ESD二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BSD5C151U 编号：C18199524

封装：SOD-523

品牌：BORN(伯恩半导体)

TVS二极管(ESD) ESD静电保护管低结电容接口保护物料

10+
￥0.213
100+
￥0.187
300+
￥0.174
1000+
￥0.1642
5000+
￥0.1469
10000+
￥0.143

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型号：FPV453215E480PKT 编号：C86739

封装：1812

品牌：FH(风华)

多层片式压敏电阻器是一种浪涌电压抑制器，采用先进的叠层片式化技术制造的半导体陶瓷元件，能为被保护元件（电路）提供强有力的保护，同时具有优良的浪涌能量吸收能力及内部散热能力。该元件是一种无引线的片式结构，其寄生电感非常小、响应速度非常快（响应时间 < 0.5ns），因此它具有优良的ESD及各种浪涌噪声的抑制能力。与传统的齐纳二极管和圆片压敏电阻器相似，具有体积小、重量轻、响应速度快的特点。

数据手册

5+
￥1.2784
50+
￥1.0444
150+
￥0.9441
500+
￥0.8189
3000+
￥0.7632
6000+
￥0.7298

有货

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型号：NUP4301MR6T1G 编号：C5123900

封装：SOT-23-6

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：超低电容：I/O到地最大1pF。超低泄漏：nA级。低工作电压：70V。单向TVS二极管阵列。低钳位电压。符合以下标准:IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试空气放电：±15kV 接触放电：±8kV。应用：USB 2.0和Firewire端口保护。LAN/WLAN接入点终端

数据手册

5+
￥1.7204
50+
￥1.3777
150+
￥1.2308
500+
￥1.0475
3000+
￥0.933
6000+
￥0.884

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型号：TPD4E1B06DRLR 编号：C1972953

封装：SOT(5x3)

品牌：TI(德州仪器)

TPD4E1B06 采用 SOT 和 SC70 封装且具有 0.5nA 最大泄漏电流的四路 0.7pF、±5.5V、±12kV ESD 保护二极管

数据手册

5+
￥1.8648
50+
￥1.4758
150+
￥1.286
500+
￥1.1166
2500+
￥1.0701
4000+
￥1.0421

有货

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型号：TPD4E05U06QDQARQ1 编号：C81353

封装：USON-10(1x2.5)

品牌：TI(德州仪器)

TPD4E05U06-Q1 适用于 USB 和高速接口的汽车类四路 0.5pF、5.5V、±12kV ESD 保护二极管

数据手册

1+
￥3.45
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￥2.8
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￥2.52
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￥2.17
500+
￥2.01
1000+
￥1.67

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型号：CDSOD323-T12C 编号：C711707

封装：SOD-323

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备制造商对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。伯恩斯（Bourns）提供采用SOD323封装尺寸规格的瞬态电压抑制器阵列二极管，用于浪涌和ESD保护应用。瞬态电压抑制器阵列系列提供单向或双向配置，电压类型选择范围为3 V至24 V。伯恩斯芯片二极管符合JEDEC标准，便于在标准贴装设备上操作，其扁平结构可最大程度减少滚动。伯恩斯器件有助于满足IEC 61000 - 4 - 2（ESD）、IEC 61000 - 4 - 4（EFT）和IEC 61000 - 4 - 5（浪涌）要求。

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￥3.82
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￥3.08
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￥2.76
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￥2.36
500+
￥2.19
1000+
￥2.01

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型号：BZT52C3V6T1G 编号：C6771739

封装：SOD-123

品牌：MOT(仁懋)

耐压:3.6V 功率:500mW TVS/ESD 二极管

50+
￥0.0807
500+
￥0.0628
3000+
￥0.0529
6000+
￥0.047
24000+
￥0.0419
51000+
￥0.0391

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型号：AU3321D5 编号：C19626351

封装：SOD-523

品牌：UMW(友台半导体)

是一款3.3V双向ESD保护二极管，采用领先的单晶硅技术，提供快速响应时间和超低ESD钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。采用超小型1.0x0.6x0.5mm DFN无铅封装。

50+
￥0.0882
500+
￥0.0699
3000+
￥0.0592
6000+
￥0.0531
24000+
￥0.0479
51000+
￥0.045

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型号：SS34-MS 编号：C2836396

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款肖特基二极管采用SMA封装，他具有更低的正向压降，更快的开关速度和更高的反向耐压能力，最大正向电流高达3A,被广泛应用于广泛应用于DC-DC转换器、电压钳位、保护电路（如ESD保护）、电池充电电路、脉冲电路、以及各种电子设备中的信号线保护等。

数据手册

50+
￥0.1148
500+
￥0.0878
2000+
￥0.075
4000+
￥0.066
24000+
￥0.0624
50000+
￥0.06

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型号：HPESD5V0S1BA,115 编号：C22439759

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款双向ESD静电保护二极管专为单通道应用设计，5V工作电压下稳定可靠，25A峰值电流处理能力凸显其卓越的防护效能。尽管电容值为35pF，但仍能确保大多数信号传输质量，是保护精密电路免受静电破坏的高效组件。

20+
￥0.15941 ￥0.1678
200+
￥0.1235 ￥0.13
600+
￥0.10355 ￥0.109
3000+
￥0.09158 ￥0.0964
9000+
￥0.081225 ￥0.0855
21000+
￥0.07562 ￥0.0796

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型号：BNESD9X12ST5G 编号：C19077974

封装：DFN1006-2L

品牌：BORN(伯恩半导体)

TVS二极管(ESD) 0402封装 12V单向静电保护管

20+
￥0.1889
200+
￥0.1457
600+
￥0.1217
2000+
￥0.1073
10000+
￥0.0949
20000+
￥0.0881

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型号：BV05C 编号：C46956402

封装：SOD-323

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

这款双向ESD静电保护二极管为单通道设计，耐压5V，提供全方位静电防护。4A峰值电流处理能力，确保电路在高压冲击下的安全。1pF低电容值设计，减少信号衰减，完美匹配高速数据传输应用，是保护电子设备、维护系统稳定性的高效解决方案。

20+
￥0.2284
200+
￥0.1811
600+
￥0.1549
3000+
￥0.1391
9000+
￥0.1255

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型号：BDFN2C151R 编号：C18199520

封装：DFN1006-2

品牌：BORN(伯恩半导体)

TVS二极管(ESD) ESD静电保护管低结电容接口保护物料

10+
￥0.252
100+
￥0.1992
300+
￥0.1728
1000+
￥0.153
5000+
￥0.1372
10000+
￥0.1293

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型号：EZJP0V270EA 编号：C336822

封装：0402

品牌：PANASONIC(松下)

由于采用了原创的先进材料技术，具有出色的ESD抑制效果。具有大的静电抗性，满足IEC61000-4-2，4级标准。无极性（双极性）便于替换齐纳二极管。能够替代2个齐纳二极管和1个电容器。无铅镀层端子电极，使焊接性能优良。通过采用多层结构，提供了广泛的产品范围，满足各种需求。适用于高速总线直流电压线路的低电容版本。超低电容适用于高速信号线。由于我们原创的超低电容技术，适用于高速信号线，如接口（例如USB 2.0、IEEE1394、HDMI等）。符合RoHS标准。多层单片陶瓷结构适用于高速信号线。非常适合USB 2.0、IEEE1394和HDMI高速数据总线。由于我们的原创材料技术和多层技术，适用于高速信号线，如接口（例如USB 2.0、IEEE1394、HDMI等）。电容：典型值0.8至2.1 pF。通过采用多层结构，提供了多种产品，实现了广泛的应用范围，如应用于直流电压线路和信号线路。电路电压。压敏电压：6.8至65 V [在1 mA时]。电容：典型值8.5至420 pF [在1 MHz时]。

数据手册

5+
￥0.3361
50+
￥0.292
150+
￥0.27
500+
￥0.2535
2500+
￥0.2403
5000+
￥0.2336

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型号：BZT52C16-E3-08 编号：C3736909

封装：SOD-123

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面齐纳二极管。齐纳电压根据国际E24标准分级。提供AEC-Q101认证。 ESD能力符合AEC-Q101：人体模型> 8kV，机器模型> 800V。基础型号-E3，符合RoHS标准，商业级。基础型号-HE3_A，符合RoHS标准，通过AEC-Q101认证

10+
￥0.492
100+
￥0.3923
300+
￥0.3424
1000+
￥0.305
5000+
￥0.2751

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型号：PESD5V0S1BSF,315 编号：C478166

封装：DFN0603-2

品牌：Nexperia(安世)

采用SOD962无引脚超小型表面贴装器件（SMD）封装的低电容双向静电放电（ESD）保护二极管，旨在保护一条信号线免受ESD及其他瞬态现象造成的损坏。

数据手册

5+
￥0.6307
50+
￥0.4994
150+
￥0.4338
500+
￥0.3845
2500+
￥0.3451
5000+
￥0.3254

有货

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型号：PESD3V3U1UB,115 编号：C2443469

封装：SC-79(SOD-523)

品牌：Nexperia(安世)

低电容单向静电放电（ESD）保护二极管，采用超小扁平引脚SOD523（SC - 79）表面贴装器件（SMD）塑料封装，旨在保护单条信号线免受ESD及其他瞬态现象造成的损坏。

数据手册

5+
￥0.8335
50+
￥0.665
150+
￥0.5808
500+
￥0.5177
3000+
￥0.4671
6000+
￥0.4419

有货

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型号：SP4021-01FTG-C 编号：C720051

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP4021 系列元件分别集成了低电容转向二极管和一个或两个雪崩击穿二极管，以实现单向或双向保护，可抵御静电放电（ESD）和雷电感应浪涌事件。这些元件每 IEC 61000 - 4 - 5 标准（tp = 8/20μs）可安全吸收高达 25A 的浪涌电流而性能不下降，且每 IEC 61000 - 4 - 2 国际标准可承受最小 ±30kV 的 ESD。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护以太网等电信端口和其他高速数据接口。

数据手册

5+
￥0.8433
50+
￥0.6623
150+
￥0.5717
500+
￥0.5039
3000+
￥0.427
6000+
￥0.3998

有货

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型号：ESD761DPYR 编号：C20345399

封装：X1-SON-2(0.6x1)

品牌：TI(德州仪器)

ESD761 适用于 USB 电力输送的 1.1pF、±24V、±15kV ESD 保护二极管

5+
￥0.8501
50+
￥0.6833
150+
￥0.5999
500+
￥0.5373
2500+
￥0.4873
5000+
￥0.4622

有货

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型号：TPD4E001DBVR 编号：C465736

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

TPD4E001 适用于 USB 2.0 且具有 1nA 最大漏电流和 VCC 引脚的四路 1.5pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管

数据手册

5+
￥0.8967
50+
￥0.7226
150+
￥0.6355
500+
￥0.5702
3000+
￥0.518

有货

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型号：PESD5V0V4UW,115 编号：C552588

封装：SOT-665-5

品牌：Nexperia(安世)

采用小型表面贴装器件（SMD）塑料封装的极低电容单向四通道静电放电（ESD）保护二极管阵列，旨在保护多达四条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。

数据手册

5+
￥0.9195
50+
￥0.754538 ￥0.8027
150+
￥0.632184 ￥0.7526
500+
￥0.579684 ￥0.6901
2500+
￥0.556332 ￥0.6623
4000+
￥0.542304 ￥0.6456

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型号：P4SMA36A 编号：C1973815

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出了挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns提供用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用紧凑型芯片封装DO - 214AC（SMA）尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供6.8 V至550 V的击穿电压选择。单向器件的典型快速响应时间小于1.0皮秒，双向器件小于5.0皮秒。Bourns芯片二极管符合JEDEC标准，易于使用标准贴装设备进行操作，扁平结构可最大程度减少滚动。

数据手册

5+
￥1.0574
50+
￥0.875516 ￥0.9314
150+
￥0.737016 ￥0.8774
500+
￥0.6804 ￥0.81
2500+
￥0.62496 ￥0.744
5000+
￥0.60984 ￥0.726

有货

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型号：PESD24VS2UT,215 编号：C477999

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT23塑料封装的单向双路ESD保护二极管。旨在保护多达两条传输线或数据线免受静电放电（ESD）损坏。

数据手册

5+
￥1.1939
50+
￥0.9413
150+
￥0.833
500+
￥0.6979
3000+
￥0.6377
6000+
￥0.6016

有货

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型号：PESD24VS1UL,315 编号：C477994

封装：DFN1006-2

品牌：Nexperia(安世)

采用SOD882无引脚超小型表面贴装器件（SMD）塑料封装的单向静电放电（ESD）保护二极管，旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。

5+
￥1.3264
50+
￥1.0417
150+
￥0.9196
500+
￥0.7673
2500+
￥0.6995
5000+
￥0.6589

有货

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型号：TPD1E0B04DPYR 编号：C1975594

封装：X1-SON-2(0.6x1)

品牌：TI(德州仪器)

TPD1E0B04 适用于 USB-C 和天线且采用 0402 和 0201 封装的 0.13pF、±3.6V、±8kV ESD 保护二极管

数据手册

5+
￥1.5972
50+
￥1.2839
150+
￥1.1496
500+
￥0.982
2500+
￥0.9028
5000+
￥0.858

有货

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型号：PESD5Z2.5,115 编号：C461167

封装：SOD-523

品牌：Nexperia(安世)

采用SOD523（SC - 79）超小扁平引脚表面贴装器件（SMD）塑料封装的低电容单向静电放电（ESD）保护二极管，旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。

数据手册

5+
￥1.8488
50+
￥1.4501
150+
￥1.2793
500+
￥1.0661
3000+
￥0.9667
6000+
￥0.9097

有货

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型号：PUSB3AB4Z 编号：C553549

封装：DFN2510-10

品牌：Nexperia(安世)

该器件旨在保护高速接口，如10 Gbps的SuperSpeed USB 3.2、高清多媒体接口（HDMI）、DisplayPort、外部串行高级技术附件（eSATA）和低压差分信号（LVDS）接口免受静电放电（ESD）影响。该器件包含一个高级ESD保护二极管结构，用于保护超高速信号线的敏感发射机和接收机。该器件采用无引脚小型DFN2510A - 10（SOT1176 - 1）塑料封装。所有信号线均采用特殊的二极管配置进行保护，最大线路电容仅为0.2 pF。这些二极管采用回滞结构，以便为下游组件提供高达±15 kV接触ESD电压的保护，超过了IEC 61000 - 4 - 2标准的4级要求。

数据手册

5+
￥2.2873
50+
￥1.9474
150+
￥1.8017
500+
￥1.62
2500+
￥1.4986
5000+
￥1.45

有货

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型号：PESD5V0L5UV,115 编号：C84255

封装：SOT-666-6

品牌：Nexperia(安世)

低电容单向五通道静电放电（ESD）保护二极管阵列，采用小型表面贴装器件（SMD）塑料封装，旨在保护多达五条单向信号线免受ESD及其他瞬态干扰造成的损坏。

数据手册

1+
￥2.7
10+
￥2.14
30+
￥1.9
100+
￥1.59
500+
￥1.46
1000+
￥1.38

有货

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型号：TPD4E02B04QDQARQ1 编号：C1973193

封装：USON-10(1x2.5)

品牌：TI(德州仪器)

TPD4E02B04-Q1 适用于 USB 3.0 和高速接口的汽车类四路 0.25pF、±3.6V、±12kV ESD 保护二极管

数据手册

1+
￥2.74
10+
￥2.2
30+
￥1.96
100+
￥1.67
500+
￥1.54
1000+
￥1.46

有货

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型号：CDSOD323-T03C 编号：C711705

封装：SOD-323

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备制造商对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。伯恩斯（Bourns）提供采用SOD323封装尺寸规格的瞬态电压抑制器阵列二极管，用于浪涌和ESD保护应用。瞬态电压抑制器阵列系列提供单向或双向配置，电压类型选择范围为3 V至24 V。伯恩斯芯片二极管符合JEDEC标准，便于在标准贴装设备上操作，其扁平结构可最大程度减少滚动。伯恩斯器件有助于满足IEC 61000 - 4 - 2（ESD）、IEC 61000 - 4 - 4（EFT）和IEC 61000 - 4 - 5（浪涌）要求。

数据手册

1+
￥2.75
10+
￥2.2
30+
￥1.97
100+
￥1.68
500+
￥1.55
1000+
￥1.41

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