11.4V稳压二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BZX84C12Q-7-F 编号：C2988279

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

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48000+
￥0.14892
96000+
￥0.146438
192000+
￥0.142715
384000+
￥0.13651

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型号：BZG03C12 编号：C3015301

封装：DO-214AC(SMA)

品牌：EIC

特性：完整电压范围 10 至 200 V。高最大工作温度。出色的稳定性。低泄漏电流。无铅/符合 RoHS 标准

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5+
￥0.5104
50+
￥0.4043
150+
￥0.3513
500+
￥0.3115
2500+
￥0.2797
5000+
￥0.2637

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型号：DZ9F12S92-7 编号：C5628061

封装：SOD-923

品牌：DIODES(美台)

特性：超小表面贴装封装（1.0 x 0.6 x 0.37mm）。扁平引脚、散热高效的封装设计。外露、易于观察的端子，无需对焊点进行X射线检查（如DIN封装）。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

5+
￥0.6327
50+
￥0.6207
150+
￥0.6127

有货

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型号：CUHZ12V,H3F 编号：C5609188

封装：SMD

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装。 VZ的典型电压符合E24系列。应用：电压浪涌保护

1+
￥2.69
10+
￥2.63
30+
￥2.6

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型号：1N4742A-G_AY_10001 编号：C391336

封装：DO-41G

品牌：PANJIT(强茂)

特性：低电感。高温焊接：260℃下，引脚处可承受110秒。玻璃封装通过了保险商实验室的可燃性分类。符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品

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10+
￥0.4039
100+
￥0.3259
300+
￥0.287

有货

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型号：MMBZ5242BT-7-F 编号：C7303307

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

特性：超小表面贴装封装。平面芯片结构。通用型。非常适合自动化组装工艺。无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

5+
￥0.4092
50+
￥0.4006
150+
￥0.3948

有货

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型号：BZT52C12TQ-7-F 编号：C460786

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

特性：小型、薄型表面贴装封装。扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备生产件批准程序（PPAP）能力

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39000+
￥0.19128
78000+
￥0.188092
156000+
￥0.18331
312000+
￥0.17534

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型号：2EZ12_AY_10001 编号：C393416

封装：DO-15

品牌：PANJIT(强茂)

12V 2W

数据手册

5+
￥0.6077
50+
￥0.4812
150+
￥0.4179
500+
￥0.3705
3000+
￥0.309
6000+
￥0.29

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型号：MMSZ5242ET1G 编号：C236088

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500 mW额定功率（FR-4或FR-5电路板）。宽齐纳反向电压范围：2.4 V至110 V。专为优化自动电路板组装设计的封装。小封装尺寸，适用于高密度应用。通用、中等电流。人体模型静电放电等级3（> 16 kV）。峰值功率：225 W（8 x 20 μs）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。提供无铅封装

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30000+
￥0.33024
60000+
￥0.324736
120000+
￥0.31648
240000+
￥0.30272

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型号：MMBZ5242BW-7-F 编号：C5249076

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

-

5+
￥0.8827
50+
￥0.7
150+
￥0.6086

有货

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型号：1N5927BRLG 编号：C232467

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

这是一个完整的3W齐纳二极管系列，具有卓越的极限和出色的工作特性，体现了氧化硅钝化结的优越性能。所有产品均采用轴向引线、传递模塑塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

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18000+
￥0.593658
36000+
￥0.578565
54000+
￥0.558441
108000+
￥0.543348

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型号：SZ12VHD122 编号：C49207674

封装：SOD-123

品牌：SSGSEMI(世晶半导体)

特性：总功耗：最大500mW。宽齐纳反向电压范围：2.0V至39V。适合表面贴装设计的小型塑料封装

20+
￥0.0721
200+
￥0.0705
600+
￥0.0695

有货

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型号：BZX584C12 编号：C6771826

封装：SOD-523

品牌：MOT(仁懋)

50+
￥0.0779
500+
￥0.0601
3000+
￥0.0502
6000+
￥0.0443
24000+
￥0.0391
51000+
￥0.0363

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型号：SZ12VGD322 编号：C49207642

封装：SOD-323

品牌：SSGSEMI(世晶半导体)

特性：总功耗：最大500mW。宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。非常适合自动化组装过程

20+
￥0.0852
200+
￥0.0833
600+
￥0.0821

有货

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型号：1SMA4742A 编号：C49242701

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：PDW(芯格诺科技)

是优秀的稳压装置，专为电压稳定、电压调节等设计。

20+
￥0.0919
200+
￥0.0899
600+
￥0.0886

有货

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型号：MMSZ5242B 编号：C21714205

封装：SOD-123

品牌：CBI(创基)

电流:1µA 电压:12V

50+
￥0.0978
500+
￥0.0762
3000+
￥0.0642
6000+
￥0.057
24000+
￥0.0507
51000+
￥0.0474

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型号：SZ12VGD522 编号：C49207605

封装：SOD-523

品牌：SSGSEMI(世晶半导体)

特性：平面芯片结构。 200mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.0-75V

20+
￥0.0983
200+
￥0.0962
600+
￥0.0947

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型号：SMA4742AQ 编号：C20603728

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：低外形封装。适合自动贴装。玻璃钝化芯片结。高正向浪涌能力。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最高峰值260℃

5+
￥0.8007
50+
￥0.6433
150+
￥0.5645
500+
￥0.5055
2500+
￥0.4583
7500+
￥0.4346

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型号：SZ1SMA5927BT3G 编号：C896070

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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