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Wolfspeed的CMPA0060002F1是一款基于氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。GaN具有比硅或砷化镓更优异的性能，包括更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。GaN HEMTs还提供了更高的功率密度和更宽的带宽。这款MMIC采用了分布式（行波）放大器设计方法，能够在小型螺钉安装封装中实现极宽的带宽，封装带有铜钨散热片。

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型号：CMPA0060002F 编号：C7455674

封装：-

品牌：WOLFSPEED

Wolfspeed的CMPA0060002F是一款基于氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。GaN具有比硅或砷化镓更优越的性能，包括更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。GaN HEMTs还提供了更高的功率密度和更宽的带宽。

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型号：CMPA2735030S 编号：C7452536

封装：QFN-32(5x5)

品牌：WOLFSPEED

Cree 的 CMPA2735030S 是基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)。GaN 比硅或砷化镓具有更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。GaN HEMT 还提供比 Si 和 GaAs 晶体管更高的功率密度和更宽的带宽。这款 MMIC 采用两阶段反应匹配放大器设计，可在 5mm x 5mm 表面贴装 (QFN) 封装中实现高功率和高功率附加效率。

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型号：CGHV40200PP-TB 编号：C20648534

封装：-

品牌：WOLFSPEED

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型号：LTA/GTRB266908FC-E2 编号：C20427325

封装：-

品牌：WOLFSPEED

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型号：LTA/GTRB246608FC-V1 编号：C20467240

封装：-

品牌：WOLFSPEED

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型号：CMPA851A012S 编号：C7459993

封装：-

品牌：WOLFSPEED

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型号：CCS020M12CM2 编号：C7455345

封装：-

品牌：WOLFSPEED

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型号：CMPA5585030D 编号：C5574784

封装：-

品牌：WOLFSPEED

Wolfspeed的CMPA5585030D是一款基于氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。GaN具有比硅或砷化镓更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。GaN HEMTs还提供了比Si和GaAs晶体管更高的功率密度和更宽的带宽。该MMIC包含了一个两阶段反应匹配的放大器设计方法，能够实现非常宽的带宽。