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特性:宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
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  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 具有大的吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
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  • 特性:宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
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  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1100V。 对瞬态过电压快速响应。 具有大的吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
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  • UCD32CXXL01是一款超低电容TVS阵列,旨在保护高速数据接口。该系列专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感组件,使其免受静电放电(ESD)、电缆放电事件(CDE)和雷击引起的过电压影响。独特的设计在单个封装中集成了具有浪涌额定值的低电容转向二极管和一个TVS二极管。在瞬态条件下,转向二极管将瞬态电流导向接地。内部TVS二极管将瞬态电压钳位到安全水平。超低电容阵列配置允许用户保护多达高速数据线。这些器件采用信号封装,符合RoHS/WEEE标准,采用SOD - 323封装,尺寸为2.5x1.25x1.0mm。该系列器件可用于满足IEC61000 - 4 - 2(ESD)、IEC61000 - 4 - 4(EFT)和IEC61000 - 4 - 5(浪涌)的抗扰度要求。接触放电:±30kV,空气放电:±30kV
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    • 20+

      ¥0.421135
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      ¥0.28842
    该器件是浪涌额定二极管阵列,旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件,使其免受静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和雷击引起的过电压影响。该器件的独特设计在单个封装中集成了一个浪涌额定二极管和四条数据线、低电容转向二极管以及一个TVS二极管。低电容阵列配置使用户能够保护四条高速数据或传输线路。
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  • 设计用于保护敏感电子设备免受静电放电和其他电压瞬态事件的损坏或锁存。适用于电路板空间有限的应用。该器件可保护多达两条线路。它是双向器件,可用于信号极性高于地的线路。TVS二极管是专门为瞬态抑制而设计的固态器件。其特点是具有大截面积结,可传导高瞬态电流。它具有快速响应时间、低钳位电压和无器件退化等特性,适用于电路板级保护。该器件可满足IEC61000-4-2 4级抗扰度要求。SOT-23封装使其非常适合用于便携式电子产品,如RS-422 I/O、RS-232 I/O、笔记本电脑和服务器。
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      ¥0.3394
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘᵥ) 范围为 18V 至 1100V。 对瞬态过电压响应迅速。 吸收瞬态能量能力强。 低钳位比,无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
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  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘᵥ) 范围为 18V 至 1100V。 对瞬态过电压响应迅速。 吸收瞬态能量能力强。 低钳位比,无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
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  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘᵥ) 范围为 18V 至 1100V。 对瞬态过电压响应迅速。 吸收瞬态能量能力强。 低钳位比,无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
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  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘᵥ) 范围:18V 至 1100V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度:-40℃ 至 +105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子中的浪涌保护
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  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘᵥ) 范围为 18V 至 1100V。 对瞬态过电压响应迅速。 吸收瞬态能量能力强。 低钳位比,无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
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  • 特性:宽工作电压 (V₁₀₀) 范围:18V至1100V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合J-STD-020的MSL 1级。 工作温度:-40℃至+105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
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    • 150+

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  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₗ) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 MSL 1 级标准(依据 J-STD-020)。 工作温度:-40℃ 至 + 105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
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      ¥0.307
    • 5100+

      ¥0.2883
  • 订货
  • 特性:宽工作电压 (V₁₀₀) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 具有大的吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
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  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘᵥ) 范围为 18V 至 1800V。 快速响应瞬态过电压。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
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  • 特性:宽工作电压 (V₁₀₀) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 具有大的吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    • 5+

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    • 50+

      ¥0.5325
    • 300+

      ¥0.4455
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  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

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    • 50+

      ¥0.5293
    • 300+

      ¥0.4556
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
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      ¥0.5595
    • 150+

      ¥0.4807
  • 有货
  • 特性:宽工作电压(V₁ₘₐ)范围为18V至1800V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合J-STD-020的MSL 1级。 工作温度:-40℃至+85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7228
    • 50+

      ¥0.587
    • 300+

      ¥0.4908
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁₀₀) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 具有大的吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    • 5+

      ¥0.7584
    • 50+

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    • 250+

      ¥0.5061
  • 有货
  • 特性:工作电压 (V1mV) 范围宽,从 18V 到 1800V。 对瞬态过电压响应迅速。 吸收瞬态能量的能力强。 钳位比低,无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8295
    • 50+

      ¥0.6471
    • 300+

      ¥0.5559
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁₀₀) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 具有大的吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    • 5+

      ¥0.8627
    • 50+

      ¥0.6766
    • 250+

      ¥0.5758
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 具有大的吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 1+

      ¥0.9548
    • 10+

      ¥0.7438
    • 30+

      ¥0.6533
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁₀₀) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 具有大的吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    • 5+

      ¥1.0478
    • 50+

      ¥0.8412
    • 300+

      ¥0.7526
  • 有货
  • 特性:宽工作电压(V₁₀₀)范围为18V至1800V。 对瞬态过电压快速响应。 具有大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合J-STD-020的MSL 1级。 工作温度:-40℃至+105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    • 5+

      ¥1.7173
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      ¥1.363
    • 150+

      ¥1.2112
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围:18V至1800V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合J-STD-020的MSL 1级。 工作温度:-40℃至+85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
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    • 150+

      ¥1.2482
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    • 2550+

      ¥0.9833
    • 4950+

      ¥0.9344
  • 订货
  • 特性:宽工作电压(V₁ₘₐ)范围为18V至1800V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比,无续流。符合J-STD-020标准的MSL 1级。工作温度:-40°C至+105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 1+

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      ¥4.27
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  • 特性:宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
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    • 20+

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    • 200+

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      ¥0.1562
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      ¥0.1418
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  • 特性:工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 吸收瞬态能量能力强。 钳位比低且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
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    • 10+

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      ¥0.1598
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