是绝缘的，用于测量直流、交流和脉冲电流...

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型号：59135-1-S-02-A 编号：C17672409

封装：-

品牌：Littelfuse(美国力特)

是一款高温法兰安装式读取传感器，尺寸为28.57mm × 19.05mm × 6.35mm (1.125" × 0.750" × 0.259")，有常开、常开高压、常闭或转换触点可供选择。其外壳设计支持螺丝或粘合剂安装，额定工作温度高达150°C，能够在18VA下切换高达235vac/300vac的电压。与匹配的执行器57135-000配合使用效果最佳。

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型号：TMCS1123C2AQDVGR 编号：C22445471

封装：SOIC-10

是一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有出色的隔离功能和精度。提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内实现小于1.4%的最大灵敏度误差，或在一次性室温校准的情况下，实现小于0.9%的最大灵敏度误差（包括寿命和温度漂移）。交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量

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型号：ACS70311LOKATN-001B5-C 编号：C19761993

封装：SIP-4

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

集成霍尔元件与 BiCMOS 集成电路，提供全单片线性电流传感器 IC。对垂直于 IC 封装表面的磁通量密度敏感，输出为与施加的磁通量密度成比例的模拟电压。与铁磁芯配合使用，提供高精度电流传感。增益和失调随温度的漂移在工厂进行编程，在 25°C 至 150°C 范围内，灵敏度误差为 ±1%，失调误差为 ±5mV。客户可编程，制造后可对增益和失调的绝对值进行编程，提供行业领先的电流传感精度。具有高工作带宽，从直流到 240 kHz，响应时间为 2μs

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型号：CH704050CT 编号：C2999875

封装：CFF-5

品牌：COSEMITECH(意瑞)

隔离集成式电流传感芯片；有效降低芯片发热支持大电流检测：±50A；5V供电，2%以内精度

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型号：MLX90333KGO-BCT-000-RE 编号：C2152994

封装：TSSOP-16

品牌：Melexis(比利时迈来芯)

MLX90333是一款Tria⊗is®位置传感器，能够通过测量和处理磁通量密度矢量的三个空间分量（即B_X、B_Y和B_Z）来感应其周围的任何磁体运动。水平分量（B_X和B_Y）通过集成磁集中器（IMC）进行感应，而垂直分量（B_Z）则通过传统霍尔板进行感应。

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型号：SC2064SO-TR 编号：C41371499

封装：SOT-23

品牌：Semiment(赛卓)

超低功耗，全极，Push-Pull和Open-Drain输出选项

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型号：KTH1621SH-ST3 编号：C516264

封装：SOT-23-3L

高性能、低功耗、北极磁场检测霍尔开关传感器、磁传感器、磁阻开关传感器、角度传感器；磁编码、3D、速度、方向传感器IC，SOT23-3封装，N极，5Hz, 1.6vA 46~34阈值

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型号：KTH1702AE-TO3 编号：C49328941

封装：TO-92S

一款低功耗霍尔开关传感器，专为空间紧凑系统和电池电量敏感系统而设计。该芯片可以提供多种磁场阈值、开关工作频率和封装形式以适配各种应用。当施加的S极或N极磁感应强度超过工作点BOP时，芯片输出低电平，且保持低电平。直到S极或N极磁感应强度低于释放点BOP时，芯片输出高电平。芯片内置温度补偿电路，时钟逻辑电路，保证芯片稳定的工作点和开关频率。芯片可以以极低的电流消耗，提供全极磁响应。可以在1.8V至5.5V的供电电压范围内工作，并采用标准的SOT-23-3L和TO-92S封装。

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型号：MH251EUA 编号：C114368

封装：TO-92S

品牌：MST(美伽)

MH251霍尔效应传感器是一款温度稳定、抗应力、灵敏度容差低的微功耗开关。通过采用斩波稳定技术的动态失调消除功能，可实现卓越的高温性能。该方法可降低通常由器件过模塑、温度依赖性和热应力引起的失调电压

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型号：MH248ESO 编号：C114364

封装：SOT-23-3L

品牌：MST(美伽)

MH248霍尔效应传感器是一款温度稳定、抗应力、微功耗的开关。通过采用斩波稳定技术的动态失调消除功能，实现了卓越的高温性能。该方法可降低通常由器件过模塑、温度依赖性和热应力引起的失调电压

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型号：MH251EST 编号：C114367

封装：TSOT-23-3L

品牌：MST(美伽)

MH251霍尔效应传感器是一款温度稳定、抗应力、灵敏度容差低的微功耗开关。通过采用斩波稳定技术的动态失调消除功能，可实现卓越的高温性能。该方法可降低通常由器件过模塑、温度依赖性和热应力引起的失调电压

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型号：KTH1702CC-ST3 编号：C22459032

封装：SOT-23-3L

高性能、低功耗、全极磁场检测霍尔开关传感器，SOT-23-3L封装，工作电压：1.8V~5.5V，磁场阈值：135Gauss，工作频率:连续工作，工作温度范围：-40℃~125℃，ESD：HBM 8KV。

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型号：KTH1702AE-ST3 编号：C22459031

封装：SOT-23-3L

高性能、低功耗、全极磁场检测霍尔开关传感器，SOT-23-3L封装，工作电压：1.8V~5.5V，磁场阈值：36Gauss，工作频率:25Hz，工作温度范围：-40℃~125℃，ESD：HBM 8KV。

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型号：KTH1722CC-ST3 编号：C22459034

封装：SOT-23-3L

高性能、低功耗、北极磁场检测霍尔开关传感器，SOT-23-3L封装，工作电压：1.8V~5.5V，磁场阈值：125Gauss，工作频率:连续工作，工作温度范围：-40℃~125℃，ESD：HBM 8KV。

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型号：XL594 编号：C48031627

封装：SOT-23-3

品牌：XLSEMI(芯龙)

线性。工作温度-40-125°，工作电压3-8V,灵敏度1.6V/Gs

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￥0.7413
150+
￥0.6469

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型号：XL595 编号：C48031628

封装：TO-92S-3

品牌：XLSEMI(芯龙)

线性。工作温度-40-125°，工作电压3-8V,灵敏度3.0V/Gs

5+
￥0.937
50+
￥0.7469
150+
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型号：HX49EUA 编号：C42428251

封装：TO-92S

品牌：HUAXIN(华芯)

高响应频率线性霍尔 HX49E是一款小型化经济型，多功能的线性霍尔。工作原理是输入磁感应强度，输出和输入量成正比的电压，在静态时（B = 0GS）输出电压是电源电压的一半。HX49E集成的电路具有低噪声输出，这使得它不必使用外部滤波。

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型号：LN4913NR-G 编号：C236384

封装：TSOT-23-3

品牌：natlinear(南麟)

LN4913是一款专门为满足低功耗设备需求而设计的集成霍尔效应传感器，例如可作为翻盖手机的开关，其电池工作电压为1.65V - 5.5V。通过独特的内部电路设计，可实现精确的磁开关点和较高的温度稳定性。该集成电路采用片上时钟方案来降低平均工作电流

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型号：TMAG5328A1ZQDBVR 编号：C36017227

封装：SOT-23-6