10V肖特基二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：RB521S-30-TP 编号：C668985

封装：SOD-523

品牌：MCC(美微科)

特性：环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。湿度敏感度等级1。高可靠性。低反向电流和低正向电压。小表面贴装类型。无铅涂层/符合RoHS标准（“P”后缀表示符合RoHS标准）。

数据手册

20+
￥0.1222
200+
￥0.0941
600+
￥0.0785

有货

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型号：DS521-30Y1 编号：C3031912

封装：WBFBP-02C-A

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：小型表面贴装类型。低反向电流和低正向电压。高可靠性。应用：高速检测开关。便携式设备（如手机、MP3、MD、CD-ROM、DVD-ROM、笔记本电脑等）

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50+
￥0.1222
500+
￥0.0952
1500+
￥0.0802

有货

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型号：SD103CWS 编号：C968426

封装：SOD-323(SC-90)

品牌：YANGJIE(扬杰)

SD103CWS-F2-0000HF

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20+
￥0.1364
200+
￥0.107
600+
￥0.0907

有货

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型号：RB521CS-30DB 编号：C3000409

封装：DFN1006-2L

品牌：PJSEMI(平晶微)

特性：小表面贴装类型。高可靠性。低反向电流和低正向电压

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20+
￥0.1541
200+
￥0.119
600+
￥0.0995
2000+
￥0.0878
10000+
￥0.0738
20000+
￥0.0683

有货

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型号：RB520S-30L2-TP 编号：C3312598

封装：DFN1006-2

品牌：MCC(美微科)

特性：小型表面贴装类型。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。湿度敏感度等级1。无铅涂层/符合RoHS标准（“P”后缀表示符合RoHS标准）。无卤“绿色”器件

20+
￥0.1701
200+
￥0.1349
600+
￥0.1154

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型号：PSBD2XD30V005 编号：C918828

封装：DFN0603-2L

品牌：Prisemi(芯导)

特性：超小模具类型。 DFN0603-2L。低IR。高可靠性。应用：低电流整流

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20+
￥0.1989
200+
￥0.1584
600+
￥0.1359
2000+
￥0.1224

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型号：SD103CWS-7-F 编号：C165469

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒器件专为满足汽车应用的严格要求而设计。这些器件非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。

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10+
￥0.2444
100+
￥0.1956
300+
￥0.1713

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型号：RB411D 编号：C2910221

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：小型表面贴装类型。低反向电流和低正向电压。高可靠性

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10+
￥0.2487
100+
￥0.1988
300+
￥0.1738

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型号：RB501VM-40TE-17 编号：C253513

封装：SOD-323FL

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高可靠性。小型模具类型。超低正向电压（VF）。应用：小电流整流

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20+
￥0.2765
200+
￥0.2146
600+
￥0.1837

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型号：SDMG0340LC-7-F 编号：C151617

封装：SOT-323-3

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向电压降。快速开关。超小型表面贴装封装。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。无铅/RoHS合规。 “绿色”器件

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10+
￥0.3938
100+
￥0.329
300+
￥0.2966

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型号：NSVRB521S30T5G-HXY 编号：C52754539

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定平均正向电流（IF）为0.2A，最大反向重复峰值电压（VR）达30V。其正向压降（VF）典型值为0.5V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）为30μA，在低功耗应用中表现稳定。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达1A，适用于电源整流、高频开关电路、信号钳位及便携式电子设备中的能量管理等场合。

5+
￥0.51547 ￥0.5426
50+
￥0.41059 ￥0.4322
150+
￥0.35815 ￥0.377
500+
￥0.31882 ￥0.3356
3000+
￥0.287375 ￥0.3025
6000+
￥0.271605 ￥0.2859

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型号：XBS023P11R-G-HXY 编号：C52754548

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向重复峰值电压（VR）达30V。其正向压降（VF）典型值为0.5V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）为30μA，体现出良好的反向阻断能力。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达1A，适用于高频整流、电源管理、信号解调及低电压降要求的电子电路中。

5+
￥0.739575 ￥0.7785
50+
￥0.589095 ￥0.6201
150+
￥0.513855 ￥0.5409
500+
￥0.457425 ￥0.4815
3000+
￥0.4123 ￥0.434
6000+
￥0.38969 ￥0.4102

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型号：NSVR0230M2T5G-HXY 编号：C52754556

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.45V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为0.5μA，表现出优异的阻断特性。器件的正向浪涌电流（IFSM）为0.1A，适用于对效率和静态功耗要求较高的小型电子电路中，可有效支持信号整流、电源管理及低压保护等功能。