6V稳压二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BZT52C5V6Q-7-F 编号：C260922

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。通用型，中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

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10+
￥0.2947
100+
￥0.2415
300+
￥0.2148

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型号：BZT52C5V6SQ 编号：C2942530

封装：SOD-323(SC-90)

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级且无卤。湿度敏感度等级1。齐纳电压2.4V~47V。 Vz公差约±5%。后缀为“Q”的型号表示符合AEC-Q101标准。应用：一般调节功能。汽车领域

10+
￥0.2979
100+
￥0.2355
300+
￥0.2043

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型号：SMC5340A 编号：C5161190

封装：SMC

品牌：ZHIDE(志得)

特性：玻璃钝化芯片。内置应变消除功能。低电感。高峰值反向功率耗散。低反向泄漏。适用于高功率额定值的稳压和限幅。符合RoHS标准

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5+
￥1.5643
50+
￥1.2367
150+
￥1.0963
500+
￥0.9211
3000+
￥0.8041
6000+
￥0.7573

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型号：ZMM5V6 编号：C2857190

封装：LL-34

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于各类精密稳压及电路保护应用场景，以出色的效能满足您的设计需求。

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50+
￥0.0735
500+
￥0.0584
2500+
￥0.05
5000+
￥0.045
25000+
￥0.0406
75000+
￥0.0382

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型号：MM1Z6V2B 编号：C3015286

封装：SOD-123

品牌：EIC

特性：总功率耗散：500mW。适用于表面贴装设计的小型塑料封装。公差约为±2%。齐纳反向电压范围宽：2.7V至39V。无铅/符合RoHS标准

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20+
￥0.082118 ￥0.2161
200+
￥0.047684 ￥0.1703
600+
￥0.026064 ￥0.1448
3000+
￥0.023328 ￥0.1296
9000+
￥0.020934 ￥0.1163
21000+
￥0.019656 ￥0.1092

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型号：MM3Z5V6W 编号：C2962423

封装：SOD-323W

品牌：晶导微电子

特性：总功率耗散：最大300mW。宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。适合表面贴装设计的小型塑料封装。公差约为±5%

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50+
￥0.0855
500+
￥0.0666
3000+
￥0.0561

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型号：BZX84-C5V6-QR 编号：C7508300

封装：SOT-23(TO-236AB)

品牌：Nexperia(安世)

低功耗稳压二极管，采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。二极管的公差范围为标准化E24的±1%、±2%和大约±5%。该系列包括37种击穿电压，标称工作电压范围为2.4V至75V。

100+
￥0.34236
1000+
￥0.32968
3000+
￥0.317
6000+
￥0.29164
10000+
￥0.284032

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型号：MMSZ5233B 编号：C7529071

封装：SOD-123

品牌：AM(安美)

二极管配置：独立式稳压值(标称值)：6.0V 稳压值(范围)：5.70V~6.30V 精度：±5% 功率：500mW

50+
￥0.097565 ￥0.1027
500+
￥0.076 ￥0.08
3000+
￥0.06403 ￥0.0674
6000+
￥0.05681 ￥0.0598
24000+
￥0.050635 ￥0.0533
51000+
￥0.047215 ￥0.0497

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型号：BZT52C5V6 编号：C571387

封装：SOD-123

品牌：High Diode(海德)

特性：功率 Pd：500mW。齐纳电压 Vz：2.4V-43V。应用：稳压

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20+
￥0.1339
200+
￥0.1058
600+
￥0.0902
3000+
￥0.074
9000+
￥0.0659
21000+
￥0.0616

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型号：BZX84C5V6W 编号：C968290

封装：SOT-323(SC-70)

品牌：YANGJIE(扬杰)

BZX84C5V6W-F2-0000HF

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20+
￥0.1477
200+
￥0.1194
600+
￥0.1036
3000+
￥0.0851
9000+
￥0.0769
21000+
￥0.0725

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型号：BZT52C5V6S 编号：C699198

封装：SOD-323(SC-90)

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：高可靠性。非常尖锐的反向特性。低反向电流水平

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20+
￥0.1598
200+
￥0.1283
600+
￥0.1107

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型号：LBZT52C5V6T1G 编号：C12770

封装：SOD-123

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：500mW 功率耗散。适用于表面贴装应用。齐纳击穿电压范围 2.4V 至 51V。产品材料符合 RoHS 标准且无卤。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力

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20+
￥0.1679
200+
￥0.1288
600+
￥0.1071

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型号：ZMM55-C5V6_R1_10001 编号：C268737

封装：MiniMELF

品牌：PANJIT(强茂)

特性：平面芯片结构。 500mW 功率耗散。非常适合自动化组装过程。符合欧盟 RoHS 2011/65/EU 指令的无铅产品

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20+
￥0.1693
200+
￥0.1342
600+
￥0.1147
2500+
￥0.0983

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型号：MMBZ5233B-7-F 编号：C460898

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW功率耗散（FR-4 PCB）。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合JEDEC标准，高可靠性

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20+
￥0.2286
200+
￥0.1803
600+
￥0.1535

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型号：BZT52C5V6-13-F 编号：C2937139

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。通用型，中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

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10+
￥0.2349
100+
￥0.1869
300+
￥0.1629
1000+
￥0.1449

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型号：BZX84C5V6-7-F 编号：C85185

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

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20+
￥0.2443
200+
￥0.2002
600+
￥0.1757

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型号：S-LBZT52C5V6T1G 编号：C2941710

封装：SOD-123

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：500mW 功率耗散。适用于表面贴装应用。齐纳击穿电压范围 2.4V 至 51V。产品材料符合 RoHS 标准且无卤。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力

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20+
￥0.2531
200+
￥0.2067
600+
￥0.1809

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型号：BZT52HC5V6WFQ-7 编号：C5157832

封装：SOD-123F

品牌：DIODES(美台)

特性：扁平引脚封装设计，实现低轮廓和高功率耗散。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用。符合AEC-Q101标准。具备PPAP能力。在通过IATF 16949认证的工厂生产

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5+
￥0.5237
50+
￥0.4191
150+
￥0.3667
500+
￥0.3275

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型号：BZD27C5V6P-E3-08 编号：C105707

封装：DO-219AB(SMF)

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面齐纳二极管。低轮廓表面贴装封装。齐纳和浪涌电流规格。低泄漏电流。出色的稳定性。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值260℃。符合JESD 201 2类晶须测试。静电放电能力符合AEC-Q101：人体模型>8kV，机器模型>800V。波峰焊和回流焊均可。有AEC-Q101认证版本。基础型号E3：符合RoHS标准，商业级。基础型号HE3：符合RoHS标准，且通过AEC-Q101认证

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