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首页 > 热门关键词 > 2.4V稳压二极管
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独立式 耐压:3.3V 电流:5uA@1V
型号：MMSZ3V3T1G 编号：C94381
封装：SOD-123
品牌：onsemi(安森美)
特性：500mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。 齐纳反向电压范围宽，为2.4V至56V。 封装设计适合优化自动电路板组装。 小封装尺寸，适用于高密度应用。 人体模型静电放电等级为3级（>16kV）。 通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序能力。 带有SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
数据手册

  • 10+

    ￥0.2481

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    ￥0.1949

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    ￥0.1682

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    ￥0.1185
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    独立式 耐压:13V 电流:0.1uA@8V
    型号：BZT52C13S 编号：C727036
    封装：SOD-323
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    特性：总功率耗散：最大200mW。宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。非常适合自动化组装过程
    数据手册

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      ￥0.078945 ￥0.0831

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      ￥0.05225 ￥0.055

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      ￥0.03895 ￥0.041
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    独立式 耐压:15V 电流:0.1uA
    型号：BZT52C15S 编号：C353555
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

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      ￥0.0476
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    表面贴装齐纳二极管
    型号：LBZT52C8V2T1G 编号：C12761
    封装：SOD-123
    品牌：LRC(乐山无线电)
    特性：500mW 功率耗散。 适用于表面贴装应用。 齐纳击穿电压范围 2.4V 至 51V。 产品材料符合 RoHS 标准且无卤。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1449

    • 200+

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    表面贴装齐纳二极管
    型号：S-LBZT52C8V2T1G 编号：C2932861
    封装：SOD-123
    品牌：LRC(乐山无线电)
    特性：500mW 功率耗散。 适用于表面贴装应用。 齐纳击穿电压范围 2.4V 至 51V。 产品材料符合 RoHS 标准且无卤。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2348

    • 200+

      ￥0.189

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      ￥0.1211
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:6.8V 电流:2uA@4V
    型号：MMSZ6V8T1G 编号：C132794
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：500mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。 齐纳反向电压范围宽，为2.4V至56V。 封装设计适合优化自动电路板组装。 小封装尺寸，适用于高密度应用。 人体模型静电放电等级为3级（>16kV）。 通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序能力。 带有SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
    数据手册

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      ￥0.3255

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      ￥0.1502
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    独立式 耐压:75V 电流:0.045uA@52.5V
    型号：MM3Z75VC 编号：C891646
    封装：SOD-323F
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：宽齐纳电压范围选择，2.4V至75V。VZ公差选择为 ±5%（C系列）。非常小且薄的贴片封装。哑光镀锡（Sn）表面处理，无铅
    数据手册

    • 5+

      ￥0.36656 ￥0.4582

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      ￥0.28413 ￥0.4059

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      ￥0.2019 ￥0.3365
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    独立式 耐压:9.1V 电流:0.5uA@6V
    型号：MMSZ9V1T1G 编号：C132795
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：500mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。 齐纳反向电压范围宽，为2.4V至56V。 封装设计适合优化自动电路板组装。 小封装尺寸，适用于高密度应用。 人体模型静电放电等级为3级（>16kV）。 通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序能力。 带有SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4637

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    硅平面齐纳二极管
    型号：BZT52C15SW 编号：C3019316
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

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    耐压:2.7V 电流:20uA@1V
    型号：BZX584C2V7Q 编号：C20167682
    封装：SOD-523(SC-79)
    品牌：YANGJIE(扬杰)
    特性：环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级且无卤。 湿度敏感度等级1。 齐纳电压2.4V~47V。 齐纳电压容差约±5%。应用：一般调节功能

    • 20+

      ￥0.2334

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    表面贴装齐纳二极管
    型号：LBZT52C5V6T1G 编号：C12770
    封装：SOD-123
    品牌：LRC(乐山无线电)
    特性：500mW 功率耗散。 适用于表面贴装应用。 齐纳击穿电压范围 2.4V 至 51V。 产品材料符合 RoHS 标准且无卤。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1296

    • 200+

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    • 3000+

      ￥0.078
  • 有货
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    硅平面齐纳二极管
    型号：BZT52C5V1SW 编号：C3019299
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1034

    • 500+

      ￥0.0807

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      ￥0.0681

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      ￥0.0605
  • 有货
    • 立即购买
    表面贴装齐纳二极管
    型号：LBZT52C3V3T1G 编号：C43043
    封装：SOD-123
    品牌：LRC(乐山无线电)
    特性：500mW 功率耗散。 适用于表面贴装应用。 齐纳击穿电压范围 2.4V 至 51V。 产品材料符合 RoHS 标准且无卤。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1509

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    • 3000+

      ￥0.0958
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    耐压:7.5V 电流:1uA@5V
    型号：BZX584C7V5Q 编号：C20167697
    封装：SOD-523(SC-79)
    品牌：YANGJIE(扬杰)
    特性：环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级且无卤。 湿度敏感度等级1。 齐纳电压2.4V~47V。 齐纳电压容差约±5%。应用：一般调节功能

    • 20+

      ￥0.2334

    • 200+

      ￥0.1848

    • 600+

      ￥0.1578

    • 2000+

      ￥0.1416
  • 有货
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    独立式 耐压:18V 电流:0.05uA@12.6V
    型号：MMSZ18T1G 编号：C40707
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：500mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。 齐纳反向电压范围宽，为2.4V至56V。 封装设计适合优化自动电路板组装。 小封装尺寸，适用于高密度应用。 人体模型静电放电等级为3级（>16kV）。 通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序能力。 带有SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2421

    • 100+

      ￥0.1922

    • 300+

      ￥0.1672

    • 3000+

      ￥0.1484

    • 6000+

      ￥0.1335

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      ￥0.126
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:12V 电流:0.1uA@8V
    型号：BZT52C12 编号：C908183
    封装：SOD-123
    品牌：FUXINSEMI(富芯森美)
    特性：硅外延平面芯片结构。宽齐纳反向电压范围 2.4V 至 75V。小封装尺寸，适用于高密度应用。非常适合自动化组装过程。提供无铅封装。产品材料符合 RoHS 要求。符合无卤要求
    数据手册

    • 20+

      ￥0.07048 ￥0.0881

    • 200+

      ￥0.05488 ￥0.0686

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      ￥0.04624 ￥0.0578

    • 3000+

      ￥0.04104 ￥0.0513

    • 9000+

      ￥0.03656 ￥0.0457

    • 21000+

      ￥0.03416 ￥0.0427
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:5.3V 电流:1uA
    型号：BZT52C5V6 编号：C908192
    封装：SOD-123
    品牌：FUXINSEMI(富芯森美)
    特性：硅外延平面芯片结构。宽齐纳反向电压范围 2.4V 至 75V。小封装尺寸，适用于高密度应用。非常适合自动化组装过程。提供无铅封装。产品材料符合 RoHS 要求。符合无卤要求
    数据手册

    • 20+

      ￥0.0821

    • 200+

      ￥0.0643

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      ￥0.0544

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      ￥0.047

    • 9000+

      ￥0.0419

    • 21000+

      ￥0.0391
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:3.9V 电流:3uA@1.0V
    型号：BZX584C3V9Q 编号：C20167689
    封装：SOD-523(SC-79)
    品牌：YANGJIE(扬杰)
    特性：环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级且无卤。 湿度敏感度等级1。 齐纳电压2.4V~47V。 齐纳电压容差约±5%。应用：一般调节功能

    • 20+

      ￥0.2334

    • 200+

      ￥0.1848

    • 600+

      ￥0.1578

    • 2000+

      ￥0.1416
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    独立式 耐压:4.5V 电流:3uA
    型号：BZT52C4V7 编号：C908189
    封装：SOD-123
    品牌：FUXINSEMI(富芯森美)
    特性：硅外延平面芯片结构。宽齐纳反向电压范围 2.4V 至 75V。小封装尺寸，适用于高密度应用。非常适合自动化组装过程。提供无铅封装。产品材料符合 RoHS 要求。符合无卤要求
    数据手册

    • 50+

      ￥0.07216 ￥0.0902

    • 500+

      ￥0.05656 ￥0.0707

    • 3000+

      ￥0.04792 ￥0.0599

    • 6000+

      ￥0.04272 ￥0.0534

    • 24000+

      ￥0.03824 ￥0.0478

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      ￥0.03584 ￥0.0448
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    耐压:2.7V 电流:20uA
    型号：BZT52C2V7 编号：C20421337
    封装：SOD-123
    品牌：FUXINSEMI(富芯森美)
    特性：硅外延平面芯片结构。 宽齐纳反向电压范围 2.4V 至 75V。 小封装尺寸，适用于高密度应用。 非常适合自动化组装工艺。 提供无铅封装。 产品材料符合 RoHS 要求。 符合无卤要求

    • 50+

      ￥0.07263 ￥0.0807

    • 500+

      ￥0.05652 ￥0.0628

    • 3000+

      ￥0.04761 ￥0.0529

    • 6000+

      ￥0.0423 ￥0.047

    • 24000+

      ￥0.03771 ￥0.0419

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      ￥0.03519 ￥0.0391
  • 有货
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    独立式 耐压:5.1V 电流:2uA
    型号：BZT52C5V1S 编号：C908191
    封装：SOD-323(SC-90)
    品牌：FUXINSEMI(富芯森美)
    特性：硅外延平面芯片结构。 齐纳反向电压范围宽，2.4V至51V。 小封装尺寸，适用于高密度应用。 非常适合自动化组装工艺。 提供无铅封装。 产品材料符合RoHS要求。 符合无卤要求
    数据手册

    • 50+

      ￥0.083

    • 500+

      ￥0.0652

    • 3000+

      ￥0.0529

    • 6000+

      ￥0.047

    • 24000+

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    独立式 耐压:12V 电流:0.1uA@8V
    型号：BZT52C12S 编号：C353559
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0854

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    独立式 耐压:3.6V 电流:5uA@1.0V
    型号：BZT52C3V6 编号：C908187
    封装：SOD-123
    品牌：FUXINSEMI(富芯森美)
    特性：硅外延平面芯片结构。宽齐纳反向电压范围 2.4V 至 75V。小封装尺寸，适用于高密度应用。非常适合自动化组装过程。提供无铅封装。产品材料符合 RoHS 要求。符合无卤要求
    数据手册

    • 20+

      ￥0.0902

    • 200+

      ￥0.0707

    • 600+

      ￥0.0599

    • 3000+

      ￥0.0534

    • 9000+

      ￥0.0478

    • 21000+

      ￥0.0448
  • 有货
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    独立式 耐压:15V 电流:0.1uA@10.5V
    型号：BZT52C15S 编号：C910053
    封装：SOD-323(SC-90)
    品牌：FUXINSEMI(富芯森美)
    特性：硅外延平面芯片结构。 宽齐纳反向电压范围：2.4V至51V。 小封装尺寸，适用于高密度应用。 非常适合自动化组装过程。 提供无铅封装。 产品材料符合RoHS要求。 符合无卤要求
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0903

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      ￥0.0725

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      ￥0.047

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    独立式 耐压:5.1V 电流:2uA
    型号：BZX84C5V1 编号：C3040449
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：FUXINSEMI(富芯森美)
    特性：硅外延平面芯片结构。 齐纳反向电压范围宽，2.4V至75V。 小封装尺寸，适用于高密度应用。 非常适合自动化组装工艺。 无铅零件符合MIL-STD-19500/228环境标准。 后缀“-H”表示无卤零件
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    • 50+

      ￥0.0936 ￥0.104

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    耐压:5.5V 电流:5uA@3V
    型号：MMSZ5232B 编号：C707164
    封装：SOD-123
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：总功率耗散：最大500mW。 齐纳反向电压范围宽：2.4V至39V。 小型塑料封装，适用于表面贴装设计。 公差约 ±5%
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    耐压:6.8V 电流:3uA
    型号：MMSZ5235B 编号：C707166
    封装：SOD-123
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：总功率耗散：最大500mW。 齐纳反向电压范围宽：2.4V至39V。 小型塑料封装，适用于表面贴装设计。 公差约 ±5%
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    耐压:18V 电流:0.1uA@14V
    型号：MMSZ5248B 编号：C707176
    封装：SOD-123
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：总功率耗散：最大500mW。 齐纳反向电压范围宽：2.4V至39V。 小型塑料封装，适用于表面贴装设计。 公差约 ±5%
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    • 20+

      ￥0.1374

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      ￥0.1094

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    耐压:18V 电流:0.1uA@14.0V
    型号：BZT52B18 编号：C699161
    封装：SOD-123
    品牌：YANGJIE(扬杰)
    特性：高可靠性。 非常尖锐的反向特性。 低反向电流水平。 齐纳电压2.4V~75V
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      ￥0.1012
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    车规级 耐压:12V 电流:0.1uA@8.0V
    型号：BZT52C12SQ 编号：C2942508
    封装：SOD-323(SC-90)
    品牌：YANGJIE(扬杰)
    特性：环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级且无卤。 湿度敏感度等级1。 齐纳电压2.4V~47V。 Vz公差约±5%。 后缀为“Q”的型号表示符合AEC-Q101标准。应用：一般调节功能。 汽车领域

    • 20+

      ￥0.2224

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