霍尔传感器_厂家_价格_品牌_库存

型号：BU52040HFV-TR 编号：C253187

封装：HVSOF-5

用于滚轮按键/轨迹球的 BU52040 霍尔效应集成电路旨在检测磁场从 N 极到 S 极（或反之）的切换，并将检测结果保持在输出端，直到下一次切换。对于 S 极磁场，输出被拉低；对于 N 极磁场，输出被拉高。该集成电路非常适合检测滚轮按键、轨迹球内部的轴旋转次数或其他类似应用

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￥2.697 ￥2.9
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型号：TMAG5233D1BDBVR 编号：C43134686

封装：SOT-23-3

品牌：TI(德州仪器)

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型号：DRV5013ADELPGQ1 编号：C1016576

封装：TO-92

品牌：TI(德州仪器)

DRV5013-Q1 汽车类、高电压（高达 38V）、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器

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型号：KTM1301TD-ST3 编号：C7544649

封装：SOT-23-3L

品牌：CONNTEK(昆泰芯)

TMR开关传感器 9GS阈值，连续工作，超灵敏，1.9uA超低功耗，全极磁场检测

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型号：KTM1301TC-ST3 编号：C7544648

封装：SOT-23-3L

品牌：CONNTEK(昆泰芯)

TMR开关传感器 18GS阈值，连续工作，超灵敏，1.9uA超低功耗，全极磁场检测

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￥2.82
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型号：KTM1301SA-ST3 编号：C22459051

封装：SOT-23-3L

品牌：CONNTEK(昆泰芯)

高性能、低功耗、全极磁场检测 TMR 开关传感器,SOT-23-3封装，磁场阈值:45Gauss,工作电压：1.8V~5.5V，工作频率:50Hz,工作温度：-40℃~125℃,ESD：HBM 8KV。

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￥2.82
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型号：TMAG5134B5DZFCR 编号：C50202151

封装：NFBGA-4

品牌：TI(德州仪器)

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型号：SC2498TSO-TR-Q 编号：C52021059

封装：SOT-23-3L

品牌：Semiment(赛卓)

平面感应磁传感、高性能、静态电流4.0mA、极限耐压60V、霍尔开关

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型号：HAL1451SO6 编号：C49165024

封装：SOT-23-6L

品牌：Hallwee(霍尔微电子)

HAL1451是一款双通道输出的霍尔传感器集成电路，芯片内部集成了2个相距1.4mm的霍尔传感器单元、电压调节器、信号放大器、施密特触发器，及2个开漏输出MOS管，分别进行速度和方向输出。这款IC采用了先进的斩波稳定技术，因而能够提供准确而稳定的磁开关点。因为HAL1451的宽工作电压和宽工作温度范围，使得它非常适合用于汽车、工业以及消费电子行业。这款IC有贴片型的SOT封装和可以直接插入的直插TO-94扁平型封装，这两款封装都符合ROHS标准。

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型号：DRV5032FALPG 编号：C3716252

封装：TO-92

品牌：TI(德州仪器)

DRV5032 低功耗（5Hz、<1μA）、低电压（最高 5.5V）开关

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型号：KTM1301TE-ST3 编号：C7422267

封装：SOT-23-3L

品牌：CONNTEK(昆泰芯)

7GS阈值检测， 5000Hz ，超灵敏，超低功耗

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型号：CH441SR 编号：C2830880

封装：SOT-23-3L

品牌：COSEMITECH(意瑞)

高性能霍尔锁存,8kV ESD,+/-15G,

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型号：KTM1301SD-ST3 编号：C7544651

封装：SOT-23-3L

品牌：CONNTEK(昆泰芯)

TMR开关传感器 9GS阈值，50Hz，超灵敏，160nA超低功耗，全极磁场检测

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型号：DRV5053OAEDBZRQ1 编号：C2152919

封装：SOT-23

品牌：TI(德州仪器)

DRV5053-Q1 汽车类、高电压（高达 38V）、线性霍尔效应传感器

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型号：DRV5032FADMRT 编号：C2655032

封装：SON-4-EP(1.1x1.4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV5032 低功耗（5Hz、<1μA）、低电压（最高 5.5V）开关

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型号：CH444TB 编号：C2879978

封装：TO-92S

品牌：COSEMITECH(意瑞)

高性能霍尔锁存,8kV ESD, +/-120G

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型号：KTM1901SD-ST3 编号：C3001250

封装：SOT-23-3L

品牌：CONNTEK(昆泰芯)

高性能、低功耗、全极磁场检测 TMR 开关传感器、磁传感器、磁阻开关传感器、角度传感器；磁编码、3D、速度、方向传感器IC，SOT23-3封装,全级,50Hz,160nA,9~6阈值；

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型号：MLX92211LSE-AAA-000-RE 编号：C3716263

封装：TSOT-23-3

品牌：Melexis(比利时迈来芯)

是第二代霍尔效应锁存器，采用混合信号CMOS技术设计。该器件将电压调节器、带有先进失调消除系统的霍尔传感器和一个开漏输出驱动器集成在一个封装中。磁芯采用改进的失调消除系统，可实现更快、更精确的处理，同时不受温度和应力影响。此外，还采用了负温度系数来补偿磁铁随温度升高而变弱的自然特性

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型号：DRV5013BCQDBZR 编号：C2152491

封装：SOT-23

品牌：TI(德州仪器)

DRV5013 高电压（高达 38V）、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器

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￥3.72
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型号：AH49HNTR-G1 编号：C842147

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

AH49H是一款小型、多功能的线性霍尔效应器件，由永磁体或电磁铁产生的磁场驱动。输出电压由电源电压设定，并与磁场强度成正比变化。该集成电路具有低噪声输出特性，因此无需使用外部滤波元件

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型号：AH502 编号：C708832

封装：TO-92S

品牌：Alfa(中科阿尔法)

AH502是一款基于BCDMOS技术设计的高灵敏度双极霍尔开关芯片。芯片包括温度补偿、比较器和输出驱动器。此外，机械应力对芯片的磁性参数影响很小。该系列芯片传感器适用于工业环境和汽车应用，环境温度范围为 -40°C~150°C，电源电压范围为 2.7V~30V。产品已通过AEC-Q100认证。

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型号：DRV5053EAQDBZR 编号：C2654940

封装：SOT-23

品牌：TI(德州仪器)

DRV5053 高电压（高达 38V）、线性霍尔效应传感器

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型号：TLE49643MXTSA1 编号：C2655042

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：A1220LLHLX-T 编号：C459236

封装：SOT-23W

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

Hall-effect传感器IC是极其稳定且抗应力的设备，特别适合在高达150℃的扩展温度范围内运行。通过动态失调消除实现卓越的高温性能，可减少通常由器件塑封、温度依赖性和热应力引起的残余失调电压。每个器件在单个硅芯片上包括一个电压调节器、霍尔电压发生器、小信号放大器、斩波稳定、施密特触发器和一个短路保护的开漏输出，可吸收高达25mA的电流。

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