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首页 > 热门关键词 > 双向tvs二极管
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双向TVS 5.8V截止 峰值浪涌电流：298A@8/20us
型号：P6KE6V8CA 编号：C2942986
封装：DO-204AC
品牌：ST(意法半导体)
P6KE瞬态电压抑制（TVS）二极管系列旨在依据IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883方法3015标准，保护敏感设备免受静电放电影响，并能抵御如IEC 61000 - 4 - 4和IEC 61000 - 4 - 5标准规定的电气过应力。该系列适用于600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用要求低漏电流和高结温，以确保长期可靠性和稳定性
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  • 5+

    ￥1.7282

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    双向TVS 36V截止 峰值脉冲电流：645.8A@8/20us
    型号：5.0SMDJ36CA 编号：C5279854
    封装：DO-214AB
    品牌：SET(赛尔特)
    瞬态抑制二极管（TVS）是一种电路保护元件，它可以削弱或过滤突增的瞬态电压（过压），在浪涌到来瞬间几纳秒时间内发生雪崩击穿，将浪涌电流引至接地端，并将电压箝位在安全范围内，从而实现了高效能的电压保护。
    数据手册

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      ￥2.45

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    双向TVS 75V截止 峰值浪涌电流：41.4A
    型号：5.0SMDJ75CA 编号：C2997079
    封装：DO-214AB
    品牌：SET(赛尔特)
    瞬态抑制二极管（TVS）是一种电路保护元件，它可以削弱或过滤突增的瞬态电压（过压），在浪涌到来瞬间几纳秒时间内发生雪崩击穿，将浪涌电流引至接地端，并将电压箱位在安全范围内，从而实现了高效能的电压保护。
    数据手册

    • 5+

      ￥2.51

    • 50+

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：11A@8/20us
    型号：LESD3Z5.0CMT1G-HXY 编号：C19627023
    封装：SOD-323
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此款SOD-323封装的双向ESD静电防护二极管，专为5V系统提供高效防护。具备1通道设计，峰值脉冲电流IPP高达11A，能在极端条件下有效抑制双向瞬态ESD冲击。其低至20pF的结电容确保了在高速数据线路上实现优秀的信号完整性，是现代高集成度和抗静电要求严苛电子设备的理想之选。

    • 50+

      ￥0.051744 ￥0.0588

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      ￥0.049016 ￥0.0557
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    1路双向ESD
    型号：HESDLC5VB1AF-A 编号：C3033475
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管适用于5V系统，提供单通道保护。具备2.5A峰值脉冲电流IPP能力，有效对抗双向瞬态ESD冲击。其低至2.5pF的结电容确保在高速信号传输中保持优异信号完整性，是小型化电子设备和高要求接口的理想选择，提供强大的静电防护功能。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0526

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      ￥0.0499
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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：11A@8/20us
    型号：CESDBLC5V0D3-HXY 编号：C20611930
    封装：SOD-323
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此款SOD-323封装的双向ESD静电防护二极管专为5V系统提供高级别保护，具备1通道设计，可高效抵御正反向瞬态ESD冲击。其峰值脉冲电流IPP高达11A，表明器件在遭受静电放电时具有强大的承受和耗散能力。同时，拥有低至20pF的结电容，确保在高速数据传输接口上的信号完整性得到良好维持，是高集成度电路的理想ESD防护解决方案。

    • 50+

      ￥0.056056 ￥0.0637

    • 500+

      ￥0.054824 ￥0.0623

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      ￥0.049984 ￥0.0568
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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：8A
    型号：HLESD5Z5.0C-H-HXY 编号：C22439980
    封装：SOD-523
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD静电保护二极管专为单路信号防护设计，耐压5V，具备8A瞬时电流承受能力，低至10pF的电容值确保了信号完整无损。它如同电子设备的隐形卫士，双面防御静电侵袭，为敏感电路提供坚实保障，提升系统运行的可靠性和数据的安全性。

    • 20+

      ￥0.05848 ￥0.0688

    • 200+

      ￥0.05712 ￥0.0672

    • 600+

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      ￥0.055335 ￥0.0651
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    双向ESD 3.3V截止 峰值脉冲电流：9A
    型号：LESD8D3.3CAT5G-HXY 编号：C5451660
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该DFN1006-2L封装双向ESD静电防护二极管专为3.3V系统设计，具备单通道强大保护功能。能有效应对9A峰值瞬态电流，双向抑制ESD冲击，保障电路安全。其结电容低至15pF，特别适应高速数据传输需求，提供卓越的信号完整性和高效ESD防护性能，是紧凑型电子设备的理想选择。

    • 50+

      ￥0.0587

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      ￥0.0385

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4A@8/20us
    型号：PESD5V0F1BL-HXY 编号：C19627022
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，专为5V系统提供高效抗静电保护。采用紧凑型1通道设计，拥有超低结电容0.35pF，确保在高速数据传输中实现卓越信号完整性。峰值脉冲电流IPP达4A，能有效吸收和抑制双向瞬态ESD冲击，防止敏感电子元件受损，是现代便携式设备、高速接口及高密度电路板的理想ESD防护解决方案。

    • 20+

      ￥0.063325 ￥0.0745

    • 200+

      ￥0.06188 ￥0.0728

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    双向TVS 26V截止 峰值浪涌电流：4.8A
    型号：KSMF26CA-E3-08 编号：C2892484
    封装：SOD-123FL
    品牌：KUU
    TVS瞬态抑制二极管
    数据手册

    • 20+

      ￥0.071 ￥0.142

    • 200+

      ￥0.0565 ￥0.113

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    双向TVS 30V截止 峰值浪涌电流：4.1A
    型号：SMF30CA 编号：C18213982
    封装：SOD-123FL
    品牌：KUU
    TVS瞬态抑制二极管

    • 20+

      ￥0.082552 ￥0.1214

    • 200+

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    双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：7A
    型号：HESD5431N 编号：C22439930
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD保护二极管，针对3.3V电压系统优化，采用单通道设计。具备7A的峰值电流处理能力，为电路板提供更高级别的静电防护盾。10pF的电容值，在确保高效防护的同时，兼顾信号完整性，是现代电子设备抗静电干扰的可靠伙伴。

    • 50+

      ￥0.08802 ￥0.0978

    • 500+

      ￥0.06858 ￥0.0762

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      ￥0.04266 ￥0.0474
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    双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：5A
    型号：HPESDNC2XD3V3B 编号：C22439689
    封装：DFN0603-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD静电保护二极管专为3.3V电压应用打造，单一通道设计确保了电路中的双向静电防护。它能承受最大5A的瞬时电流冲击，拥有12pF的电容值，适合于对信号速度要求不那么严格的环境。该器件能有效抵御静电破坏，为您的电子设备增添一层坚固的保护屏障。

    • 50+

      ￥0.09243 ￥0.1027

    • 500+

      ￥0.072 ￥0.08

    • 1500+

      ￥0.06066 ￥0.0674

    • 15000+

      ￥0.05382 ￥0.0598

    • 30000+

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    • 45000+

      ￥0.04473 ￥0.0497
  • 订货
    • 我要订货
    双向ESD 7V截止 峰值脉冲电流：20A
    型号：LESD8D7.0CAT5G-HXY 编号：C5451653
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，针对7V系统提供单通道强效保护。具备9A峰值脉冲电流IPP承受力，有效抑制双向瞬态ESD，确保电路稳定。结电容仅8pF，特别适合高速接口应用，兼具出色的信号完整性和卓越的ESD防护性能。

    • 50+

      ￥0.0975

    • 500+

      ￥0.076

    • 1500+

      ￥0.064

    • 10000+

      ￥0.0568

    • 20000+

      ￥0.0506

    • 50000+

      ￥0.0472
  • 有货
    • 立即购买
    双向TVS 5V截止 峰值浪涌电流：21.7A@10/1000us
    型号：SMFJ5.0CA 编号：C18213991
    封装：SOD-123FL
    品牌：YONGYUTAI(永裕泰)
    TVS瞬态抑制二极管

    • 单价：

      ￥0.069 / 个
    我要订货
    双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：9A@8/20us
    型号：HCESD882NC3V3B 编号：C22440055
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款ESD保护二极管为双向设计，专为单一信号线打造。它能在3.3V下稳定工作，面对突发静电冲击，能承受9A的峰值电流保护，且内嵌15pF低电容值，确保高效防护同时，减少对信号传输的影响，适配于各类敏感电子设备中的静电防护需求。

    • 50+

      ￥0.10341 ￥0.1149

    • 500+

      ￥0.08055 ￥0.0895

    • 1500+

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    • 10000+

      ￥0.06021 ￥0.0669

    • 20000+

      ￥0.05364 ￥0.0596

    • 50000+

      ￥0.05013 ￥0.0557
  • 有货
    • 立即购买
    1路 双向ESD 7V截止 峰值脉冲电流：9A
    型号：HESDNC7VB1AF-A 编号：C3033471
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，专为7V系统设计，提供单通道卓越保护。具有9A峰值脉冲电流IPP能力，有效应对双向瞬态ESD冲击，确保电路安全稳定运行。8pF低结电容特性保障高速数据传输时信号完整性，是现代电子设备及高要求接口的理想ESD防护解决方案。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.1048

    • 100+

      ￥0.0821

    • 300+

      ￥0.0695

    • 1000+

      ￥0.062

    • 5000+

      ￥0.0554

    • 10000+

      ￥0.0497
  • 有货
    • 立即购买
    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：8A
    型号：HBV-D505ZC 编号：C22439974
    封装：SOD-523
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此双向ESD保护二极管为单通道器件，工作电压VRWM为5V，能承受8A峰值电流冲击，具有10pF的低电容特性，确保高速信号的清晰传输。它为电子设备提供双方向静电防护，像一个精密的盾牌，默默守护电路板免受静电破坏，强化系统稳定性与数据安全性。

    • 20+

      ￥0.11439 ￥0.1271

    • 200+

      ￥0.0891 ￥0.099

    • 600+

      ￥0.07506 ￥0.0834

    • 3000+

      ￥0.0666 ￥0.074

    • 9000+

      ￥0.05931 ￥0.0659

    • 21000+

      ￥0.05544 ￥0.0616
  • 订货
    • 我要订货
    双向TVS 15V截止 峰值浪涌电流：16.4A@10/1000us
    型号：SMAJ15CA 编号：C18198306
    封装：SMA
    品牌：YONGYUTAI(永裕泰)
    瞬态抑制二极管(TVS)

    • 20+

      ￥0.11492 ￥0.169

    • 200+

      ￥0.089556 ￥0.1317

    • 600+

      ￥0.07548 ￥0.111

    • 5000+

      ￥0.064192 ￥0.0944

    • 10000+

      ￥0.056916 ￥0.0837

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      ￥0.052972 ￥0.0779
  • 有货
    • 立即购买
    1路 双向ESD 5V截止 峰值脉冲电流：2.5A
    型号：HESDLC5VB1CL-A 编号：C3033492
    封装：SOD-523
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    销售中的这款ESD静电防护二极管采用SOD-523封装，为1通道双向设计。具备5V反向工作电压耐受值VRWM，能有效防止过电压损害。其峰值脉冲电流IPP达2.5A，结电容低至2.5pF，确保在提供卓越ESD保护的同时，最大程度减少对高速信号质量的影响，尤其适用于对静电防护和信号速度有严格要求的精密电子接口。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1166

    • 500+

      ￥0.0913

    • 3000+

      ￥0.0754

    • 6000+

      ￥0.0669

    • 24000+

      ￥0.0596

    • 51000+

      ￥0.0557
  • 有货
    • 立即购买
    双向ESD 12V截止 峰值脉冲电流：8A
    型号：ESD8D12C-HXY 编号：C4748769
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，专为12V系统设计，提供单通道高效防护。具备8A峰值脉冲电流IPP能力，有效对抗双向瞬态ESD事件。其低至6.5pF的结电容确保在高速信号传输中保持优异信号完整性，是各类高要求接口和电子设备理想的紧凑型、高性能ESD解决方案。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1169

    • 500+

      ￥0.0899

    • 1500+

      ￥0.0749

    • 10000+

      ￥0.064

    • 20000+

      ￥0.0562

    • 50000+

      ￥0.052
  • 订货
    • 我要订货
    1路 双向ESD 5V截止 峰值脉冲电流：3A
    型号：HESDUC5VB1CL-A 编号：C3033491
    封装：SOD-523
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款SOD-523封装的双向ESD静电防护二极管，专为单通道应用设计。其5V的VRWM确保了在正常工作条件下稳定保护，3A峰值脉冲电流IPP提供了高效的瞬态电压抑制能力。尤为突出的是，该器件拥有超低结电容CJ仅为0.6pF，特别适用于高速数据线路，可在提供卓越ESD防护的同时，最大限度地减少对信号质量的影响。
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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：9A@8/20us
    型号：HPJSD05CTS 编号：C22439976
    封装：SOD-523
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD保护二极管为单通道设计，耐压5V，适合更广泛电压范围内的静电防护。9A峰值脉冲电流处理能力，为电路板提供坚实保障。15pF的电容值，在确保信号完整性的同时，有效阻止静电破坏，是保护各类电子设备免受静电影响的优选方案。

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    双向ESD 7V截止 峰值浪涌电流：9A@8/20us
    型号：HESD5411N 编号：C22439695
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款双向ESD保护二极管专为单一信号线设计，耐压能力强，额定电压VRWM为7V，能有效抑制高达9A的瞬时脉冲电流，保护电路免受静电放电损害。它拥有8pF的低电容值，在确保信号传输质量的同时，提供可靠防护，尤其适合于需要平衡保护与高速数据传输需求的现代电子设备，是防止静电损伤的理想选择。

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    双向ESD 3.3V截止 峰值脉冲电流：9A
    型号：ESD9B3.3ST5G-HXY 编号：C6285725
    封装：SOD-923
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款SOD-923封装的双向ESD静电防护二极管，专为单通道高速接口设计。具有3.3V的高精度VRWM耐压值，可有效防止过电压损坏。器件提供高达9A的瞬态峰值电流IPP保护，并且拥有低至15pF的结电容CJ，确保在严苛条件下仍能保持信号完整性，是高速数据传输线路的理想ESD防護选择。

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    双向TVS 26V截止 峰值浪涌电流：1A
    型号：SMMBZ33VALT1G 编号：C42400705
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备及其他应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：9A@8/20us
    型号：HPESDNC2XD5VBL 编号：C22439952
    封装：DFN0603-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该ESD静电保护二极管为双向单通道配置，额定电压5V，能承受9A瞬时大电流冲击，为低电压应用提供强有力的静电防护。电容值15pF，适宜于非高速信号线路，确保基本的信号传输质量同时，给予设备必要的静电安全保障，是消费电子及低速通信接口的优选防静电组件。

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：8A
    型号：HPESDNC9D5VB 编号：C22439678
    封装：SOD-923
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    精心设计的双向ESD静电保护二极管，为单线路量身定制，耐压值VRWM为5V，构筑起稳固的静电防护网。9A峰值脉冲电流IPP的处理能力，即使面对高强度静电冲击也能轻松应对，保障电路安全无忧。加之15pF的低电容CJ，完美融合高效防护与信号完整性，尤其适合于高频率数据传输应用，为电子设备的稳定运行增添强劲保障。

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    双向TVS 75V截止 峰值浪涌电流：3.31A@10/1000us
    型号：SMAJ75CA 编号：C5189767
    封装：SMA
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    瞬态电压抑制二极管，也称为TVS二极管，是一种保护电子部件，可保护电气设备免受电线引入的电压尖峰影响。
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    双向TVS 43V截止 峰值浪涌电流：5.77A@10/1000us
    型号：SMAJ43CA 编号：C5189774
    封装：SMA
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    瞬态电压抑制二极管，也称为TVS二极管，是一种保护电子部件，可保护电气设备免受电线引入的电压尖峰影响。
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