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首页 > 热门关键词 > BORN二极管
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双向TVS 5V截止 峰值脉冲电流：3.5A@8/20us
型号：RCLAMP0521P-N 编号：C316043
封装：DFN1006-2
品牌：BORN(伯恩半导体)
静电TVS RF信号
数据手册

  • 50+

    ￥0.216

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：AO3400A 编号：C344010
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    MOSFET,N-channel 30V/12V 5.8A VGS(th)=1.1V 29mΩ@5.8A&10V,SOT-23
    数据手册

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
    型号：AO3401A 编号：C306862
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    MOSFET,P-channel 30V/12V 4.2A VGS(th)=1V 45mΩ@4.2A&10V,SOT-23
    数据手册

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    双向ESD 3.3V截止 峰值脉冲电流：10A@8/20us
    型号：BSD5C031V 编号：C151984
    封装：SOD-523
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：100瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2：±25kV接触，±25kV空气。应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理（PDA）
    数据手册

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      ￥0.1888

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      ￥0.1511

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    TVS 5V截止 峰值浪涌电流：5.5A@8/20us
    型号：BSD5C051V 编号：C151981
    封装：SOD-523
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    SOT-523 5V Cj=8pF 双向 静电TVS 普通信号
    数据手册

    • 20+

      ￥0.216

    • 200+

      ￥0.1814

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      ￥0.1622

    • 5000+

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      ￥0.1054

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      ￥0.1
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    双向ESD 3.3V截止 峰值脉冲电流：14A
    型号：GBLC03C-N 编号：C314254
    封装：SOD-323
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    空气30KA 接触30KA
    数据手册

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      ￥0.3647

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    • 3000+

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    双向TVS 15V截止 峰值浪涌电流：24.6A@10/1000us
    型号：SMBJ15CA 编号：C151924
    封装：DO-214AA(SMB)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    DO-214AA 600W VRWM=15V 双向 功率TVS 电源口
    数据手册

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      ￥0.4104

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      ￥0.1875
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    双向TVS 5V截止 峰值浪涌电流：3A@8/20us
    型号：BSD5C051U 编号：C151982
    封装：SOD-523
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    SOT-523 5V Cj=0.5pF 双向 静电TVS 高速信号
    数据手册

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      ￥0.3208

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    双向ESD 18V截止
    型号：0603ESDA-18N 编号：C316055
    封装：0603
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：0603inch/1608mm 引脚尺寸。 是高频、低电压应用的理想 ESD 保护器件。 超过 IEC 61000-4-2 测试要求。 超低电容（典型值 1.5pF）。 极低泄漏电流。 快速响应时间。应用：高速数据端口（USB 2.0、IEEE 1394）。 计算机及外设（手机、PDA、HDTV、DVD 播放器）
    数据手册

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    ESD 5V截止 峰值脉冲电流：3A@8/20us
    型号：ESD9L5.0ST5G-N 编号：C316041
    封装：DFN1006-2
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    静电TVS
    数据手册

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      ￥0.1805

    • 200+

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      ￥0.0778
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:3A
    型号：SI2302 编号：C344009
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    MOSFET,N-channel 20V/10V 4A VGS(th)=0.9V 30mΩ@3A&4.5V,SOT-23
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2005

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    双向ESD 5V截止 峰值脉冲电流：17A
    型号：PESD5V0S1BA-N 编号：C314260
    封装：SOD-323
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    空气30KA 接触30KA
    数据手册

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    • 9000+

      ￥0.202
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    双向ESD 24V截止 峰值脉冲电流：6A
    型号：PESD24VL1BA-N 编号：C314263
    封装：SOD-323
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    空气30KA 接触30KA
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4452

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    • 300+

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    • 3000+

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    • 9000+

      ￥0.2295
  • 有货
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    双向ESD 24V截止
    型号：0603ESDA-24N 编号：C316056
    封装：0603
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：0603inch/1608mm 引脚尺寸。 是高频、低电压应用的理想 ESD 保护器件。 超过 IEC 61000-4-2 测试要求。 超低电容（典型值 1.5pF）。 极低泄漏电流。 快速响应时间。应用：高速数据端口（USB 2.0、IEEE 1394）。 计算机及外设（手机、PDA、HDTV、DVD 播放器）
    数据手册

    • 50+

      ￥0.145

    • 500+

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    • 48000+

      ￥0.0657
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
    型号：SI2301 编号：C306861
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    MOSFET,P-channel 20/10V 3A VGS(th)=0.7V 64mΩ@3A&4.5V,SOT-23
    数据手册

    • 50+

      ￥0.201

    • 500+

      ￥0.1686

    • 3000+

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    • 6000+

      ￥0.1157

    • 24000+

      ￥0.1063

    • 51000+

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  • 有货
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    双向TVS 3.3V截止 峰值浪涌电流：40A@8/20us
    型号：SMFJ3.3CA 编号：C511919
    封装：SOD-123
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    SOD-123 200W VRWM=3.3V 双向 功率TVS 电源口等
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3671

    • 100+

      ￥0.2999

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      ￥0.2663

    • 3000+

      ￥0.1997

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      ￥0.1795

    • 9000+

      ￥0.1694
  • 有货
    • 立即购买
    双向TVS 5V截止 峰值脉冲电流：3.5A@8/20us
    型号：RCLAMP0524P-N 编号：C316044
    封装：DFN-10(2.5x1.0)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    HDMI/USB3.0
    数据手册

    • 10+

      ￥0.373

    • 100+

      ￥0.3154

    • 300+

      ￥0.2866

    • 3000+

      ￥0.1982

    • 6000+

      ￥0.1809

    • 9000+

      ￥0.1722
  • 有货
    • 立即购买
    双向ESD 5V截止 峰值脉冲电流：14A
    型号：BSD3C051L2 编号：C406198
    封装：SOD-323
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    耐高温高湿 静电能力强(空气30KV 接触30KV)
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4327

    • 100+

      ￥0.3559

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    • 9000+

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    双向ESD 18V截止
    型号：0402ESDA-18N 编号：C316050
    封装：0402
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    芯片静电放电抑制器专为保护敏感电子设备免受静电放电 (ESD) 威胁而设计。该产品能对瞬态电压做出几乎即时的反应，并在 ESD 瞬态期间将其有效钳位到低电压。该产品使用压敏聚合物，具有低电容和极低的泄漏电流。因此，在正常工作模式下，该器件对电路几乎无影响。由于其高关态阻抗和低电容，它对高速数字电路尤其透明。大量测试表明，信号不会失真或中断。使用静电放电抑制器进行 ESD 保护，设备在保护电路免受 ESD 影响的同时，能保持高速数据信号的完整性。这种材料的特性造就了双向器件，这意味着每条浪涌路径仅需一个器件，即可提供全面的 ESD 保护，而无需考虑浪涌极性。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1355

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      ￥0.0694

    • 20000+

      ￥0.0652
  • 有货
    • 立即购买
    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：3A@8/20us
    型号：BSD5C051L 编号：C151983
    封装：SOD-523
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    SOT-523 5V Cj=3pF 双向 静电TVS 高速信号
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2417

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      ￥0.2037

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  • 有货
    • 立即购买
    双向ESD 5V截止 峰值脉冲电流：3.5A
    型号：ESD7951ST5G 编号：C343992
    封装：DFN1006-2
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    静电TVS 高速信号
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2682

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      ￥0.125
  • 有货
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    双向TVS 6.5V截止 峰值浪涌电流：17.9A
    型号：SMFJ6.5CA 编号：C2842363
    封装：SOD-123FL
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：优秀的钳位能力。 低漏电流。 低电容。 高浪涌能力。 玻璃钝化芯片。 环氧树脂封装。应用：手机。 便携式设备
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3393

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    双向TVS 12V截止 峰值浪涌电流：10.1A@10/1000us
    型号：SMFJ12CA 编号：C151896
    封装：SOD-123F
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    SOD-123 200W VRWM=12V 双向 功率TVS 电源口
    数据手册

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      ￥0.3452

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  • 有货
    • 立即购买
    双向TVS 5V截止 峰值脉冲电流：43.5A@10/1000us
    型号：SMAJ5.0CA 编号：C151931
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    功率TVS 电源口
    数据手册

    • 10+

      ￥0.39

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    • 300+

      ￥0.2962

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      ￥0.2728

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      ￥0.1844

    • 10000+

      ￥0.1751
  • 有货
    • 立即购买
    双向ESD 5V截止 峰值脉冲电流：14A
    型号：PESD5V0U1BA-N 编号：C406223
    封装：SOD-323
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：230W峰值脉冲功率 (ip = 8/20μs)。 小型0805封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用：10/100/1000以太网。 集成磁体/RJ45连接器
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    • 10+

      ￥0.3995

    • 100+

      ￥0.3203

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      ￥0.2242

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    双向ESD 12V截止 峰值脉冲电流：10A
    型号：PESD12VL1BA-N 编号：C314261
    封装：SOD-323
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    空气30KA 接触30KA
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      ￥0.4146

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    双向TVS 8V截止 峰值脉冲电流：15A
    型号：GBLC08C-N 编号：C314256
    封装：SOD-323
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    空气30KA 接触30KA
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      ￥0.4576

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    双向ESD 5V截止 峰值脉冲电流：17A
    型号：PESD5V0L2BTN 编号：C314265
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    静电TVS PCAN/串口
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      ￥0.5183

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    HFE=200～350 NPN 电流:500mA 电压:25V
    型号：S9013 编号：C511901
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：与S9012互补。 高稳定性和高可靠性
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    • 50+

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    双向ESD 24V截止
    型号：0402ESDA-24N 编号：C316051
    封装：0402
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    芯片静电放电抑制器专为保护敏感电子设备免受静电放电 (ESD) 威胁而设计。该产品能对瞬态电压做出几乎即时的反应，并在 ESD 瞬态期间将其有效钳位到低电压。该产品使用压敏聚合物，具有低电容和极低的泄漏电流。因此，在正常工作模式下，该器件对电路几乎无影响。由于其高关态阻抗和低电容，它对高速数字电路尤其透明。大量测试表明，信号不会失真或中断。使用静电放电抑制器进行 ESD 保护，设备在保护电路免受 ESD 影响的同时，能保持高速数据信号的完整性。这种材料的特性造就了双向器件，这意味着每条浪涌路径仅需一个器件，即可提供全面的 ESD 保护，而无需考虑浪涌极性。
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    • 50+

      ￥0.1206

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