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首页 > 热门关键词 > CREE二极管
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C503B-GCN-CY0Z0782
型号：C503B-GCN-CY0Z0782 编号：C20506904
封装：5mm Round
品牌：WOLFSPEED

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    C566C-GFS-CW0X0781
    型号：C566C-GFS-CW0X0781 编号：C20586138
    封装：5mm Oval
    品牌：WOLFSPEED

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    C566C-GFN-CW0X0781
    型号：C566C-GFN-CW0X0781 编号：C20585605
    封装：5mm Oval
    品牌：WOLFSPEED

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    C5SMF-BJN-CR14Q4T1
    型号：C5SMF-BJN-CR14Q4T1 编号：C20584701
    封装：5mm Oval
    品牌：WOLFSPEED

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    C566C-BFE-CU0V0341
    型号：C566C-BFE-CU0V0341 编号：C20586645
    封装：5mm Oval
    品牌：WOLFSPEED

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    C5SMF-BJN-CR24Q4T1
    型号：C5SMF-BJN-CR24Q4T1 编号：C20588085
    封装：5mm Oval
    品牌：WOLFSPEED

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    C374T-WQS-CT0W0131
    型号：C374T-WQS-CT0W0131 编号：C20591511
    封装：3mm Round
    品牌：WOLFSPEED

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    SLV6A-FKB-CK1P1G1BB7R3R3
    型号：SLV6A-FKB-CK1P1G1BB7R3R3 编号：C6229063
    封装：PLCC-6
    品牌：WOLFSPEED

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    C503B-GCS-CY0Z0891
    型号：C503B-GCS-CY0Z0891 编号：C20505605
    封装：5mm Round
    品牌：WOLFSPEED

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    CP41B-GFS-CL0N0784
    型号：CP41B-GFS-CL0N0784 编号：C20578082
    封装：P4
    品牌：WOLFSPEED

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    E4D02120E-TR
    型号：E4D02120E-TR 编号：C7454070
    封装：TO-252-2
    品牌：WOLFSPEED

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      ￥18.29

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    CVFD20065A
    型号：CVFD20065A 编号：C7457737
    封装：TO-220-2
    品牌：WOLFSPEED

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    C3M0021120K
    型号：C3M0021120K 编号：C5713521
    封装：TO-247-4
    品牌：WOLFSPEED
    特性：第三代碳化硅MOSFET技术。 采用独立驱动源极引脚的优化封装。 漏极和源极之间有8mm爬电距离。 高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复电荷(Qrr)。应用：太阳能逆变器。 电动汽车电机驱动

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      ￥124.11

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    1200V碳化硅功率MOSFET
    型号：C3M0040120K 编号：C5588747
    封装：TO-247-4
    品牌：WOLFSPEED
    特性：第三代碳化硅MOSFET技术。 优化封装，带有独立的驱动源极引脚。 漏极和源极之间的爬电距离为8mm。 高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复电荷Qrr。应用：太阳能逆变器。 电动汽车电机驱动

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    1200V 碳化硅功率 MOSFET
    型号：C3M0075120K-A 编号：C7429887
    封装：TO-247-4
    品牌：WOLFSPEED
    特性：第三代碳化硅MOSFET技术。 优化封装，带有独立驱动源引脚。 漏源之间爬电距离为8mm。 高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复电荷。应用：可再生能源。 电动汽车电池充电器

    • 1+

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    C3M0350120J
    型号：C3M0350120J 编号：C5241022
    封装：TO-263-7
    品牌：WOLFSPEED
    特性：第三代碳化硅（SiC）MOSFET技术。 带驱动源极引脚的低阻抗封装。 漏极和源极之间的爬电距离为7mm。 高阻断电压和低导通电阻。 低电容的高速开关。 具有低反向恢复(Qrr)的快速本征二极管。应用：可再生能源。 高压DC/DC转换器

    • 1+

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    1200V碳化硅功率MOSFET
    型号：C3M0160120D 编号：C5713505
    封装：TO-247-3
    品牌：WOLFSPEED
    特性：C3M SiC MOSFET技术。 高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复（Qrr）。 无卤，符合RoHS标准。 更高的系统效率。应用：可再生能源。 高压DC/DC转换器

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    1200V 32A 碳化硅功率MOSFET
    型号：C3M0075120D 编号：C5713509
    封装：TO-247-3
    品牌：WOLFSPEED
    特性：C3M SiC MOSFET技术。高阻断电压，低导通电阻。高速开关，低电容。快速本征二极管，低反向恢复 (Qrr)。无卤，符合RoHS标准。更高的系统效率。应用：可再生能源。电动汽车电池充电器

    • 1+

      ￥74.11

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    650V碳化硅功率MOSFET
    型号：C3M0060065K 编号：C5713511
    封装：TO-247-4
    品牌：WOLFSPEED
    特性：第三代碳化硅MOSFET技术。 高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复（Qrr）。 无卤，符合RoHS标准。 更高的系统效率。应用：电动汽车充电。 服务器电源

    • 1+

      ￥70.1

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      ￥59.67

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      ￥53.32
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    1200V 30A 碳化硅功率MOSFET
    型号：C3M0075120J 编号：C5567652
    封装：TO-263-7
    品牌：WOLFSPEED
    特性：第三代碳化硅MOSFET技术。 低阻抗封装，驱动源引脚，漏源之间爬电距离7mm。 高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复电荷(Qrr)。 无卤，符合RoHS标准。应用：可再生能源。 电动汽车电池充电器

    • 1+

      ￥79.92

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      ￥68.73

    • 50+

      ￥61.91
  • 有货
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    650V碳化硅功率MOSFET
    型号：C3M0045065D 编号：C5713515
    封装：TO-247-3
    品牌：WOLFSPEED
    特性：第三代碳化硅MOSFET技术。 高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复（Qrr）。 无卤，符合RoHS标准。 更高的系统效率。应用：电动汽车充电器。 服务器和电信电源

    • 1+

      ￥102.28

    • 10+

      ￥97.47

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      ￥89.14
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    1200V 碳化硅功率 MOSFET
    型号：C3M0032120D 编号：C5611619
    封装：TO-247-3
    品牌：WOLFSPEED
    特性：第三代碳化硅MOSFET技术。 高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复 (Qrr)。 无卤，符合RoHS标准。 降低开关损耗，最小化栅极振铃。应用：太阳能逆变器。 电动汽车电机驱动

    • 1+

      ￥115.47

    • 10+

      ￥110.05

    • 30+

      ￥100.65
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    C3M0025065K
    型号：C3M0025065K 编号：C5588735
    封装：TO-247-4
    品牌：WOLFSPEED
    特性：C3M™ SiC MOSFET技术。 优化封装，带有独立驱动源极引脚。 漏极和源极之间的爬电距离为8mm。 高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复电荷(Qπ)。应用：EV充电器。 UPS

    • 1+

      ￥131.62

    • 10+

      ￥125.31

    • 30+

      ￥114.37
  • 有货
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    1200V 碳化硅功率 MOSFET
    型号：C3M0075120K 编号：C5693030
    封装：TO-247-4
    品牌：WOLFSPEED
    特性：第三代碳化硅MOSFET技术。 采用独立驱动源引脚的优化封装，漏源之间爬电距离为8mm。 高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复电荷 (Qrr)。 无卤，符合RoHS标准。应用：可再生能源。 电动汽车电池充电器

    • 1+

      ￥79.48

    • 10+

      ￥68.29

    • 30+

      ￥61.47
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    900V 36A 碳化硅功率MOSFET
    型号：C3M0065090D 编号：C5713513
    封装：TO-247-3
    品牌：WOLFSPEED
    特性：C3M SiC MOSFET技术。 高阻断电压与低导通电阻。 低电容的高速开关。 低反向恢复（Qrr）的快速本征二极管。 无卤，符合RoHS标准。 更高的系统效率。应用：可再生能源。 电动汽车电池充电器

    • 1+

      ￥85.38

    • 10+

      ￥81.36

    • 30+

      ￥74.41
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    E3M0075120K
    型号：E3M0075120K 编号：C5713517
    封装：TO-247-4
    品牌：WOLFSPEED
    特性：第三代碳化硅MOSFET技术。 采用独立驱动源引脚的优化封装。 漏极和源极之间的爬电距离为8mm。 高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复电荷(Qrr)。应用：电动汽车电池充电器。 高压直流/直流转换器

    • 1+

      ￥80.31

    • 10+

      ￥76.54

    • 30+

      ￥70
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    1200V碳化硅功率MOSFET
    型号：C3M0016120D 编号：C5713524
    封装：TO-247-3
    品牌：WOLFSPEED
    特性：第三代碳化硅MOSFET技术。 高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复电荷 (Qrr)。 无卤，符合RoHS标准。 降低开关损耗，减少栅极振铃。应用：太阳能逆变器。 电动汽车电机驱动

    • 1+

      ￥272.15

    • 10+

      ￥263.35
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    900V碳化硅功率MOSFET
    型号：C3M0120090J-TR 编号：C5713507
    封装：TO-263-7
    品牌：WOLFSPEED
    特性：新的C3M碳化硅MOSFET技术。 高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 带有驱动源的新型低阻抗封装。 快速本征二极管，低反向恢复（Qrr）。 无卤，符合RoHS标准。应用：可再生能源。 电动汽车电池充电器

    • 1+

      ￥56

    • 10+

      ￥54.67

    • 30+

      ￥53.79
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    C3M0015065K
    型号：C3M0015065K 编号：C5713519
    封装：TO-247-4
    品牌：WOLFSPEED
    特性：C3M SiC MOSFET技术。 优化封装，带有独立驱动源引脚。 漏极和源极之间的爬电距离为8mm。 高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复 (Qrr)。应用：EV充电器。 太阳能逆变器

    • 1+

      ￥129.47

    • 30+

      ￥123.05
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    900V碳化硅功率MOSFET
    型号：C3M0120090J 编号：C5713504
    封装：TO-263-7
    品牌：WOLFSPEED
    特性：新的C3M碳化硅MOSFET技术。 高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 带有驱动源的新型低阻抗封装。 快速本征二极管，低反向恢复（Qrr）。 无卤，符合RoHS标准。应用：可再生能源。 电动汽车电池充电器

    • 1+

      ￥86.38

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