11V稳压二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BZX79-B11,133 编号：C550681

封装：SOD27(DO-35)

品牌：Nexperia(安世)

低功率电压调节器二极管，采用密封玻璃引脚 SOD27（DO-35）封装。二极管有标准化的 E24 ±2%（BZX79-B）和大约 ±5%（BZX79-C）公差范围。该系列由 37 种类型组成，标称工作电压为 2.4 至 75V。

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5+
￥0.3435
50+
￥0.3361
150+
￥0.3313

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型号：1N5241B 编号：C895260

封装：DO-204

品牌：onsemi(安森美)

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10+
￥0.4663
100+
￥0.3701
500+
￥0.322

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型号：BZT52C11-E3-08 编号：C467523

封装：SOD-123

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面齐纳二极管。齐纳电压根据国际E24标准分级。可提供AEC-Q101认证。根据AEC-Q101的ESD能力：人体模型>8kV，机器模型>800V。 RoHS合规，商业级。 RoHS合规，AEC-Q101认证

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5+
￥0.7607
50+
￥0.5997
150+
￥0.5191

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型号：SZ1SMB5926BT3G 编号：C889925

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部或底部电路板安装。符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序文件。无铅器件

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1+
￥5.58
10+
￥5.46
30+
￥5.37

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型号：MM3Z11-TD 编号：C51902122

封装：SOD-323

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

属于单向齐纳二极管，主要用于电压稳压、基准电压设定等场景。

50+
￥0.0913
500+
￥0.071
3000+
￥0.0598
6000+
￥0.053
24000+
￥0.0472
51000+
￥0.044

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型号：BZX84C11VLT116 编号：C253189

封装：SOT-23

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高可靠性。小模具类型。应用：电压调节

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3000+
￥0.0984
9000+
￥0.0943
27000+
￥0.09184
36000+
￥0.0902

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型号：BZT52B11 编号：C46532408

封装：SOD-123

品牌：POPPULA(宝浦莱)

50+
￥0.0947
500+
￥0.0743
3000+
￥0.0629

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型号：MMBZ5241B-7-F 编号：C2760555

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW功率耗散（FR-4 PCB）。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合JEDEC标准，高可靠性

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65+
￥0.113139
195+
￥0.10854
585+
￥0.10578
780+
￥0.103021

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型号：AD-BZT52B11S 编号：C2975593

封装：SOD-323

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：平面芯片结构。通用型，中等电流。通过AEC-Q101认证

10+
￥0.1255
100+
￥0.1226
300+
￥0.1207

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型号：MM3Z11VST1G 编号：C891575

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

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5+
￥0.4879
50+
￥0.3879
150+
￥0.3379

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型号：BZX85C11 编号：C890278

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

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5+
￥0.5797
50+
￥0.4609
150+
￥0.4015

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型号：ZM1.5C11 编号：C596239

封装：LL-41

品牌：ST(先科)

独立式耐压:11V 电流:1uA@8.4V

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5+
￥0.9076
50+
￥0.7204
150+
￥0.6268

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型号：BZX79-C11,113 编号：C550788

封装：SOD27(DO-35)

品牌：Nexperia(安世)

低功率电压调节器二极管，采用密封玻璃引脚 SOD27（DO-35）封装。二极管有标准化的 E24 ±2%（BZX79-B）和大约 ±5%（BZX79-C）公差范围。该系列由 37 种类型组成，标称工作电压为 2.4 至 75V。

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1+
￥3.85
10+
￥3.3
30+
￥3.07
100+
￥2.78
500+
￥2.59
1000+
￥2.51

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型号：BZT52B11 编号：C5805646

封装：SOD-123

品牌：XZT(信展通)

特性：平面芯片结构。通用型，中等电流。非常适合自动化组装过程。有无铅版本

50+
￥0.101
500+
￥0.0794
3000+
￥0.0642
6000+
￥0.057
24000+
￥0.0507
51000+
￥0.0474

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型号：1N5241B_AY_10001 编号：C304045

封装：DO-35

品牌：PANJIT(强茂)

11V

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5000+
￥0.067584
15000+
￥0.064768
45000+
￥0.063078
60000+
￥0.061952

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型号：BZT52C11S 编号：C21882539

封装：SOD-323

品牌：GME(银河微电)

特性：齐纳电压选择范围大：2.0V-75V。 HF 电压容差小：C 系列为 ±5%。超薄封装，适合自动化组装。符合 MSL 1 级标准。应用：一般电压调节。移动及手持系统

20+
￥0.1393
200+
￥0.1085
600+
￥0.0914

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型号：BZT52-B11S_R1_00001 编号：C263145

封装：SOD-323

品牌：PANJIT(强茂)

特性：平面芯片结构。 200mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4~75V。非常适合自动化组装工艺。符合欧盟 RPHS 2.0 标准的无铅产品。符合 IEC 61249 标准的绿色模塑料

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5000+
￥0.09
15000+
￥0.08625
45000+
￥0.084
60000+
￥0.0825

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型号：GDZ11LP3-7 编号：C5244916

封装：X3-DFN0603-2

品牌：DIODES(美台)

特性：超小型无铅表面贴装封装 (0.6×0.3mm)。超薄封装 (0.3mm)。非常适合自动化组装工艺。低泄漏电流，适用于电池供电应用。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

10+
￥0.1913
100+
￥0.1867
300+
￥0.1837

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型号：LBZT52C11T1G 编号：C131848

封装：SOD-123

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：500mW 功率耗散。适用于表面贴装应用。齐纳击穿电压范围 2.4V 至 51V。产品材料符合 RoHS 标准且无卤。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力

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20+
￥0.199
200+
￥0.1639
600+
￥0.1444

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型号：BZX79C11 编号：C895305

封装：DO-35

品牌：onsemi(安森美)

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5+
￥0.2631
50+
￥0.2572
150+
￥0.2533

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型号：MMSZ5241B-7-F 编号：C459535

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：500mW 功率耗散。通用、中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性

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10+
￥0.2856
100+
￥0.2284
300+
￥0.1999

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型号：1SMA5926BT3G 编号：C606340

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。通过 AEC-Q101 认证并具备生产件批准程序能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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单价：
￥0.6018 / 个

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型号：1N4741A 编号：C238927

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

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单价：
￥0.20064 / 个

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型号：SZ1SMA5926BT3G 编号：C896069

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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