esd保护二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOD-323

用于取代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理）中的多层压敏电阻 (MLV)。采用单晶硅技术，提供快速响应时间和超低 ESD 钳位电压。是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。符合 IEC 61000-4-2 (ESD) 标准，空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。采用无铅 SOD-323 封装，可保护一条单向线路。与 0805 MLV 器件占用相同的 PCB 焊盘面积

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型号：SM24C 编号：C712159

封装：SOT-23

品牌：Applied Power(应能微)

是双向 TVS 二极管阵列，利用领先的单片硅技术，提供快速响应时间和低 ESD 钳位电压，是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。符合 IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。采用无铅 SOT-23 封装，旨在保护连接到数据和传输线路的组件免受电压浪涌影响。

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型号：AU1871P6 编号：C712140

封装：DFN1610-2

品牌：Applied Power(应能微)

是单向 TVS 二极管，采用领先的单晶硅技术来提供快速响应时间和低 ESD 钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。符合 IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。采用超小型 1.6×1.0×0.5mm 无铅 DFN 封装。小尺寸和高 ESD 浪涌保护使其成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。

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型号：PESD5V5H1BSFYL 编号：C552597

封装：DSN0603-2

品牌：Nexperia(安世)

超低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，属于TrEOS保护系列。该器件采用DSN0603-2（SOD962）无铅超小型表面贴装器件（SMD）封装。TrEOS保护系列经过优化，可保护非常敏感的高速接口免受ESD脉冲影响，具有很高的鲁棒性。

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型号：AOZ8804ADI 编号：C2997885

封装：DFN-10(1x2.5)

品牌：AOS

是一款瞬态电压抑制器阵列，旨在保护高速数据线（如HDMI、USB 3.0、MDDI、SATA和千兆以太网）免受破坏性ESD事件的影响。该器件在单个封装中集成了八个浪涌额定、低电容转向二极管和一个TVS。在瞬态条件下，转向二极管将瞬态引导至电源线的正端或接地。提供典型的线间电容为0.3pF，在高达6GHz的频率下具有低插入损耗，可提供更高的信号完整性，非常适合HDMI 1.3或USB 3.0应用，如数字电视、DVD播放器、计算机、机顶盒以及移动计算设备中的MDDI应用

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型号：PESD2CANFD27VU-QX 编号：C20235762

封装：SOT-323

品牌：Nexperia(安世)

采用小型SOT23表面贴装器件（SMD）塑料封装，旨在保护两条汽车控制器局域网（CAN）总线免受静电放电（ESD）和其他瞬态损害。

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型号：ASD18C 编号：C712128

封装：SOD-323

品牌：Applied Power(应能微)

ASDXXC专为取代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理）中的多层压敏电阻（MLV）而设计，采用单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压超低，是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。ASDXXC符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电和接触放电均可达±30 kV。ASDXXC采用无铅SOD - 323封装，可保护一条单向线路。这些器件与0805 MLV器件的PCB焊盘面积相同。

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型号：SM36C 编号：C712161

封装：SOT-23

品牌：Applied Power(应能微)

是双向 TVS 二极管阵列，利用领先的单片硅技术，提供快速响应时间和低 ESD 钳位电压，是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。符合 IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。采用无铅 SOT-23 封装，旨在保护连接到数据和传输线路的组件免受电压浪涌影响。

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型号：SM32C 编号：C712160

封装：SOT-23

品牌：Applied Power(应能微)

是双向 TVS 二极管阵列，利用领先的单片硅技术，提供快速响应时间和低 ESD 钳位电压，是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。符合 IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。采用无铅 SOT-23 封装，旨在保护连接到数据和传输线路的组件免受电压浪涌影响。

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￥0.3508
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型号：SM15C 编号：C712158

封装：SOT-23

品牌：Applied Power(应能微)

是双向 TVS 二极管阵列，利用领先的单片硅技术，提供快速响应时间和低 ESD 钳位电压，是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。符合 IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。采用无铅 SOT-23 封装，旨在保护连接到数据和传输线路的组件免受电压浪涌影响。

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型号：SRV05-4 编号：C712153

封装：SOT-23-6

品牌：Applied Power(应能微)

是低电容 TVS 阵列，利用领先的单片硅技术，提供快速响应时间和低 ESD 钳位电压，是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。符合 IEC 61000-4-2 (ESD) 标准，空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。采用 6 引脚 SOT23-6 无铅封装，引脚采用无铅哑光锡处理。每个器件最多可保护四条高速线路。小尺寸、低电容和高浪涌能力的结合，使其适用于 10/100 以太网、USB 2.0 和视觉接口等应用。

5+
￥0.4375
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型号：ASR05 编号：C712133

封装：SOT-143-4

品牌：Applied Power(应能微)

是一种低电容TVS二极管阵列，采用领先的单晶硅技术，可提供快速响应时间和低ESD钳位电压，是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电和接触放电均为±30kV。采用无铅SOT-143封装。旨在保护连接到高速接口和传输线的组件免受电压浪涌影响。

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5+
￥0.4544
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￥0.4004
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型号：AU1201P4-3 编号：C712146

封装：DFN2020-3(2x2)

品牌：Applied Power(应能微)

是一款高功率TVS，采用领先的单晶硅技术，提供快速响应时间和低ESD钳位电压，是保护电压敏感线路的理想解决方案。符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电±30kV，接触放电±50kV。采用3引脚DFN2020-3无铅封装，每个器件可保护一条线路。小尺寸和高浪涌能力的结合使其适用于手机、LCD显示器、USB和多媒体卡接口等应用。

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5+
￥0.5033
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￥0.3795
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￥0.3597
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型号：DESD12VL1BAQ-7 编号：C5248805

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

新一代 TVS 旨在保护敏感电子设备免受 ESD 损坏。小尺寸与高 ESD 浪涌能力的结合使其非常适合用于便携式应用。

单价：
￥0.40884 / 个

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型号：MMBZ47VALT1G 编号：C891701

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

这些双片式硅齐纳二极管专为需要瞬态过电压保护功能的应用而设计。适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

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单价：
￥0.27444 / 个

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型号：SMCJ15A 编号：C2996484

封装：SMC

品牌：SET(赛尔特)

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5+
￥0.85
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￥0.67
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￥0.5125
3000+
￥0.436
6000+
￥0.409

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型号：SMCJ100A 编号：C2996510

封装：SMC

品牌：SET(赛尔特)

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5+
￥0.85
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￥0.5125
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￥0.409

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型号：DESD1P0RFWA-7 编号：C7466032

封装：SOT323

品牌：DIODES(美台)

特性：低电容。小表面贴装封装。用于高速数据线的静电放电保护。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件

单价：
￥0.34356 / 个

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型号：SMDJ18A 编号：C2996925

封装：SMC

品牌：SET(赛尔特)

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5+
￥1.2805
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￥1.0033
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型号：SMDJ30A 编号：C2996931

封装：SMC

品牌：SET(赛尔特)

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5+
￥1.3387
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￥0.9247
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型号：SMDJ14CA 编号：C2996975

封装：SMC

品牌：SET(赛尔特)

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5+
￥1.3387
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￥1.0489
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￥0.9247
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￥0.7698
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￥0.6663
6000+
￥0.6248

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型号：SMCJ220CA 编号：C2996573

封装：SMC

品牌：SET(赛尔特)

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￥0.7163
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型号：SMDJ70CA 编号：C2996997

封装：SMC

品牌：SET(赛尔特)

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￥0.8198
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￥0.7163
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￥0.6749

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型号：DS9503P+ 编号：C124131

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS9503 专为一线式微局域网（1–Wire MicroLAN）接口设计，用作静电放电（ESD）保护器件。与 DS9502 不同，DS9503 芯片上集成了两个 5Ω 隔离电阻。尽管在通信过程中 5Ω 电阻的影响可忽略不计，但在 ESD 事件中，相对于导通的二极管，它们呈现出高阻抗。因此，二极管吸收能量，而电阻进一步隔离并保护封装另一侧的电路。若与 I/O 端口已有强大 ESD 保护的电路配合使用，ESD 保护等级可提升至超过 27 kV（符合 IEC 801–2 参考模型）。若遇到超出其最大额定值的异常 ESD 冲击，DS9503 最终会发生“短路”故障，从而防止进一步损坏。在正常工作时，DS9503 的特性类似于普通齐纳二极管。当电压超过触发电压时，该器件的电流-电压（I/V）特性会出现“回滞”现象，允许相同或更大的电流通过，但电压显著降低。只要维持最小电流或电压，器件就会保持在“回滞模式”。若电压或电流降至维持电压或维持电流以下，器件将突然转变为正常模式，仅传导微小的泄漏电流。

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1+
￥14.35
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￥14.02
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￥13.8
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￥12.19

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型号：SLVU2.8-8.TBT 编号：C248435

封装：SO-8

品牌：SEMTECH

瞬态电压抑制器系列旨在保护低电压、先进的CMOS半导体，免受静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）、雷击和其他感应电压浪涌引起的瞬态影响。该器件采用专有EPD工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比，EPD工艺可提供低截止电压，同时显著降低泄漏电流和电容。其特点是集成了低电容补偿二极管，可将每行的最大电容降至8pF

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￥15.5375
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￥14.916
100+
￥14.2945
200+
￥13.9216
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￥13.673

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型号：ESD203B102ELE6327XTMA1 编号：C672345

封装：0402

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：ESD/瞬态/浪涌保护，超过标准: IEC61000-4-2（ESD）：±30 kV（空气/接触放电）。 IEC61000-4-4（EFT）：±50 A（5/50 ns）。 IEC61000-4-5（浪涌）：±5 A（8/20 μs）。双向对称工作电压：VRWM = ±13.2 V。低电容：CL = 6 pF（典型值）。非常低的ESD钳位电压，非常低的动态电阻：RDYN = 0.29 Ω（典型值）。应用：键盘、触摸板、按钮、音频线等的ESD保护