10V肖特基二极管_厂家_价格_品牌_库存

该肖特基二极管采用独立式结构，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.45V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为0.5μA，表现出优异的反向阻断特性。器件的正向浪涌电流（IFSM）为0.1A，适用于对效率和功耗敏感的小信号整流、电源管理及高频开关电路等应用场景。

20+
￥0.20691 ￥0.2178
200+
￥0.16226 ￥0.1708
600+
￥0.137465 ￥0.1447
2000+
￥0.122645 ￥0.1291
8000+
￥0.109725 ￥0.1155
16000+
￥0.10279 ￥0.1082

有货

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型号：TPSD103ATW 编号：C41408091

封装：SOT-363

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

10+
￥0.246
100+
￥0.2403
300+
￥0.2365

有货

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型号：RB521S-30GTE61 编号：C38967733

封装：SOD-523

品牌：ROHM(罗姆)

特性：超小型表面安装型（EMD2）。尽管尺寸小，但可保证10 = 200mA。低Vr，正向电压Vf = 0.40V（典型值，200mA时）。应用：低电流整流。高速开关

10+
￥0.3062
100+
￥0.2386
300+
￥0.2049
3000+
￥0.1795

有货

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型号：RB520CS-30T2R 编号：C308729

封装：SOD-923

品牌：ROHM(罗姆)

特性：超小功率模塑类型 (VMN2)。低反向电流 (IR)。高可靠性。应用：低电流整流

数据手册

5+
￥0.3224
50+
￥0.2804
150+
￥0.2594
500+
￥0.2436
2500+
￥0.231

有货

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型号：NSRLL30XV2T5G-HXY 编号：C52754538

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的平均正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.6V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）低至1μA，有助于提升系统能效。器件可承受高达1A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及低压输出电路等场景。

10+
￥0.34067 ￥0.3586
100+
￥0.271415 ￥0.2857
300+
￥0.23674 ￥0.2492
3000+
￥0.21071 ￥0.2218
6000+
￥0.189905 ￥0.1999
9000+
￥0.17955 ￥0.189

有货

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型号：NSR0230M2T5G-HXY 编号：C52754555

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.45V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为0.5μA，表现出优异的反向截止特性。器件的正向浪涌电流（IFSM）为0.1A，适用于对功耗敏感的整流、信号检波、电源管理及便携式电子设备中的高效能电路。

10+
￥0.358625 ￥0.3775
100+
￥0.285665 ￥0.3007
300+
￥0.249185 ￥0.2623
1000+
￥0.221825 ￥0.2335
5000+
￥0.19988 ￥0.2104
8000+
￥0.188955 ￥0.1989

有货

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型号：RB751G-40T2R-HXY 编号：C52754614

封装：SOD-723

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.45V，有助于减少导通损耗；反向漏电流（IR）仅为0.5μA，展现出优异的反向阻断能力。器件的正向浪涌电流（IFSM）为0.1A，适用于低功耗、高效率要求的信号整流、电源箝位及高频开关等电路场合。