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  • 特性:Io 15A-VRRM 50V-1000V。 高浪涌电流能力。 玻璃钝化芯片。应用:通用单相桥式整流器应用
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  • 特性:低功耗,高效率。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 高电流能力和低正向压降
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  • 特性:超快恢复时间和低恢复损耗。低正向电压。低反向漏电流。应用:改善电动汽车/混合动力汽车充电站的PFC和输出整流级效率。太阳能逆变器的升压级
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  • 特性:正向平均电流(IF(AV)):2A。 重复峰值反向电压(VRRM):50V-1000V。 高浪涌电流能力。 极性:色带表示阴极。应用:整流器
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  • 特性:正向平均电流(IF(AV)):0.8A。 重复峰值反向电压(VRRM):50V-1000V。 高浪涌电流能力。 玻璃钝化芯片。应用:通用单相桥式整流器应用
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      ¥0.1065
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  • 特性:平面芯片结构。 通用型,中等电流。 非常适合自动组装
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  • 特性:平面芯片结构。 通用型,中等电流。 非常适合自动化组装。 通过AEC-Q101认证
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  • 特性:平面芯片结构。 齐纳电压范围为2.4V-43V。 超小表面贴装封装,功耗300mW。 通过AEC-Q101认证
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  • 特性:平面芯片结构。 齐纳电压从2.4V到43V。 超小表面贴装封装,功耗300mW。 通过AEC-Q101认证
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  • 特性:平面芯片结构。陶瓷印刷电路板上200mW的功耗。通用型、中等电流。通过AEC-Q101认证
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  • 特性:平面芯片结构。 陶瓷印刷电路板上200mW的功耗。 通用、中等电流。 通过AEC-Q101认证
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  • 特性:正向平均电流(IF(AV)):1A。 重复峰值反向电压(VRRM):50V-1000V。 高浪涌电流能力。 玻璃钝化芯片。应用:通用单相桥式整流应用
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  • 特性:平面芯片结构。齐纳电压从2.4V到43V。超小表面贴装封装,功耗300mW。通过AEC-Q101认证
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  • 特性:正向平均电流(IF(AV)):2A-反向重复峰值电压(VRRM):20V-200V。 高浪涌电流能力。 极性:色带表示阴极。应用:整流器
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  • 特性:正向平均电流(IF(AV)):3A-反向重复峰值电压(VRRM):50V-1000V。 高浪涌电流能力。 极性:色带表示阴极。应用:整流器
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  • 特性:IF(AV):2A-VRRM:200V-1000V。 高浪涌电流能力。 玻璃钝化芯片。应用:通用单相桥式整流器应用
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  • 特性:正向平均电流(IF(AV)):3A。 重复峰值反向电压(VRRM):50V-1000V。 高浪涌电流能力。 极性:色带表示阴极。应用:整流器
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