25V肖特基二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOD-123

该肖特基二极管为独立式配置，具有0.2A的正向电流能力，反向耐压达30V。其正向压降典型值为0.45V，有助于降低导通损耗；在关断状态下，反向漏电流仅为0.5μA，体现出优异的阻断特性。器件可承受高达4A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和瞬态响应有要求的整流、箝位及电源路径切换等电路场合。

10+
￥0.280155 ￥0.2949
100+
￥0.223155 ￥0.2349
300+
￥0.194655 ￥0.2049
3000+
￥0.17328 ￥0.1824
6000+
￥0.15618 ￥0.1644
9000+
￥0.14763 ￥0.1554

有货

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型号：BAT54TW 编号：C5155462

封装：SOT-363

品牌：Slkor(萨科微)

特性：低正向压降。快速开关。超小型表面贴装封装。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。提供无铅版本。应用：高速开关应用

数据手册

10+
￥0.2892
100+
￥0.2297
300+
￥0.1999
3000+
￥0.1725
6000+
￥0.1547
9000+
￥0.1457

有货

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型号：BAT54CTA 编号：C460164

封装：SOT-23-3

品牌：DIODES(美台)

200mA表面贴装肖特基势垒二极管，采用SOT23（标准）封装，具有低开启电压和快速开关能力。该二极管设计有PN结保护环，用于瞬态和静电放电（ESD）保护，完全无铅，符合RoHS标准，是“绿色”器件。

10+
￥0.3152
100+
￥0.2575
300+
￥0.2287
3000+
￥0.2071

有货

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型号：BAT54TW 编号：C77327

封装：SOT-363

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：低正向压降。快速开关。小表面贴装封装。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。提供无铅版本

数据手册

10+
￥0.3437
100+
￥0.2717
300+
￥0.2357

有货

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型号：BAT54SDW 编号：C77323

封装：SOT-363-6

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：低正向压降。快速开关。小表面贴装封装。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。提供无铅版本

数据手册

10+
￥0.3491
100+
￥0.2805
300+
￥0.2462

有货

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型号：BAT5402VH6327XTSA1-HXY 编号：C52754536

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.8V，在低功耗应用中可有效减少能量损耗。反向漏电流（IR）仅为2μA，表现出优异的反向阻断特性。器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源管理、信号整流及保护电路等场景。

10+
￥0.378765 ￥0.3987
100+
￥0.30172 ￥0.3176
300+
￥0.26315 ￥0.277
3000+
￥0.23427 ￥0.2466
6000+
￥0.211185 ￥0.2223
9000+
￥0.199595 ￥0.2101

有货

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型号：BAT54SDW-7-F-HXY 编号：C50177005

封装：SOT-363

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管额定平均整流电流（IF）为0.2A，最大反向重复电压（VR）为30V，适用于低电压直流电路中的整流与隔离应用。其正向导通压降为1V，在低电流条件下可有效减少功率损耗，提高电源效率。反向漏电流为2µA，具备较好的反向阻断能力。该器件常用于便携式电子设备、电池供电系统、开关电源、适配器以及各类消费类电子产品中的续流、防反接和保护电路，具有响应速度快、开关特性优良的特点，适合高频工作环境。

10+
￥0.403465 ￥0.4247
100+
￥0.321385 ￥0.3383
300+
￥0.280345 ￥0.2951
3000+
￥0.249565 ￥0.2627
6000+
￥0.224865 ￥0.2367
9000+
￥0.21261 ￥0.2238

有货

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型号：SD107WS-7-F-HXY 编号：C52754583

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）达30V。其正向压降（VF）为0.8V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）低至2μA，体现出优异的反向截止性能。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）0.6A，适用于对效率和响应速度有要求的低功率电路，如便携设备电源整流、信号箝位及高频开关应用中的续流保护。

10+
￥0.403465 ￥0.4247
100+
￥0.321385 ￥0.3383
300+
￥0.280345 ￥0.2951
3000+
￥0.249565 ￥0.2627
6000+
￥0.224865 ￥0.2367
9000+
￥0.21261 ￥0.2238

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型号：MMBD301LT1G 编号：C18356

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

肖特基二极管主要用于高能效 UHF 和 VHF 检测器应用。它很容易适应许多其它快速开关射频和数字应用。它采用不是非常昂贵的塑料封装，适用于大容量消费品和工业/商用要求。它提供表面贴装封装。

数据手册

10+
￥0.4108
100+
￥0.3305
300+
￥0.2903
3000+
￥0.2537
6000+
￥0.2296
9000+
￥0.2176

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型号：BAT43XV2 编号：C463439

封装：SOD-523F

品牌：onsemi(安森美)

特性：低正向压降。扁平引脚，高度为0.60mm的表面贴装器件。极其小巧的塑料封装SOD523F。湿度敏感度等级1。无铅版本且符合RoHS标准。哑光锡（Sn）引脚镀层。绿色模塑料

数据手册

10+
￥0.488
100+
￥0.3925
300+
￥0.3448
1000+
￥0.309

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型号：BAT54JW-7-F 编号：C134409

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：DIODES(美台)

2个独立式

数据手册

5+
￥0.639 ￥1.065
50+
￥0.4696 ￥0.9392
150+
￥0.35412 ￥0.8853
500+
￥0.32724 ￥0.8181
3000+
￥0.31528 ￥0.7882
6000+
￥0.30808 ￥0.7702

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型号：BAT54LPS-7 编号：C134412

封装：X2-DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。快速开关。超小型无铅表面贴装封装。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。本产品符合JEDEC标准（如AEC-Q中引用），具有高可靠性

数据手册

5+
￥0.7162
50+
￥0.5819
150+
￥0.5147

有货

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型号：CMDSH-3-HXY 编号：C52754582

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具有0.2A的平均正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.8V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）仅为2μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的低功率整流或开关场景，常见于便携式电子设备、电源管理模块及信号检测电路中。