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首页 > 热门关键词 > esd保护二极管
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单向ESD 12V截止 峰值浪涌电流：22.5A@8/20us
型号：PESD12VS1UA,115 编号：C131084
封装：SOD-323
品牌：Nexperia(安世)
单向静电放电（ESD）保护二极管采用超小型表面贴装器件（SMD）塑料封装，旨在保护单条信号线免受ESD和瞬态过电压造成的损坏。
数据手册

  • 5+

    ￥0.9428

  • 50+

    ￥0.7892

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    ￥0.7124

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    ￥0.6087

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    ￥0.5856
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    5.5V 2.5A@8/20us
    型号：TPD4S009DBVR 编号：C88032
    封装：SOT-23-6
    品牌：TI(德州仪器)
    TPD4S009 适用于高速接口且具有 VCC 引脚的四通道 0.8pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管
    数据手册

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      ￥0.9609

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      ￥0.7757

    • 150+

      ￥0.6831

    • 500+

      ￥0.5786
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    单向 5.5V 5.5A@8/20us
    型号：TPD4E001DRLR 编号：C527516
    封装：SOT-563
    品牌：TI(德州仪器)
    TPD4E001 适用于 USB 2.0 且具有 1nA 最大漏电流和 VCC 引脚的四路 1.5pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管
    数据手册

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      ￥1.7612

    • 50+

      ￥1.4185

    • 150+

      ￥1.2716
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    2通道ESD解决方案，适用于高速（6Gbps）差分接口
    型号：TPD2E009DBZR 编号：C2871371
    封装：SOT-23
    品牌：TI(德州仪器)
    TPD2E009 具有 5A 浪涌额定值的双通道 0.7pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管
    数据手册

    • 5+

      ￥1.8217

    • 50+

      ￥1.4287

    • 150+

      ￥1.2603

    • 500+

      ￥1.0502
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    单向ESD 5.5V截止 峰值脉冲电流：2.5A@8/20us
    型号：TPD4E05U06QDQARQ1 编号：C81353
    封装：USON-10(1x2.5)
    品牌：TI(德州仪器)
    TPD4E05U06-Q1 适用于 USB 和高速接口的汽车类四路 0.5pF、5.5V、±12kV ESD 保护二极管
    数据手册

    • 1+

      ￥2.68

    • 10+

      ￥2.14

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      ￥1.91

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      ￥1.62
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    双向TVS 12V截止 峰值浪涌电流：21A@8/20us
    型号：CDSOT23-T12C 编号：C1977502
    封装：SOT-23
    品牌：BOURNS
    瞬态电压抑制二极管阵列采用紧凑的芯片封装SOFT23尺寸规格，适用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制二极管阵列系列提供3 V至36 V的多种电压类型供选择
    数据手册

    • 1+

      ￥2.79

    • 10+

      ￥2.22

    • 30+

      ￥1.98

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      ￥1.54

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      ￥1.46
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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：5.5A@8/20us
    型号：HESD9N5B 编号：C22439998
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该产品为单通道双向ESD静电保护二极管，额定电压VRWM为5伏特，可承受瞬时电流IPP高达5.5安培，电容值CJ低至10皮法，专为保护电子电路免受静电释放造成的损害，确保信号传输质量及系统稳定性，适用于各类静电敏感设备。

    • 50+

      ￥0.03042 ￥0.0338

    • 500+

      ￥0.0297 ￥0.033

    • 1500+

      ￥0.02925 ￥0.0325

    • 5000+

      ￥0.0288 ￥0.032
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    1路 双向ESD 12V截止 峰值脉冲电流：8A
    型号：HESDNC12VB1AF-A 编号：C3033470
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管适用于12V系统，提供单通道高效保护。具备8A峰值脉冲电流IPP能力，能有效抵御双向瞬态ESD冲击，确保电路安全稳定。其结电容低至6.5pF，特别适合高速数据传输接口，兼具出色的信号完整性与卓越的静电放电防护性能。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.0422

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      ￥0.0399
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    单向ESD 7V截止 峰值浪涌电流：7A
    型号：HPESDNC5D7VU 编号：C22439740
    封装：SOD-523
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款单向ESD保护二极管，专为7V电压系统设计，提供单一通道的静电防护。7A峰值电流处理能力，有效阻挡静电威胁。60pF电容值适宜于非高速信号环境，确保在保护电路不受静电损害的同时，维持良好的信号完整性，为电子设备的日常运作提供稳定可靠的保障。

    • 50+

      ￥0.04509 ￥0.0501

    • 500+

      ￥0.04401 ￥0.0489

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      ￥0.04266 ￥0.0474
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    1路 双向ESD 5V截止 峰值脉冲电流：9A
    型号：ESD8D5.0C-HXY 编号：C4748767
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管适用于5V系统，提供单通道保护。拥有9A峰值脉冲电流IPP能力，可有效抵御双向瞬态ESD冲击，维持电路稳定。结电容低至15pF，确保在高速数据传输应用中信号完整无损，是现代便携式及高集成度电子设备理想的紧凑型、高性能ESD防护方案。
    数据手册

    • 100+

      ￥0.0491

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    • 10000+

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      ￥0.0222
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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：5.5A
    型号：HDF2B6.8ACT,L3F 编号：C22440135
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD保护二极管是单通道电路的理想守护者，工作电压5V，能有效阻挡瞬时电流冲击，最大承受电流5.5A，确保敏感元件免受静电损伤。其紧凑的10pF电容值保障了高速信号传输不受干扰，适用于各类精密电子设备，为您的电路提供稳定且高效的静电防护解决方案。

    • 50+

      ￥0.049468 ￥0.0596

    • 500+

      ￥0.048306 ￥0.0582

    • 1500+

      ￥0.047476 ￥0.0572

    • 5000+

      ￥0.046729 ￥0.0563
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    双向ESD 7V截止 峰值脉冲电流：20A
    型号：LESD8D7.0CAT5G-HXY 编号：C5451653
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，针对7V系统提供单通道强效保护。具备9A峰值脉冲电流IPP承受力，有效抑制双向瞬态ESD，确保电路稳定。结电容仅8pF，特别适合高速接口应用，兼具出色的信号完整性和卓越的ESD防护性能。

    • 50+

      ￥0.0499

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      ￥0.0488

    • 1500+

      ￥0.048

    • 5000+

      ￥0.0472
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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：2.5A
    型号：HDESD5V0U1BL-7B 编号：C22439956
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD防护二极管专为单一信号线路优化，耐压5V，具备2.5A峰值脉冲电流处理能力，为敏感电路筑起静电防护屏障。其紧凑的2.5pF电容值保障了高速信号无损传递，是现代高性能电子设备中静电保护的理想元件。

    • 50+

      ￥0.05292 ￥0.0588

    • 500+

      ￥0.05175 ￥0.0575

    • 1500+

      ￥0.05094 ￥0.0566

    • 5000+

      ￥0.05013 ￥0.0557
  • 有货
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    双向ESD 5V截止 峰值脉冲电流：3A
    型号：ESD5L5.0C-HXY 编号：C4748790
    封装：SOD-523
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款SOD-523封装的双向ESD静电防护二极管，专为5V系统提供单通道保护。具备3A峰值脉冲电流IPP能力，有效对抗双向瞬态ESD事件。其结电容低至0.6pF，特别适用于高速数据传输接口，实现卓越信号完整性的同时，提供了高级别的静电放电防护性能。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0667

    • 500+

      ￥0.0653

    • 3000+

      ￥0.0602

    • 6000+

      ￥0.0592
  • 有货
    • 立即购买
    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：20A
    型号：HPESDNC2FD5VBH 编号：C22439721
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD保护二极管为单通道设计，耐压5V，能承受20A峰值瞬态电流，为电路提供有效静电防护。40pF电容值适合于对信号速度要求较低的环境，确保在保护电路的同时，维持良好的信号完整性，是提升电子设备抗静电干扰能力的优选方案。

    • 20+

      ￥0.074888 ￥0.0851

    • 200+

      ￥0.073128 ￥0.0831

    • 600+

      ￥0.071984 ￥0.0818

    • 2000+

      ￥0.07084 ￥0.0805
  • 有货
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    双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：9A@8/20us
    型号：HDESD3V3E1BL-7B 编号：C22440392
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此ESD保护装置为单通道双向二极管，额定电压VRWM为3.3伏特，能承受9安培峰值瞬态电流IPP，具有15皮法电容CJ，确保了在高灵敏电路应用中既有效抑制静电放电，又最大限度地减少了对信号传输的影响。

    • 20+

      ￥0.08442 ￥0.0938

    • 200+

      ￥0.08253 ￥0.0917

    • 600+

      ￥0.08118 ￥0.0902

    • 2000+

      ￥0.07992 ￥0.0888
  • 有货
    • 立即购买
    TVS 12V截止 峰值浪涌电流：12A
    型号：SLESDFBP12V 编号：C268187
    封装：SOD-923
    品牌：Slkor(萨科微)
    SLESDFBP静电放电（ESD）保护二极管专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，并且与MLV相比，不会出现器件性能衰退的问题。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.08712 ￥0.2178

    • 200+

      ￥0.06832 ￥0.1708

    • 600+

      ￥0.05788 ￥0.1447

    • 2000+

      ￥0.05164 ￥0.1291

    • 10000+

      ￥0.0462 ￥0.1155

    • 20000+

      ￥0.04328 ￥0.1082
  • 有货
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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：11A
    型号：ESD5B5.0ST1G-HXY 编号：C19627020
    封装：SOD-523
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款SOD-523封装的双向ESD静电防护二极管，专为5V系统提供高效保护。具备1通道设计，能承受高达11A的峰值脉冲电流IPP，有效抵抗双向瞬态ESD冲击。仅20pF的结电容确保在高速数据传输中保持信号完整性，是高集成度、低干扰要求的电子设备的理想选择，为敏感电路提供卓越的静电防护性能。

    • 50+

      ￥0.09459 ￥0.1051

    • 500+

      ￥0.07371 ￥0.0819

    • 3000+

      ￥0.0621 ￥0.069

    • 6000+

      ￥0.05508 ￥0.0612

    • 24000+

      ￥0.04905 ￥0.0545

    • 51000+

      ￥0.04581 ￥0.0509
  • 有货
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    1路 双向ESD 7V截止 峰值脉冲电流：9A
    型号：HESDNC7VB1AF-A 编号：C3033471
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，专为7V系统设计，提供单通道卓越保护。具有9A峰值脉冲电流IPP能力，有效应对双向瞬态ESD冲击，确保电路安全稳定运行。8pF低结电容特性保障高速数据传输时信号完整性，是现代电子设备及高要求接口的理想ESD防护解决方案。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.1048

    • 100+

      ￥0.0821

    • 300+

      ￥0.0695

    • 1000+

      ￥0.062

    • 5000+

      ￥0.0554

    • 10000+

      ￥0.0497
  • 有货
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    1路 双向ESD 5V截止 峰值脉冲电流：11A
    型号：HESDNC5VB1EL-A 编号：C3033469
    封装：SOD-323
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款SOD-323封装的双向ESD静电防护二极管，专为5V系统提供单通道高效保护。具备11A峰值脉冲电流IPP能力，有效抑制双向瞬态ESD冲击，确保电路稳定运行。其结电容低至20pF，在高速数据传输中保持信号完整性，是现代高集成度电子设备理想的紧凑型、高性能ESD防护方案。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.104808 ￥0.1191

    • 500+

      ￥0.082192 ￥0.0934

    • 3000+

      ￥0.067056 ￥0.0762

    • 6000+

      ￥0.059488 ￥0.0676

    • 24000+

      ￥0.052976 ￥0.0602

    • 51000+

      ￥0.049456 ￥0.0562
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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：11A@8/20us
    型号：CESDBLC5V0D3-HXY 编号：C20611930
    封装：SOD-323
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此款SOD-323封装的双向ESD静电防护二极管专为5V系统提供高级别保护，具备1通道设计，可高效抵御正反向瞬态ESD冲击。其峰值脉冲电流IPP高达11A，表明器件在遭受静电放电时具有强大的承受和耗散能力。同时，拥有低至20pF的结电容，确保在高速数据传输接口上的信号完整性得到良好维持，是高集成度电路的理想ESD防护解决方案。

    • 50+

      ￥0.106392 ￥0.1209

    • 500+

      ￥0.0836 ￥0.095

    • 3000+

      ￥0.06776 ￥0.077

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      ￥0.060192 ￥0.0684

    • 24000+

      ￥0.053592 ￥0.0609

    • 51000+

      ￥0.049984 ￥0.0568
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    1路双向ESD，可防30kV静电 双向ESD 5V截止 峰值脉冲电流：15A@8/20us
    型号：LY523DC05 编号：C3019383
    封装：SOD-523
    品牌：Liown(里阳半导体)
    LY523DC05是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。它符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，可承受±30 kV空气放电和±30 kV接触放电。该器件采用无铅SOD - 523封装。其体积小且具备高ESD浪涌保护能力，是保护手机、数码相机和其他众多便携式应用设备的理想选择。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.11016 ￥0.1836

    • 200+

      ￥0.08556 ￥0.1426

    • 600+

      ￥0.07194 ￥0.1199

    • 3000+

      ￥0.06102 ￥0.1017

    • 9000+

      ￥0.05388 ￥0.0898

    • 21000+

      ￥0.0501 ￥0.0835
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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：9A@8/20us
    型号：HPESD5V0U1BB-Q 编号：C22439684
    封装：SOD-523
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此款双向ESD静电保护二极管为单通道配置，耐压5V，适用于低电压领域。2.5A峰值电流处理能力，为轻负载电路提供恰到好处的静电防护。加之仅3pF的低电容特性，确保高速信号无损通过，是小型电子设备及高频信号线路的理想防静电伴侣。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4A
    型号：HAZ5325-01F 编号：C22439782
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该双向ESD静电保护二极管为单通道设计，5V电压下工作稳定，具备4A峰值电流防护能力，有效抑制静电损害。其电容值仅0.5pF，确保高速信号无损快速通过，是精密电路及高速数据线路上防止静电干扰、提升系统稳定性的理想选择。

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    双向ESD 3.3V截止 峰值脉冲电流：9A
    型号：ESD9B3.3ST5G-HXY 编号：C6285725
    封装：SOD-923
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款SOD-923封装的双向ESD静电防护二极管，专为单通道高速接口设计。具有3.3V的高精度VRWM耐压值，可有效防止过电压损坏。器件提供高达9A的瞬态峰值电流IPP保护，并且拥有低至15pF的结电容CJ，确保在严苛条件下仍能保持信号完整性，是高速数据传输线路的理想ESD防護选择。

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    2路 双向ESD 7V 12V截止 峰值脉冲电流：10A
    型号：HESDNC7/12VB2I-C 编号：C3033496
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款SOT-23封装双向ESD静电防护二极管采用双通道设计，具有7V工作电压耐受值VRWM，可有效抵御过电压。器件在每个通道上能承受瞬态峰值电流IPP高达10A，并配置了低结电容CJ为15pF，在提供强大防静电保护的同时保持高速信号传输的完整性，是理想的双通道接口静电防护解决方案。
    数据手册

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    TVS 24V截止 峰值浪涌电流：7A@8/20us
    型号：SM24 编号：C2833284
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    TVS二极管阵列旨在保护敏感设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷电感应浪涌的损坏。该系列可以吸收高于IEC 61000-4-2国际标准规定的最大水平的重复性ESD冲击，而性能不会下降，并能以非常低的钳位电压安全地耗散高达24A的8/20μs感应浪涌电流（IEC-61000-4-5，第2版）。
    数据手册

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：45A
    型号：HCESD882NC5VB 编号：C22440398
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD静电保护二极管，为单通道设计，耐压5V，具备45A的高脉冲电流承受能力，能强力抵御静电侵袭，确保电路安全。虽然电容值为15pF，但针对非高速信号场景，它依然是一个可靠的防护选项，为各类电子设备增添稳固的静电防护层。

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    5路 单向ESD 5V截止 峰值脉冲电流：5A
    型号：SMF05C 编号：C5261086
    封装：SOT-363
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款ESD静电防护二极管采用SOT-363封装，集成5个单向保护通道。每个通道额定工作电压为5V，能承受瞬态电流IPP达5A，并拥有结电容CJ为30pF。专为高速多线路设计，有效抵御静电放电冲击，保障电子设备的信号完整性和电路安全，是理想的多通道防静电解决方案。
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    双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：9A@8/20us
    型号：HAZ9523-01F 编号：C22440131
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD保护二极管适用于单线路，可在3.3V电压下稳定运行。凭借9A的峰值电流处理能力（IPP），能有效抵御静电冲击。其低至15pF的电容值（CJ）保证了信号传输几乎不受干扰，是保护精密电路免受静电损伤的理想选择。

    • 20+

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