25V肖特基二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MMBD301 编号：C3034814

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：小型表面贴装类型，高可靠性

数据手册

20+
￥0.2109
200+
￥0.1666
600+
￥0.142

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型号：SD107WS 编号：C77360

封装：SOD-323

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：低正向压降。用于瞬态保护的保护环芯片结构。适用于低逻辑电平应用。低电容。也有无铅版本

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20+
￥0.2113
200+
￥0.1668
600+
￥0.142

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型号：SD107WS-7-F-HXY 编号：C52754583

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）达30V。其正向压降（VF）为0.8V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）低至2μA，体现出优异的反向截止性能。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）0.6A，适用于对效率和响应速度有要求的低功率电路，如便携设备电源整流、信号箝位及高频开关应用中的续流保护。

10+
￥0.224105 ￥0.2359
100+
￥0.219165 ￥0.2307
300+
￥0.21584 ￥0.2272
1000+
￥0.21261 ￥0.2238

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型号：S-LBAT54SLT1G 编号：C5185761

封装：SOT-23

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：产品材料符合 RoHS 要求且无卤。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场所和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。极快的开关速度。低正向电压：在 IF = 10 mA 时为 0.35 V（典型值）

20+
￥0.2348
200+
￥0.1945
600+
￥0.1722
3000+
￥0.1588
9000+
￥0.1471
21000+
￥0.1409

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型号：BAT5403WE6327HTSA1-HXY 编号：C52754520

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向重复峰值电压（VR）达30V。其正向压降（VF）典型值为0.8V，有助于降低导通损耗；在30V反向电压下，漏电流（IR）为2μA。器件可承受高达0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于低电压整流、高频开关电路、电源极性保护及信号箝位等场合，具备快速恢复特性和较高的能效表现。

10+
￥0.248995 ￥0.2621
100+
￥0.243485 ￥0.2563
300+
￥0.239875 ￥0.2525
1000+
￥0.23617 ￥0.2486

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型号：BAT54SQ 编号：C2942470

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级且无卤。防潮敏感度等级1。低正向电压肖特基整流器。 VR 30V。 IFAV 0.2A

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20+
￥0.2547
200+
￥0.2029
600+
￥0.1741

有货

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型号：BAT54W-7-F 编号：C134417

封装：SOT-323(SC-70)

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。快速开关。超小表面贴装封装。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。有符合汽车标准的产品可供选择

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20+
￥0.2576
200+
￥0.2065
600+
￥0.1781

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型号：BAT54GWX 编号：C5952163

封装：SOD-123

品牌：Nexperia(安世)

平面肖特基势垒二极管，集成保护环用于应力保护，采用SOD123小型表面贴装器件（SMD）塑料封装。

20+
￥0.2989
200+
￥0.2546
600+
￥0.2299
3000+
￥0.2151
9000+
￥0.2023
21000+
￥0.1954

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型号：BAT43WS-HE3-08-HXY 编号：C50176895

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向耐压（VR），适用于低电压开关电路。其正向导通压降（VF）典型值为1V，在小电流工作条件下可有效降低功耗，提升系统效率。反向漏电流（IR）低至0.5μA，表现出良好的阻断特性。器件适用于便携式电子设备、电源管理模块、DC-DC转换器以及信号整流等场景，尤其适合对功耗和空间有严格要求的低功率应用，能够满足高频开关和高效能转换的技术需求。

5+
￥0.31122 ￥0.3276
50+
￥0.30438 ￥0.3204
150+
￥0.29982 ￥0.3156
500+
￥0.29526 ￥0.3108

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型号：NSVBAT54HT1G 编号：C179609

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。

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10+
￥0.3707
100+
￥0.2978
300+
￥0.2614
3000+
￥0.2175

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型号：BAT54S-E3-18 编号：C3759767

封装：SOT-23-3

品牌：VISHAY(威世)

特性：低开启电压和快速开关特性。采用PN结保护环，可防止过电压，如静电放电。提供符合AEC-Q101标准的产品。符合RoHS标准，商业级。符合RoHS标准，且通过AEC-Q101认证

5+
￥0.443
50+
￥0.3462
150+
￥0.2979
500+
￥0.2616

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型号：BAT54C-G3-08 编号：C3759053

封装：SOT-23-3

品牌：VISHAY(威世)

5+
￥0.6441
50+
￥0.5121
150+
￥0.4461
500+
￥0.3966

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型号：BAT54JW-7-F 编号：C134409

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：DIODES(美台)

2个独立式

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5+
￥0.71355 ￥1.065
50+
￥0.535344 ￥0.9392
150+
￥0.416091 ￥0.8853
500+
￥0.384507 ￥0.8181
3000+
￥0.370454 ￥0.7882
6000+
￥0.361994 ￥0.7702

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型号：CMDSH-3-HXY 编号：C52754582

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具有0.2A的平均正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.8V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）仅为2μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的低功率整流或开关场景，常见于便携式电子设备、电源管理模块及信号检测电路中。