赛米微尔放电管_厂家_价格_品牌_库存

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型号：SG2R05B090 编号：C696680

封装：插件,5.5x6mm

品牌：SEMIWARE(赛米微尔)

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型号：SG2R08B470 编号：C696682

封装：插件,6x8mm

品牌：SEMIWARE(赛米微尔)

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型号：SG3R08B090 编号：C696681

封装：插件,8x6mm

品牌：SEMIWARE(赛米微尔)

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型号：SMD4532-075NF 编号：C47345374

封装：1812

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：对快速上升瞬态响应出色。击穿电压稳定。低电容和插入损耗。高绝缘电阻。尺寸：4.5×3.2×2.7 mm。储存和工作温度：-40℃~+85℃。应用：测试设备。交流电源

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型号：3R090A-5S 编号：C48642393

封装：SMD-3P,7.5x5mm

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：对快速上升的瞬态有出色响应。稳定的击穿电压。低电容和插入损耗。高绝缘电阻。尺寸：Φ5×5×7.5mm。储存和工作温度：-40℃~ +85℃。应用：测试设备。交流电源

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型号：SMD4532-090NF 编号：C47345375

封装：1812

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：对快速上升瞬态响应出色。击穿电压稳定。低电容和插入损耗。高绝缘电阻。尺寸：4.5×3.2×2.7 mm。储存和工作温度：-40℃~+85℃。应用：测试设备。交流电源

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型号：SMD5050-090NA 编号：C47345389

封装：SMD,5x5mm

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：对快速上升瞬态有出色响应。击穿电压稳定。低电容和插入损耗。高绝缘电阻。尺寸：5.0×5.0×4.2mm。存储和工作温度：-40°C至+85°C。应用：测试设备。交流电源

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型号：SMD3216-090N 编号：C47345357

封装：1206

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：对快速上升瞬态有出色响应。稳定的击穿电压。低电容和插入损耗。高绝缘电阻。尺寸：3.2×1.6×1.6 mm。储存和工作温度：-40℃~+85℃。应用：测试设备。交流电源

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型号：SMD4532-600NF 编号：C47345384

封装：1812

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：对快速上升瞬态响应出色。击穿电压稳定。低电容和插入损耗。高绝缘电阻。尺寸：4.5×3.2×2.7 mm。储存和工作温度：-40℃~+85℃。应用：测试设备。交流电源

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型号：SMD3225-090N 编号：C47345367

封装：1210

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：对快速上升瞬态响应良好。击穿电压稳定。低电容和插入损耗。高绝缘电阻。尺寸：3.2×2.5×2.5mm。储存和工作温度：-40℃~+85℃。应用：测试设备。交流电源

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型号：2R090SA-5 编号：C48642392

封装：SMD,D5.5xL6mm

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：对快速上升瞬态有出色响应。稳定的击穿电压。低电容和插入损耗。高绝缘电阻。尺寸：Φ5.5*6mm。储存和工作温度：-40°C至+85°C。应用：测试设备。交流电源

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型号：SMD4532-350NF 编号：C47345380

封装：1812

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：对快速上升瞬态响应出色。击穿电压稳定。低电容和插入损耗。高绝缘电阻。尺寸：4.5×3.2×2.7 mm。储存和工作温度：-40℃~+85℃。应用：测试设备。交流电源

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型号：SMD3216-150N 编号：C47345358

封装：1206

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：对快速上升瞬态有出色响应。稳定的击穿电压。低电容和插入损耗。高绝缘电阻。尺寸：3.2×1.6×1.6 mm。储存和工作温度：-40℃~+85℃。应用：测试设备。交流电源

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型号：SMD3216-300N 编号：C47345361

封装：1206

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：对快速上升瞬态有出色响应。稳定的击穿电压。低电容和插入损耗。高绝缘电阻。尺寸：3.2×1.6×1.6 mm。储存和工作温度：-40℃~+85℃。应用：测试设备。交流电源

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￥1.402
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型号：2R090TB-8 编号：C48642391

封装：插件,D8xL6mm

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：对快速上升的瞬态有出色响应。稳定的击穿电压。低电容和插入损耗。高绝缘电阻。尺寸：Φ8×6mm。储存和工作温度：-40℃至+85℃。应用：测试设备。交流电源

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型号：3R075TB-8 编号：C48951260

封装：插件,D8xL10mm

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：对快速上升瞬变响应出色。击穿电压稳定。低电容和插入损耗。高绝缘电阻。尺寸：Φ8×10mm。储存和工作温度：-40℃至+85℃。应用：测试设备。交流电源

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型号：2R075SB-8 编号：C48642396

封装：SMD,D8xL6mm

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：对快速上升的瞬态有出色响应。稳定的击穿电压。低电容和插入损耗。高绝缘电阻。尺寸：Φ8×6mm。储存和工作温度：-40℃至+85℃。应用：测试设备。交流电源

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型号：2R800TA-5 编号：C48642414

封装：插件,D5.5xL6mm

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：对快速上升瞬态有出色响应。稳定的击穿电压。低电容和插入损耗。高绝缘电阻。尺寸：Φ5.5*6mm。储存和工作温度：-40°C至+85°C。应用：测试设备。交流电源

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型号：2R090TA-5 编号：C48642402

封装：插件,D5.5xL6mm

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：对快速上升瞬态有出色响应。稳定的击穿电压。低电容和插入损耗。高绝缘电阻。尺寸：Φ5.5*6mm。储存和工作温度：-40°C至+85°C。应用：测试设备。交流电源

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型号：2R230TB-8 编号：C48951251

封装：插件,D8xL6mm

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：对快速上升的瞬态有出色响应。稳定的击穿电压。低电容和插入损耗。高绝缘电阻。尺寸：Φ8×6mm。储存和工作温度：-40℃至+85℃。应用：测试设备。交流电源

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型号：SMD5050-150NA 编号：C47345390

封装：SMD,5x5mm

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：对快速上升瞬态有出色响应。击穿电压稳定。低电容和插入损耗。高绝缘电阻。尺寸：5.0×5.0×4.2mm。存储和工作温度：-40°C至+85°C。应用：测试设备。交流电源

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￥2.0366
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型号：3R150A-5S 编号：C48951255

封装：SMD,D5xL7.5mm

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：对快速上升的瞬态有出色响应。稳定的击穿电压。低电容和插入损耗。高绝缘电阻。尺寸：Φ5×5×7.5mm。储存和工作温度：-40℃~ +85℃。应用：测试设备。交流电源

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￥2.06
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1000+
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型号：SMD4532-230NF 编号：C47345378

封装：1812

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：对快速上升瞬态响应出色。击穿电压稳定。低电容和插入损耗。高绝缘电阻。尺寸：4.5×3.2×2.7 mm。储存和工作温度：-40℃~+85℃。应用：测试设备。交流电源

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￥0.7364
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型号：SMD5050-075NA 编号：C47345388

封装：SMD,5x5mm

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：对快速上升瞬态有出色响应。击穿电压稳定。低电容和插入损耗。高绝缘电阻。尺寸：5.0×5.0×4.2mm。存储和工作温度：-40°C至+85°C。应用：测试设备。交流电源

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型号：2R090TD-8 编号：C48642404

封装：插件,D8xL6mm

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：对快速上升的瞬态有出色响应。稳定的击穿电压。低电容和插入损耗。高绝缘电阻。尺寸：Φ8×6mm。储存和工作温度：-40℃至+85℃。应用：测试设备。交流电源

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型号：2R600TA-5 编号：C48642410

封装：插件,D5.5xL6mm

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：对快速上升瞬态有出色响应。稳定的击穿电压。低电容和插入损耗。高绝缘电阻。尺寸：Φ5.5*6mm。储存和工作温度：-40°C至+85°C。应用：测试设备。交流电源

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型号：SMD3216-470N 编号：C47345365

封装：1206

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：对快速上升瞬态有出色响应。稳定的击穿电压。低电容和插入损耗。高绝缘电阻。尺寸：3.2×1.6×1.6 mm。储存和工作温度：-40℃~+85℃。应用：测试设备。交流电源

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型号：2R800TB-8 编号：C48642415

封装：插件,D8xL6mm

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：对快速上升的瞬态有出色响应。稳定的击穿电压。低电容和插入损耗。高绝缘电阻。尺寸：Φ8×6mm。储存和工作温度：-40℃至+85℃。应用：测试设备。交流电源

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型号：2R800TD-8 编号：C48951254

封装：插件,D8xL6mm

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：对快速上升的瞬态有出色响应。稳定的击穿电压。低电容和插入损耗。高绝缘电阻。尺寸：Φ8×6mm。储存和工作温度：-40℃至+85℃。应用：测试设备。交流电源

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型号：3R090TB-8 编号：C48951261

封装：插件,D8xL10mm

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：对快速上升瞬变响应出色。击穿电压稳定。低电容和插入损耗。高绝缘电阻。尺寸：Φ8×10mm。储存和工作温度：-40℃至+85℃。应用：测试设备。交流电源

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