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全新改进的下一代表面贴装 3 电极 GDT 浪涌保护器件采用专有的先进计算机模拟技术设计，并为该类 GDT 提供卓越的最大脉冲电压限制规格，采用小型、环境坚固的表面贴装封装。 GDT35 系列提供的性能有助于显著提高对感应电压瞬变（如雷击和交流感应）的保护。此外，与相同应用中的当前 GDT 设计相比，在快速上升事件期间提供的更紧密的电压限制水平旨在降低下游组件的应力。

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型号：GDT35-15-S1-RP 编号：C19947187

封装：-

品牌：BOURNS

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型号：2036-09-SMLF 编号：C3660901

封装：SMD-3P,7.3x5mm

品牌：BOURNS

现推出一款表面贴装（SM）三电极气体放电管（GDT）浪涌保护器件。微型2036 TRIGARD™系列GDT的高品质和卓越特性在这款适用于“拾放”制造工艺的新型SM版本中得以延续。2036 SM器件非常适合用于xDSL、电缆宽带和高速以太网等高带宽应用的电路板级保护。它具有高能量处理能力、长寿命且性能稳定、电容低于2 pF，直径仅5 mm。GDT旨在通过在导通期间作为“撬棒”形成接地短路电路，防止瞬态干扰造成损坏。当电压瞬态浪涌超过GDT规定的击穿电压水平时，器件会发生电离，并在几微秒内实现导通。当浪涌过去且系统电压恢复到正常水平时，GDT会恢复到高阻抗（关断）状态。

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型号：SL1002A600SM 编号：C315980

封装：SMD

品牌：Littelfuse(美国力特)

专为宽带设备使用而开发。特殊设计特点提供了针对通常由雷电干扰引起的 100V/μs 至 1kV/μs 范围内快速上升瞬变的高级保护。这些器件具有超低电容（典型值为 1.2pF 或更低），在高达 1.5GHz 的频率下信号损耗极小。这些器件极其坚固，能够在不损坏的情况下转移 5000A 脉冲。对于长时间的交流电源交叉，建议使用过流保护。

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型号：GDT35-47-S1-RP 编号：C19947203

封装：-

品牌：BOURNS

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型号：GDT35-23-S1-RP 编号：C19947191

封装：-

品牌：BOURNS

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型号：GDT25-07-S1-RP 编号：C3660797

封装：SMD

品牌：BOURNS

新一代表面贴装2电极GDT浪涌保护装置采用专有、先进的计算机模拟技术设计，在小型、环境适应性强的表面贴装封装中提供行业领先的最大脉冲电压限制规格。有助于显著增强对雷电和交流感应等感应电压瞬变的防护。与当前相同应用中的GDT设计相比，在快速上升事件期间提供更严格的电压限制，可减少下游组件的压力。

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型号：CG75LTR 编号：C5373315

封装：插件,D8xL6mm

品牌：Littelfuse(美国力特)

高可靠性的气体放电管在小尺寸下提供高度的浪涌保护，非常适合板级电路保护。气体放电管作为开关，消耗的能量最少，因此能够处理远远超过其他类型瞬态电压保护的电流。其填充气体的坚固陶瓷金属结构使其非常适合恶劣环境。有多种形式，包括表面贴装、芯线、直引线和成型引线，以适应各种安装方法。75V-110V 适用于保护测试和通信设备以及其他需要低电压限制和极低电弧电压的设备。145V-1000V 适用于保护需要更高电压限制和维持电压的设备。

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型号：CG90MS 编号：C3661202

封装：SMD

品牌：Littelfuse(美国力特)

提供高度可靠的浪涌保护，尺寸小，适用于电路板级电路保护。作为开关工作，耗散的能量最小，能够处理远超其他类型瞬态电压保护的电流。采用充气、坚固的陶瓷金属结构，适合恶劣环境。有多种形式，包括表面贴装、带芯、直引脚和异形引脚，适用于各种安装方法。适用于保护测试和通信设备以及其他需要低电压限制和极低电弧电压的设备。适用于保护需要更高电压限制和维持电压的设备。

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型号：2036-15-B2LF 编号：C3660422

封装：插件

品牌：BOURNS

特性：平衡型Mini-TRIGARD™。直径5mm，长7.5mm。 UL认证。有符合RoHS标准的版本。应用：电信。工业电子

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型号：2036-07-B3LF 编号：C3660552

封装：插件

品牌：BOURNS

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型号：2036-23-SM-RPLF 编号：C3659911

封装：SMD-3P,7.3x5mm

品牌：BOURNS

现推出一款表面贴装（SM）三电极气体放电管（GDT）浪涌保护器件。微型2036 TRIGARD™系列GDT的高品质和卓越特性在这款适用于“拾放”制造工艺的新型SM版本中得以延续。2036 SM器件非常适合用于xDSL、电缆宽带和高速以太网等高带宽应用的电路板级保护。它具有高能量处理能力、长寿命且性能稳定、电容低于2 pF，直径仅5 mm。GDT旨在通过在导通期间作为“撬棒”形成接地短路电路，防止瞬态干扰造成损坏。当电压瞬态浪涌超过GDT规定的击穿电压水平时，器件会发生电离，并在几微秒内实现导通。当浪涌过去且系统电压恢复到正常水平时，GDT会恢复到高阻抗（关断）状态。

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