25V肖特基二极管_厂家_价格_品牌_库存

该肖特基二极管为独立式结构，正向电流（IF）为0.2A，反向重复峰值电压（VR）为30V。其正向压降（VF）典型值为0.8V，有助于减少导通状态下的功耗；在30V反向电压下，漏电流（IR）为2μA。器件的正向浪涌电流（IFSM）能力达0.6A，适用于低电压电源整流、高频信号检波、极性保护及箝位电路等应用，具备较快的开关响应特性。

20+
￥0.135565 ￥0.1427
200+
￥0.106305 ￥0.1119
600+
￥0.09006 ￥0.0948
3000+
￥0.08037 ￥0.0846
9000+
￥0.071915 ￥0.0757
21000+
￥0.067355 ￥0.0709

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型号：BAT54T 编号：C475621

封装：SOD-123

品牌：SHIKUES(时科)

特性：低开启电压。快速开关。超小表面贴装封装。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。应用：肖特基势垒探测器和开关二极管

数据手册

20+
￥0.15333 ￥0.1614
200+
￥0.121125 ￥0.1275
600+
￥0.103265 ￥0.1087
3000+
￥0.084835 ￥0.0893
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￥0.075525 ￥0.0795
21000+
￥0.07049 ￥0.0742

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型号：BAT43W-6AF 编号：C49009936

封装：SOD-123

品牌：FOSAN(富捷/富信)

20+
￥0.1702
200+
￥0.1313
600+
￥0.1096
3000+
￥0.0967

有货

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型号：BAT54XV2T5G-HXY 编号：C52754537

封装：SOD-523

该肖特基二极管采用独立式结构，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.8V，在低功耗电路中可有效减少能量损耗；反向漏电流（IR）仅为2μA，有助于提升系统能效。器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对响应速度和效率要求较高的整流、检波及电源管理等应用场景。

20+
￥0.17366 ￥0.1828
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￥0.136135 ￥0.1433
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￥0.11533 ￥0.1214
3000+
￥0.102885 ￥0.1083
9000+
￥0.092055 ￥0.0969
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￥0.08626 ￥0.0908

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型号：BAT54SDW 编号：C49309299

封装：SOT-363

品牌：Slkor(萨科微)

特性：低正向压降。快速开关。小型表面贴装封装。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。提供无铅版本

20+
￥0.1778
200+
￥0.1394
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￥0.1181
3000+
￥0.1053
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￥0.0943
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￥0.0883

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型号：BAT54WS 编号：C699104

封装：SOD-323(SC-90)

特性：高可靠性。快速开关。低正向电压肖特基整流器

数据手册

20+
￥0.1781
200+
￥0.1472
600+
￥0.1301

有货

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型号：BAT54SWT 编号：C968064

封装：SOT-323(SC-70)

BAT54SWT-F2-0000HF

数据手册

20+
￥0.1857
200+
￥0.1501
600+
￥0.1303

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型号：BAT42W-6AF 编号：C48947056

封装：SOD-123

品牌：FOSAN(富捷/富信)

BAT42W-6AF

20+
￥0.1874
200+
￥0.1445
600+
￥0.1207
3000+
￥0.1064
9000+
￥0.094
21000+
￥0.0873

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型号：BAT54WSQ 编号：C2942471

封装：SOD-323(SC-90)

特性：环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级且无卤。湿度敏感度等级1。低正向电压肖特基整流器。后缀为“Q”的型号表示符合AEC-Q101标准

数据手册

20+
￥0.2008
200+
￥0.1554
600+
￥0.1302

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型号：MMBD301 编号：C3034814

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：小型表面贴装类型，高可靠性

数据手册

20+
￥0.2018
200+
￥0.1576
600+
￥0.133

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型号：RB495D 编号：C52204433

封装：SOT-23

品牌：GOODWORK(固得沃克)

肖特基二极管适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。

20+
￥0.224105 ￥0.2359
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￥0.178505 ￥0.1879
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￥0.155705 ￥0.1639
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￥0.138605 ￥0.1459
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￥0.124925 ￥0.1315
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￥0.118085 ￥0.1243

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型号：BAT54CLT3G 编号：C232532

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该共阴极肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。

数据手册

20+
￥0.2252
200+
￥0.1816
600+
￥0.1574

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型号：BAT54CTA-HXY 编号：C52754630

封装：SOT-23

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）为30V。其正向压降（VF）为1V，在反向偏置时漏电流（IR）仅为2μA，表现出较低的导通损耗与优异的截止特性。器件的最大正向浪涌电流（IFSM）为0.6A，适用于需要双通道同步工作的电路，如便携设备中的电源管理、信号整流、电压钳位及高频开关功能等场景。

10+
￥0.226385 ￥0.2383
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￥0.18031 ￥0.1898
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￥0.15732 ￥0.1656
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￥0.14003 ￥0.1474
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￥0.126255 ￥0.1329
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￥0.11932 ￥0.1256

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型号：BAT54SQ 编号：C2942470

封装：SOT-23(TO-236)

特性：环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级且无卤。防潮敏感度等级1。低正向电压肖特基整流器。 VR 30V。 IFAV 0.2A

数据手册

20+
￥0.2316
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￥0.1845
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￥0.1583
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￥0.1374
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￥0.1237
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￥0.1164

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型号：BAT54TW 编号：C37635961

封装：SOT-363

品牌：YFW(佑风微)

10+
￥0.236
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￥0.1866
300+
￥0.1619

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型号：AD-BAT54S 编号：C2975641

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：极高的开关速度。通过AEC-Q101认证

20+
￥0.244
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￥0.1911
600+
￥0.1617

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型号：NSVBAT54HT1G 编号：C179609

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。

数据手册

10+
￥0.2637
100+
￥0.2119
300+
￥0.186
3000+
￥0.1548

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型号：BAT54DW 编号：C77322

封装：SOT-363

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

30V 0.2A

数据手册

10+
￥0.2979
100+
￥0.2355
300+
￥0.2043

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型号：BAT42WS-7-F 编号：C134397

封装：SOD-323

特性：低正向压降。快速开关。超小表面贴装封装。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

10+
￥0.402
100+
￥0.3356
300+
￥0.3024

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型号：BAT54SWQ-7-F 编号：C460165

封装：SOT-323-3

特性：低正向压降。快速开关。超小表面贴装封装。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。完全无铅涂层，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：开关电源（SMPS）。 DC-DC转换器

数据手册

10+
￥0.4051
100+
￥0.3159
300+
￥0.2714

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型号：BAT54-02V-G3-08-HXY 编号：C52754535

封装：SOD-523

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流IF为0.2A，最大反向电压VR为30V。其正向压降VF为0.8V，在导通状态下维持适中的功耗水平；反向漏电流IR低至2μA，展现出优异的反向阻断能力。器件可承受0.6A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对低漏电和稳定整流性能有要求的电源管理、信号解调及保护电路等应用场景。

10+
￥0.40565 ￥0.427
100+
￥0.323095 ￥0.3401
300+
￥0.281865 ￥0.2967
3000+
￥0.250895 ￥0.2641
6000+
￥0.226195 ￥0.2381
9000+
￥0.21375 ￥0.225

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型号：TMMBAT42FILM 编号：C283273

封装：MiniMELF

品牌：ST(意法半导体)

30 V、200 mA Vf 0.4 V @ 10 mA Minimelf通用信号肖特基二极管

数据手册

10+
￥0.4263
100+
￥0.3233
300+
￥0.2717
2500+
￥0.2331

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型号：BAT5403WE6327HTSA1-HXY 编号：C52754520

封装：SOD-323

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向重复峰值电压（VR）达30V。其正向压降（VF）典型值为0.8V，有助于降低导通损耗；在30V反向电压下，漏电流（IR）为2μA。器件可承受高达0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于低电压整流、高频开关电路、电源极性保护及信号箝位等场合，具备快速恢复特性和较高的能效表现。

10+
￥0.44821 ￥0.4718
100+
￥0.35701 ￥0.3758
300+
￥0.31141 ￥0.3278
3000+
￥0.27721 ￥0.2918
6000+
￥0.24985 ￥0.263
9000+
￥0.23617 ￥0.2486

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型号：BAT43W-E3-08 编号：C917491

封装：SOD-123

品牌：VISHAY(威世)

特性：这些二极管具有极低的导通电压和快速开关特性。这些器件受PN结保护环保护，可防止过电压，如静电放电。适用于通用应用。可提供符合AEC-Q101标准的产品。符合RoHS标准，商业级。符合RoHS标准，符合AEC-Q101标准。

数据手册

10+
￥0.455
100+
￥0.3487
300+
￥0.2956

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型号：BAT54STA 编号：C526436

封装：SOT-23

200mA表面贴装肖特基势垒二极管，采用SOT23（标准）封装，具有低开启电压和快速开关能力。该二极管设计有PN结保护环，用于瞬态和静电放电（ESD）保护，完全无铅，符合RoHS标准，是“绿色”器件。

数据手册

10+
￥0.4619
100+
￥0.3812
300+
￥0.3409

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型号：NSR30CM3T5G 编号：C232570

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

该共阴极肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装极其适合空间受限的手持和便携式应用。

数据手册

5+
￥0.4829
50+
￥0.3845
150+
￥0.3353
500+
￥0.2984
2500+
￥0.2484
5000+
￥0.2337

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型号：BAT43WS-HE3-08-HXY 编号：C50176895

封装：SOD-323

该肖特基二极管具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向耐压（VR），适用于低电压开关电路。其正向导通压降（VF）典型值为1V，在小电流工作条件下可有效降低功耗，提升系统效率。反向漏电流（IR）低至0.5μA，表现出良好的阻断特性。器件适用于便携式电子设备、电源管理模块、DC-DC转换器以及信号整流等场景，尤其适合对功耗和空间有严格要求的低功率应用，能够满足高频开关和高效能转换的技术需求。

5+
￥0.56031 ￥0.5898
50+
￥0.44631 ￥0.4698
150+
￥0.38931 ￥0.4098
500+
￥0.34656 ￥0.3648
3000+
￥0.31236 ￥0.3288
6000+
￥0.29526 ￥0.3108

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型号：BAT54SQ-7-F 编号：C507901

封装：SOT-23