DC二极管_厂家_价格_品牌_库存

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。此封装还是无引线 34 封装样式易于使用的替代产品。由于其尺寸小巧，适用于蜂窝电话和无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA 和 PCMICA 卡等便携式电池供电产品。典型应用为 AC-DC 和 DC-DC 转换器、逆向电池保护和多个供应电压的“OR”操作，以及性能和尺寸性能至关重要的其他应用。

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5+
￥0.876
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￥0.7276
150+
￥0.6534
500+
￥0.5978
3000+
￥0.4397
6000+
￥0.4174

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型号：MBR2H100SFT3G 编号：C96515

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。由于其尺寸小巧，因而适用于蜂窝电话和无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA 和 PCMCIA 卡等便携式和电池供电产品。典型应用为 AC-DC 和 DC-DC 转换器、逆向电池保护和多电源电压的“OR”运行，以及性能和尺寸在其中至关重要的任何其他应用。

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5+
￥1.0504
50+
￥0.8226
150+
￥0.7249
500+
￥0.6031
2500+
￥0.5263
5000+
￥0.4937

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型号：DSK34 编号：C17702057

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SOD-123FL封装肖特基二极管以高效能著称，适用于高速开关及低损耗应用。具备40V反向耐压和高达3A的正向电流处理能力，其卓越的0.55V正向导通压降VF确保了优异的电源转换效率，是理想的高频逆变器、DC-DC转换器和电池保护方案的选择。

20+
￥0.169005 ￥0.1779
200+
￥0.132525 ￥0.1395
600+
￥0.11229 ￥0.1182
3000+
￥0.100225 ￥0.1055
9000+
￥0.08968 ￥0.0944
21000+
￥0.08398 ￥0.0884

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型号：SB10100L-MS 编号：C47021050

封装：TO-277

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款消费级肖特基二极管，采用TO-277封装具有良好的散热性能，薄它具有反向耐压较高、平均整流电流较大、正向压降低增强了二极管在电路中的可靠性，被广泛用于开关电源、DC-DC 变换器、适配器等电路中，作为整流二极管使用，可有效提高电路的效率，降低发热。

5+
￥1.036545 ￥1.0911
50+
￥0.821085 ￥0.8643
150+
￥0.728745 ￥0.7671
500+
￥0.61351 ￥0.6458
2500+
￥0.56221 ￥0.5918
5000+
￥0.53143 ￥0.5594

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型号：MRA4003T3G-MS 编号：C50275675

封装：SMA

品牌：MSKSEMI(美森科)

MRA4003T3G一款整流二极管，采用SMA封装，峰值反向电压VRRM：300V，平均正向电流IF：1A，具有高耐压、高温的特性，广泛应用于：AC-DC 转换器和适配器、电机控制电路、电感性负载的截波保护、高压电路的过压保护等领域,-MS是品牌

20+
￥0.2003
200+
￥0.1571
600+
￥0.1331
5000+
￥0.1187
10000+
￥0.1062

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型号：MBR130LSFT1G 编号：C235756

封装：SOD-123FL

品牌：onsemi(安森美)

运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。此封装还是无引线 34 封装样式的易于使用的替代产品。由于其尺寸小巧，因而适用于蜂窝电话和无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA 和 PCMICA 卡等便携式电池供电产品。典型应用为 AC-DC 和 DC-DC 转换器、逆向电池保护和多电源电压的“OR”运行，以及性能和尺寸在其中至关重要的任何其他应用。

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5+
￥0.8952
50+
￥0.7081
150+
￥0.6146
500+
￥0.5444
3000+
￥0.4414
6000+
￥0.4133

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型号：FOD3182SD 编号：C479708

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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