ESD二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOD-323

PSDxx和PSDxxC系列是瞬态电压抑制器阵列，专为智能手机、笔记本电脑和其他便携式电子设备的静电放电（ESD）保护而设计。与多层压敏电阻（MLV）等其他技术相比，这些基于硅的二极管具有出色的钳位电压和性能。PSDxx和PSDxxC系列可配置为单向或双向单线路保护器。SOD - 323小封装配置使设计人员能够灵活地将其放置在每个I/O端口或电压总线的印刷电路板上。PSDxx和PSDxxC系列符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）、61000 - 4 - 4（EFT）和61000 - 4 - 5标准要求。

数据手册

5+
￥0.7232
50+
￥0.5958
150+
￥0.5322
500+
￥0.4844
3000+
￥0.4462
6000+
￥0.4271

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型号：MMBZ12VDL,215 编号：C503373

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用共阴极配置的单向双静电放电（ESD）保护二极管，封装于SOT23（TO - 236AB）小型表面贴装器件（SMD）塑料封装中。该器件旨在为多达两条信号线提供ESD和瞬态过电压保护。

数据手册

5+
￥0.386548 ￥0.4714
50+
￥0.307296 ￥0.4268
150+
￥0.25079 ￥0.4045
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￥0.240436 ￥0.3878
3000+
￥0.232128 ￥0.3744
6000+
￥0.227974 ￥0.3677

有货

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型号：SLE0504 编号：C268190

封装：SOT-23-6

品牌：Slkor(萨科微)

SLE0504/SLE0503是浪涌额定二极管阵列，旨在保护高速数据接口。该系列专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件，使其免受由静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）和电快速瞬变（EFT）引起的过电压影响。

数据手册

5+
￥0.5364
50+
￥0.426
150+
￥0.3708
500+
￥0.3294
3000+
￥0.2742
6000+
￥0.2576

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型号：SEUCS10F3V4B 编号：C42400196

封装：DFN2510-10L

品牌：ElecSuper(静芯)

SEUCS10F3V4B是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。该阵列集成了四对超低电容转向二极管和一个TVS二极管

5+
￥0.5648
50+
￥0.4448
150+
￥0.3848
500+
￥0.3398
3000+
￥0.3038
6000+
￥0.2858

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型号：PUSB3BB4Z(ES) 编号：C42400205

封装：DFN2510-10L

品牌：ElecSuper(静芯)

PUSB3BB4Z(ES) 是一款超低电容 TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受 ESD（静电放电）引起的过应力影响。该阵列集成了四对超低电容导向二极管和一个 TVS 二极管

5+
￥0.5728
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￥0.4528
150+
￥0.3928
500+
￥0.3478
3000+
￥0.3118

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型号：BZX384B15-E3-18 编号：C5359567

封装：SOD-323

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面稳压二极管，稳压电压按照国际E24标准分级。标准稳压电压公差为 ±5%，将 “C” 替换为 “B” 可实现 ±2% 公差。符合AEC-Q101标准。具备3D模型。依据AEC-Q101的ESD能力：人体模型 >8kV，机器模型 >800V

5+
￥0.5885
50+
￥0.4686
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￥0.4087
500+
￥0.3637
2500+
￥0.3277

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型号：TPD1E10B06DYAR 编号：C3712135

封装：SOT-5X3

品牌：TI(德州仪器)

TPD1E10B06 采用 0402 和 SOD-523 封装的 12pF、±5.5V、±30kV ESD 保护二极管

数据手册

5+
￥0.72
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￥0.5917
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￥0.5258
500+
￥0.4715
3000+
￥0.4525

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型号：PTVSHC3N12VU 编号：C5123481

封装：DFN2020-3

品牌：Leiditech(雷卯电子)

ESD二极管 ESD二极管

数据手册

5+
￥0.811015 ￥0.8537
50+
￥0.635455 ￥0.6689
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￥0.547675 ￥0.5765
500+
￥0.48184 ￥0.5072
3000+
￥0.415245 ￥0.4371
6000+
￥0.38893 ￥0.4094

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型号：PESD5Z12,115 编号：C552599

封装：SC-79(SOD-523)

品牌：Nexperia(安世)

采用SOD523（SC - 79）超小扁平引脚表面贴装器件（SMD）塑料封装的低电容单向静电放电（ESD）保护二极管，旨在保护一条信号线免受ESD及其他瞬态现象造成的损坏。

数据手册

5+
￥1.0477
50+
￥0.9411
150+
￥0.8878
500+
￥0.8479
3000+
￥0.8159
6000+
￥0.7999

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型号：AQ3045-01ETG 编号：C3710326

封装：SOD-882

品牌：Littelfuse(美国力特)

包含采用专有硅雪崩技术制造的背对背 TVS 二极管，为可能遭受破坏性静电放电 (ESD) 的电子设备提供保护。这些坚固的二极管可以安全地吸收高达 IEC 61000-4-2 国际标准规定的最大水平（±30kV 接触放电）的重复 ESD 冲击，而不会降低性能。背对背配置在存在交流信号时为数据线提供对称的 ESD 保护，低负载电容使其非常适合保护高速数据线，如 HDMI、USB2.0、USB3.0 和 eSATA。

5+
￥1.1083
50+
￥0.8739
150+
￥0.7735
500+
￥0.6481
2500+
￥0.5923
5000+
￥0.5589

有货

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型号：TSD05CDYFR 编号：C20611048

封装：SOD-323

品牌：TI(德州仪器)

是双向TVS保护二极管，专为钳制ESD和浪涌等有害瞬变而设计。器件的额定ESD冲击消散值高达 ±30kV（接触放电和空气间隙放电），这超过了IEC61000-4-2国际标准中规定的最高级别（4级）。结合了强大钳位性能和低电容，可在许多不同应用中保护数据线路和电源线路。采用业界通用的引线式SOD-323封装，可轻松焊接。

数据手册

5+
￥1.1634
50+
￥0.9042
150+
￥0.793
500+
￥0.6544

有货

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型号：AQ4021-01FTG-C 编号：C708873

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQ4021 组件分别集成了低电容转向二极管和一个或两个雪崩击穿二极管，用于单向或双向保护，以抵御静电放电（ESD）和雷电感应浪涌事件。这些组件可根据 IEC 61000 - 4 - 5 第二版标准安全吸收高达 25A 的浪涌电流（脉冲宽度 tp = 8/20μs），且性能不会下降，同时符合 IEC 61000 - 4 - 2 国际标准，具备最低 ±30kV 的 ESD 防护能力。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护以太网等电信端口和其他高速数据接口。

数据手册

5+
￥1.2536
50+
￥1.0479
150+
￥0.9598
500+
￥0.8498

有货

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型号：NZL5V6AXV3T1G 编号：C233485

封装：SC-89-3

品牌：onsemi(安森美)

这些双片式硅ESD保护二极管适用于对电压和ESD敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备及其他应用。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

数据手册

5+
￥1.3324
50+
￥1.0748
150+
￥0.9644
500+
￥0.8267

有货

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型号：ESDS552DBZR 编号：C34916166

封装：SOT-23

品牌：TI(德州仪器)

ESDS552 是一个双向 ESD 和浪涌保护二极管，用于 RS-485 和 RS-422 接口保护。ESDS552 的额定 ESD 冲击消散值超出了 IEC 61000-4-2 国际标准所规定的最高水平（±30kV 接触放电，±30kV 空气间隙放电）。根据 IEC 61000-4-5 标准，该器件可以钳制峰值脉冲电流高达 25A 的 8/20 μs 浪涌。低动态电阻和低钳位电压有助于保护系统免受瞬态事件的影响。这种保护至关重要，因为工业系统对鲁棒性和可靠性的要求很高。ESDS552 采用小型引线式 SOT-23 (DBZ) 封装。

数据手册

5+
￥1.5409
50+
￥1.2195
150+
￥1.0626
500+
￥0.9227

有货

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型号：ESD1LIN24DYFRQ1 编号：C20345390

封装：SOD-323

品牌：TI(德州仪器)

ESD1LIN24-Q1 适用于 LIN 接口且采用 SOD-323 封装的汽车类 2.3pF、±24V、±30kV ESD 保护二极管

5+
￥1.5834
50+
￥1.2931
150+
￥1.1514
500+
￥1.025
3000+
￥0.9903

有货

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型号：BZX384C5V1-HE3-08 编号：C232203

封装：SOD-323

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面齐纳二极管。齐纳电压根据国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%；用“B”替换“C”可实现±2%公差。有AEC-Q101认证版本。根据AEC-Q101的ESD能力：人体模型>8kV，机器模型>800V。基础型号E3：符合RoHS标准，商业级。基础型号HE3：符合RoHS标准，AEC-Q101认证

数据手册

5+
￥1.6512
50+
￥1.3749
150+
￥1.2564
500+
￥1.1087

有货

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型号：CDSOD323-T05 编号：C3706224

封装：SOD-323

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备制造商对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。伯恩斯（Bourns）提供采用SOD323封装尺寸规格的瞬态电压抑制二极管阵列，用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制二极管阵列系列提供单向或双向配置，电压类型可选范围为3 V至24 V

5+
￥1.8135
50+
￥1.4525
150+
￥1.2978
500+
￥1.1047
3000+
￥0.9758

有货

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型号：TPD2E1B06DRLR 编号：C1974127

封装：SOT-666-6

品牌：TI(德州仪器)

TPD2E1B06 适用于 USB 2.0 且具有 ESD 等级的双通道 1pF、±5.5V、±10kV ESD 保护二极管

数据手册

5+
￥1.9636
50+
￥1.5704
150+
￥1.402
500+
￥1.1588

有货

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型号：PESD5V5C1BLYL 编号：C18212174

封装：DFN1006-2

品牌：Nexperia(安世)

超低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，属于TrEOS保护系列。该器件采用小型无引脚DFN1006 - 2（SOD882 - 2）表面贴装器件（SMD）塑料封装。超低电容、高ESD最大额定值和超小封装的组合，使该器件非常适合用于高速数据线保护。

5+
￥2.3381
50+
￥1.9954
150+
￥1.8485
500+
￥1.6652
2500+
￥1.5836
5000+
￥1.5346

有货

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型号：CDSOD323-T36SC 编号：C911382

封装：SOD-323

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备制造商对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。采用SOD323封装尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，适用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供单向或双向配置，电压类型选择范围为3 V至36 V

1+
￥3.39
10+
￥2.67
30+
￥2.37
100+
￥1.99
500+
￥1.82
1000+
￥1.71

有货

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型号：SLVU2.8-4BTG 编号：C2763559

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse(美国力特)

SLVU2.8 - 4 旨在保护低电压 CMOS 器件免受静电放电 (ESD) 和雷电感应瞬变的影响。每个低电压瞬态电压抑制器 (TVS) 都串联一个补偿二极管，为被保护线路呈现低负载电容。这些坚固的结构能够按照 IEC 61000 - 4 - 2 标准安全吸收 ±30kV（接触放电）的反复 ESD 冲击，并且每个结构都能在极低的钳位电压下安全耗散高达 40A（IEC 61000 - 4 - 5 第二版，tp = 8/20μs）的电流。

数据手册

1+
￥6.81
10+
￥5.63
30+
￥4.98
100+
￥4.24
500+
￥3.68
1000+
￥3.53

有货

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型号：IPD60R180P7 编号：C467010

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

第7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

数据手册

1+
￥10.01
10+
￥7.8755 ￥8.29
30+
￥6.2475 ￥7.35
100+
￥5.3465 ￥6.29
500+
￥4.947 ￥5.82
1000+
￥4.7685 ￥5.61

有货

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型号：FCD850N80Z 编号：C455150

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。另外，内部门极电源 ESD 二极管可承受 2kV 以上的 HBM 浪涌应力。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX 电源和工业电源应用。

数据手册

1+
￥16.8
10+
￥14.39
30+
￥12.88
100+
￥11.33
500+
￥8.79
1000+
￥8.48

有货

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型号：MSESD8D3.3CAT5G 编号：C42403084

封装：DFN1006-2

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款SOD-882封装双向ESD静电防护二极管专为3.3V系统设计，具备单通道强大保护功能，双向抑制ESD冲击，保障电路安全。其结电容低至15pF，特别适应高速数据传输需求，提供卓越的信号完整性和高效ESD防护性能，是紧凑型电子设备的理想选择。

100+
￥0.044745 ￥0.0471
1000+
￥0.034485 ￥0.0363
3000+
￥0.028785 ￥0.0303
10000+
￥0.025365 ￥0.0267
50000+
￥0.022325 ￥0.0235
100000+
￥0.020805 ￥0.0219

有货

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型号：SLESD8Z5.0 编号：C48971168

封装：DFN1006-2L

品牌：Slkor(萨科微)

是单向TVS二极管，采用领先的单晶硅技术，提供快速响应时间和低ESD钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电±30kV，接触放电±30kV。采用超小1.0×0.6×0.5mm无铅DFN封装。小尺寸和高ESD浪涌保护使其成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。