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首页 > 热门关键词 > 双向tvs二极管
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双向TVS 54V截止 峰值浪涌电流：57.5A
型号：5.0SMDJ54CA 编号：C2997074
封装：DO-214AB
品牌：SET(赛尔特)
瞬态抑制二极管（TVS）是一种电路保护元件，它可以削弱或过滤突增的瞬态电压（过压），在浪涌到来瞬间几纳秒时间内发生雪崩击穿，将浪涌电流引至接地端，并将电压箱位在安全范围内，从而实现了高效能的电压保护。
数据手册

  • 1+

    ￥2.41

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    ￥1.93

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    双向TVS 75V截止 峰值浪涌电流：41.4A
    型号：5.0SMDJ75CA 编号：C2997079
    封装：DO-214AB
    品牌：SET(赛尔特)
    瞬态抑制二极管（TVS）是一种电路保护元件，它可以削弱或过滤突增的瞬态电压（过压），在浪涌到来瞬间几纳秒时间内发生雪崩击穿，将浪涌电流引至接地端，并将电压箱位在安全范围内，从而实现了高效能的电压保护。
    数据手册

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    双向TVS 100V截止 峰值浪涌电流：231.8A@8/20us
    型号：5.0SMDJ100CA 编号：C5279852
    封装：DO-214AB
    品牌：SET(赛尔特)
    瞬态抑制二极管（TVS）是一种电路保护元件，它可以削弱或过滤突增的瞬态电压（过压），在浪涌到来瞬间几纳秒时间内发生雪崩击穿，将浪涌电流引至接地端，并将电压箝位在安全范围内，从而实现了高效能的电压保护。
    数据手册

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      ￥2.51

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    双向TVS 8V截止 峰值浪涌电流：17A@8/20us
    型号：CDSOD323-T08SC 编号：C911384
    封装：SOD-323
    品牌：BOURNS
    便携式通信、计算和视频设备制造商对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。采用SOD323封装尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，适用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供单向或双向配置，电压类型选择范围为3 V至36 V

    • 1+

      ￥3.78

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      ￥3.09

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    双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：7A
    型号：HESD5431N 编号：C22439930
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD保护二极管，针对3.3V电压系统优化，采用单通道设计。具备7A的峰值电流处理能力，为电路板提供更高级别的静电防护盾。10pF的电容值，在确保高效防护的同时，兼顾信号完整性，是现代电子设备抗静电干扰的可靠伙伴。

    • 50+

      ￥0.04509 ￥0.0501

    • 500+

      ￥0.04401 ￥0.0489

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      ￥0.04266 ￥0.0474
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    1路 双向ESD 5V截止 峰值脉冲电流：9A
    型号：HESDNC5VB1AF-A 编号：C3033468
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，专为5V系统设计，提供单通道高效防护。具备9A峰值脉冲电流IPP能力，能有效吸收和抑制双向瞬态ESD事件，保护电路不受损坏。结电容低至15pF，确保在高速数据接口应用中保持卓越信号完整性，是现代电子设备防止静电干扰的理想解决方案。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0473

    • 500+

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    双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：5A
    型号：HPESDNC2XD3V3B 编号：C22439689
    封装：DFN0603-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD静电保护二极管专为3.3V电压应用打造，单一通道设计确保了电路中的双向静电防护。它能承受最大5A的瞬时电流冲击，拥有12pF的电容值，适合于对信号速度要求不那么严格的环境。该器件能有效抵御静电破坏，为您的电子设备增添一层坚固的保护屏障。

    • 50+

      ￥0.04734 ￥0.0526

    • 500+

      ￥0.04617 ￥0.0513

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      ￥0.04473 ￥0.0497
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    双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：9A@8/20us
    型号：HCESD882NC3V3B 编号：C22440055
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款ESD保护二极管为双向设计，专为单一信号线打造。它能在3.3V下稳定工作，面对突发静电冲击，能承受9A的峰值电流保护，且内嵌15pF低电容值，确保高效防护同时，减少对信号传输的影响，适配于各类敏感电子设备中的静电防护需求。

    • 50+

      ￥0.05292 ￥0.0588

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：8A
    型号：HLESD5Z5.0C-H 编号：C22439980
    封装：SOD-523
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD静电保护二极管专为单路信号防护设计，耐压5V，具备8A瞬时电流承受能力，低至10pF的电容值确保了信号完整无损。它如同电子设备的隐形卫士，双面防御静电侵袭，为敏感电路提供坚实保障，提升系统运行的可靠性和数据的安全性。

    • 20+

      ￥0.05848 ￥0.0688

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：8A
    型号：HBV-D505ZC 编号：C22439974
    封装：SOD-523
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此双向ESD保护二极管为单通道器件，工作电压VRWM为5V，能承受8A峰值电流冲击，具有10pF的低电容特性，确保高速信号的清晰传输。它为电子设备提供双方向静电防护，像一个精密的盾牌，默默守护电路板免受静电破坏，强化系统稳定性与数据安全性。

    • 20+

      ￥0.05859 ￥0.0651

    • 200+

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：9A
    型号：HESD5451XZ 编号：C22439918
    封装：DFN0603-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此款双向ESD静电保护二极管专为5V电压等级的单通道电路设计，能承受高达9A的瞬态电流冲击，提供卓越的静电防护效果。尽管电容值较高，为15pF，但仍适用于不追求极致高速传输的应用场景，确保电路在存在静电威胁的环境中稳定工作，是众多电子设备静电防护的理想元件。

    • 20+

      ￥0.060543 ￥0.0651

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      ￥0.059148 ￥0.0636

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    1路 双向ESD 5V截止 峰值脉冲电流：2.5A
    型号：HESDLC5VB1CL-A 编号：C3033492
    封装：SOD-523
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    销售中的这款ESD静电防护二极管采用SOD-523封装，为1通道双向设计。具备5V反向工作电压耐受值VRWM，能有效防止过电压损害。其峰值脉冲电流IPP达2.5A，结电容低至2.5pF，确保在提供卓越ESD保护的同时，最大程度减少对高速信号质量的影响，尤其适用于对静电防护和信号速度有严格要求的精密电子接口。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0606

    • 500+

      ￥0.0592

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    双向TVS 30V截止 峰值浪涌电流：4.1A
    型号：SMF30CA 编号：C18213982
    封装：SOD-123FL
    品牌：KUU
    TVS瞬态抑制二极管

    • 20+

      ￥0.0607 ￥0.1214

    • 200+

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      ￥0.0286 ￥0.0572
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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：8A
    型号：HCESDBLC5V0D5 编号：C22439989
    封装：SOD-523
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该ESD静电保护二极管为双向单通道配置，工作电压达到5V，能承受8A瞬时脉冲电流，电容值仅为10pF，确保了高速信号的无延迟传输。作为电路的静电守护神，它能在不影响信号质量的前提下，为电子设备提供全方位的静电防护，加固系统防护壁垒。

    • 20+

      ￥0.06084 ￥0.0676

    • 200+

      ￥0.0594 ￥0.066

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      ￥0.0585 ￥0.065

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      ￥0.05751 ￥0.0639
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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4A@8/20us
    型号：PESD5V0F1BL-HXY 编号：C19627022
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，专为5V系统提供高效抗静电保护。采用紧凑型1通道设计，拥有超低结电容0.35pF，确保在高速数据传输中实现卓越信号完整性。峰值脉冲电流IPP达4A，能有效吸收和抑制双向瞬态ESD冲击，防止敏感电子元件受损，是现代便携式设备、高速接口及高密度电路板的理想ESD防护解决方案。

    • 20+

      ￥0.061625 ￥0.0725

    • 200+

      ￥0.06018 ￥0.0708

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：9A@8/20us
    型号：HPJSD05CTS 编号：C22439976
    封装：SOD-523
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD保护二极管为单通道设计，耐压5V，适合更广泛电压范围内的静电防护。9A峰值脉冲电流处理能力，为电路板提供坚实保障。15pF的电容值，在确保信号完整性的同时，有效阻止静电破坏，是保护各类电子设备免受静电影响的优选方案。

    • 20+

      ￥0.06171 ￥0.0726

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      ￥0.060265 ￥0.0709

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    双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：4A
    型号：HPESDUC2XD3V3BF 编号：C22439765
    封装：DFN0603-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD静电保护二极管专为单一信号线设计，可在3.3V电压下稳定工作，提供4A峰值电流防护，有效抵御静电破坏。其电容值仅为0.55pF，确保高速信号传输无衰减，是保护高频数据线路、提升系统稳定性和数据完整性的理想选择。

    • 20+

      ￥0.06363 ￥0.0707

    • 200+

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：8A@8/20us
    型号：HRSB6.8CMGJT2N 8K/R 编号：C22439810
    封装：SOD-923
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD静电保护二极管专为单一信号线路设计，耐压VRWM为5V，能有效应对日常静电威胁。9A的峰值电流IPP处理能力，为电子设备穿上隐形防护服，防止瞬时静电破坏。15pF的低电容特性CJ，确保高速信号传输无阻，是保护精密电路、提升系统可靠性的理想选择。

    • 20+

      ￥0.063888 ￥0.0726

    • 200+

      ￥0.062392 ￥0.0709

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      ￥0.060456 ￥0.0687
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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：2A
    型号：HESDB5V0 编号：C22439791
    封装：SOD-523
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD保护二极管为单通道设计，耐压5V，能承受2A峰值瞬态电流，具有低至3.5pF的电容值，确保在保护电路免受静电损坏的同时，最大限度地减少对高频信号的衰减，是精密电子设备静电防护的理想选择。

    • 20+

      ￥0.0663

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      ￥0.0648

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：9A@8/20us
    型号：HPESDNC2XD5VBL 编号：C22439952
    封装：DFN0603-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该ESD静电保护二极管为双向单通道配置，额定电压5V，能承受9A瞬时大电流冲击，为低电压应用提供强有力的静电防护。电容值15pF，适宜于非高速信号线路，确保基本的信号传输质量同时，给予设备必要的静电安全保障，是消费电子及低速通信接口的优选防静电组件。

    • 20+

      ￥0.067611 ￥0.0727

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      ￥0.06603 ￥0.071

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      ￥0.063891 ￥0.0687
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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：9A@8/20us
    型号：HCESD523LC5VB 编号：C22439951
    封装：SOD-523
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    本产品是一款双向ESD防护二极管，专为单一信号线路设计，具备5V的工作电压耐压值，能有效应对高达2.5A的瞬时电流冲击，确保电路安全。其小巧的3pF电容值，有利于高速信号传递，是保护精密电子设备免受静电损害的理想选择。

    • 20+

      ￥0.069344 ￥0.0788

    • 200+

      ￥0.06776 ￥0.077

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    双向TVS 18V截止 峰值浪涌电流：6.8A
    型号：KSMF18CA-E3-08 编号：C2892483
    封装：SOD-123FL
    品牌：KUU
    TVS瞬态抑制二极管
    数据手册

    • 20+

      ￥0.07 ￥0.14

    • 200+

      ￥0.05545 ￥0.1109

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    • 3000+

      ￥0.0376 ￥0.0752

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      ￥0.0334 ￥0.0668

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      ￥0.0311 ￥0.0622
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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4A
    型号：HRCLAMP0531T.TCT 编号：C22439703
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD保护二极管专为单通道应用设计，可在5V电压下稳定工作，提供4A峰值电流的静电防护能力，有效守护电路安全。其电容值低至0.5pF，确保了信号完整无损地高速传输，是保护高灵敏电子设备和提升系统抗静电干扰能力的理想方案。

    • 20+

      ￥0.070488 ￥0.0801

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      ￥0.068816 ￥0.0782

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    双向TVS 26V截止 峰值浪涌电流：4.8A
    型号：KSMF26CA-E3-08 编号：C2892484
    封装：SOD-123FL
    品牌：KUU
    TVS瞬态抑制二极管
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    双向TVS 5V截止 峰值浪涌电流：21.7A@10/1000us
    型号：SMFJ5.0CA 编号：C18213991
    封装：SOD-123FL
    品牌：YONGYUTAI(永裕泰)
    TVS瞬态抑制二极管

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    双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：11A@8/20us
    型号：HCESD923NC3V3B 编号：C22439677
    封装：SOD-923
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    本产品是一款双向ESD静电保护二极管，专为单通道电路打造，具备3.3V的低电压保护阈值（VRWM），能有效应对双向电涌，保护精密组件。其峰值脉冲电流处理能力达到11A（IPP），确保在高压瞬态下依然稳定工作。此外，仅15pF的低电容值（CJ）设计，可减少信号延迟，非常适合高速数据线路的静电防护，保障信号完整性。

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    双向TVS 6.67V截止 峰值浪涌电流：19.4A@10/1000us
    型号：SJD12C06L01 编号：C48935717
    封装：SOD-123FL
    品牌：KUU
    TVS瞬态抑制二极管

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：25A
    型号：HPESD5V0S1BAF 编号：C22439724
    封装：SOD-323
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD静电保护二极管专为单路保护优化，可在5V工作电压下稳定运行，具备25A的高瞬态电流处理能力，为电路提供强大的静电防护盾。35皮法的电容值确保了广泛频段信号的低失真传输，是消费电子及通信设备中静电防护的理想元件。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：20A
    型号：HDESD5V0S1BL-7B 编号：C22439796
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD防护二极管专为单一电路线路定制，电压击穿阈值为5V，能承受高达20A的瞬时冲击电流，确保电路免受静电破坏。集成仅40皮法的低电容值，既不会影响高频信号传输质量，又提供了即时的静电释放路径，是保护精密电子组件的理想选择，让设备运行更加稳定无忧。

    • 20+

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：17A@8/20us
    型号：HPESD5V0L1BA,115 编号：C22439763
    封装：SOD-323
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD静电保护二极管专为单通道应用设计，耐压值VRWM为5V，适合多种电子设备的保护需求。它拥有17A的高峰值脉冲电流IPP处理能力，能有效阻断双向静电放电，保护电路安全无虞。尽管电容CJ为90pF，但在很多非高速信号场景下仍能保持良好的信号完整性，为你的电路提供强有力的静电防护支持。

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