DC二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-4-4.55mm

TLP292 是一款高隔离、交流低输入型光电耦合器，采用 SO4 封装，由光电晶体管与两个反并联红外发光二极管进行光耦合组成。由于 TLP292 保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围 Ta = -55 至 125 °C，因此适用于小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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型号：PS2705-1-F3-A 编号：C367377

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS2705 - 1是一款光耦合隔离器，包含一个砷化镓（GaAs）发光二极管和一个NPN型硅光电晶体管。该封装为SOP（小外形封装）类型，具有屏蔽效果，可阻隔环境光。

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型号：TCMT1100 编号：C118298

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：VISHAY(威世)

TCMT110系列由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用4引脚封装。这些元件安装在一个引线框架上，为满足最高安全要求，在输入和输出之间提供固定距离。

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型号：TP6841S6-1 编号：C5310934

封装：SOT-23-6L

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

TP6841S6是一款同步降压转换器,输入电压范围为4.5V至40V,最大输出电流为800mA,开关频率为800kHz。该芯片具有高效率、内置两个N通道MOSFET、无需外部肖特基二极管、斜坡补偿电流模式控制、稳定的低ESR陶瓷输出电容器、输入欠压锁定、短路保护、热关断、浪涌电流限制和软启动等功能。工作温度范围为-40°C至+125°C,采用6引脚SOT23-6L封装。

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型号：ACPL-827-00CE 编号：C445976

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是一款直流输入双通道、全间距光电晶体管光耦合器，包含两个发光二极管，它们与两个独立的晶体管进行光耦合。采用8引脚双列直插式封装。同样，是一款直流输入四通道、全间距光电晶体管光耦合器，包含四个发光二极管，它们与四个独立的晶体管进行光耦合。采用16引脚双列直插式封装。两款光耦合器都提供宽引脚间距选项和引脚弯曲的表面贴装器件（SMD）选项，输入-输出隔离电压为5000Vrms。响应时间tr通常为4μs，在输入电流为5mA时，最小电流传输比（CTR）为50%。

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型号：GBJ2510 编号：C698440

封装：6KBJ

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：UL认证，文件编号：E230084。薄型单列直插式封装。高浪涌电流能力。按照JESD 22-B106标准，最高275℃浸焊7s。应用：开关电源、家用电器、办公设备、工业自动化应用中的通用AC/DC桥式全波整流

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型号：LM2575S-ADJ 编号：C880734

封装：TO-263-5

品牌：Slkor(萨科微)

是专为“降压”或“降压/升压”调节器应用而设计的单片集成电路，可在输入电压、负载和温度的综合变化下提供精确的输出电压。该系列极大地简化了开关电源的设计。包括一个开关调节器和补偿网络，都封装在同一个封装内。只需添加一个扼流圈、一个续流二极管和两个电容器，即可获得高效的直流到直流转换器。具有限流和热关断功能，可充分保护设备免受过应力条件的影响。与流行的三端线性稳压器相比，提供更高的效率并减小散热器尺寸。在许多应用中不需要散热器。

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型号：ISOM8710DFFR 编号：C22427584

封装：SOIC-5

品牌：TI(德州仪器)

器件是具有二极管仿真器输入和数字输出的单通道光耦仿真器，是许多传统光耦合器的引脚兼容、可直接替换器件，无需重新设计PCB即可增强业界通用封装。这些器件可实现高达25Mbps的传输数据速率，并可通过两个逻辑输出选项输出3.3V和5V信号：CMOS兼容输出和集电极开路输出。与光耦合器相比，光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势，包括高共模瞬态抗扰度（CMTI）、低传播延迟、小脉宽失真（PWD）、低功耗、更宽的温度范围以及严格的过程控制，从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应，因此仿真二极管输入级的功耗比光耦合器低

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型号：TCLT1600 编号：C553998

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

由一个光电晶体管与两个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用SOP 4引脚宽体封装

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型号：LTV-341W-TA1-H 编号：C262124

封装：SMD-6P

品牌：LITEON(光宝)

LTV - 341 系列光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET，以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的 AlGaAs 发光二极管。2

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型号：TLP351(F) 编号：C150126

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs发光二极管和集成光电探测器组成，采用8引脚DIP封装，适用于IGBT或功率MOSFET的栅极驱动电路，尤其能够“直接”驱动低功率IGBT。

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型号：TLP351H(TP1,F) 编号：C695254

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP351H 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器，由一个 GaAℓAs 红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125°C 的温度下保证性能和规格。TLP351H 内置法拉第屏蔽层，可保证 ±20 kV/μs 的共模瞬态抗扰度

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型号：6N139M 编号：C4071

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分离式达林顿光检测器光耦合的 AlGaAs LED。与传统的达林顿光电耦合器相比，分离式达林顿配置将输入光电二极管和第一阶增益从输出晶体管中分离出来，使得输出饱和电压更低，运行速度更快。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中，集成的发射极-基极电阻器在温度范围内具有出色的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适合用作 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 的输入接口，同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及高扇出 TTL 要求。内部干扰屏蔽具有 10 kV/us 的卓越共模抑制。

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型号：TLPN137(TP1,F) 编号：C99492

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出的GaAs发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成，采用DIP8封装。具有内部法拉第屏蔽，可保证10 kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：TLP176GA(TP,F) 编号：C516859

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP176GA由一个红外发光二极管和一个光电MOSFET通过光耦合组成，采用SOP封装，适用于表面贴装组装。TLP176GA适用于需要节省空间的调制解调器应用。

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型号：TLP715(D4-TP,F) 编号：C914619

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由红外发射二极管和集成高增益、高速光电探测器组成，为6引脚SDIP，比8引脚DIP小50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，可减少需要安全标准认证设备的安装面积。探测器有图腾柱输出级，提供源极和漏极驱动，探测器IC有内部屏蔽，保证共模瞬态抗扰度，为缓冲逻辑类型。

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型号：TLP715(TP,F) 编号：C45216

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成，是一款6引脚SDIP。比8引脚DIP小50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此可减少需要安全标准认证的设备的安装面积。探测器具有图腾柱输出级，可提供源极和漏极驱动。探测器IC有一个内部屏蔽层，可保证10kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：FOD3150ASD 编号：C411200

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

能够驱动大多数800V/20A的IGBT或MOSFET。非常适合用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中的功率IGBT和MOSFET的快速开关驱动。利用安森美半导体获得专利的共面封装技术Optoplanar和优化的IC设计，实现高抗噪性，其特点是具有高共模抑制能力。由一个砷化镓铝（AlGaAs）发光二极管和一个带有推挽MOSFET输出级高速驱动器的集成电路光耦合而成。

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型号：EL0530 编号：C42371562

封装：SOP-8

品牌：AOTE(奥特)

EL0530双通道光电耦合器包含输入和输出间具有电气绝缘的一对发光二极管和光检测器。广泛应用于：高速逻辑接地隔离、取代脉冲变压器、模拟信号接地隔离、极性感应、隔离模拟放大器。

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型号：BCW252A 编号：C5348927

封装：SMD-8P

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：3mA 漏电流：1uA；主要应用：通信设备、测试与测量设备、安全设备、IO模块、工厂自动化设备、安全设备、储能设备、工业机器人等

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型号：XR76112ELTR-F 编号：C2073230

封装：QFN-30(5x5)

品牌：MaxLinear(迈凌)

XR76108和XR76112是同步降压稳压器，将控制器、驱动器、自举二极管和MOSFET集成在一个封装中，用于负载点电源。XR76108的负载电流额定值为8A，XR76112的负载电流额定值为12A。4.5V至22V的宽输入电压范围允许由行业标准的5V、12V和19.6V电源轨进行单电源供电

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型号：IRLS3034TRL7PP 编号：C538184

封装：D2PAK-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行优化。在4.5V VGS时具有极低的RDS(ON)。在4.5V VGS时具有出色的R*Q。改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。具备完整特性的电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用：DC电机驱动。开关电源中的高效同步整流

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￥5.664 ￥14.16

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型号：BCY412S 编号：C5357970

封装：SOP-4

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：3mA 漏电流：1uA；主要应用：通信设备、测试与测量设备、安全设备、IO模块、工厂自动化设备、安全设备、储能设备、工业机器人等

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型号：TLP293-4(V4GBTPE 编号：C2983151

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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型号：STTH50W03CW 编号：C2970213

封装：TO-247-3

品牌：ST(意法半导体)

采用 Turbo 2 300 V 技术，特别适合用于 MIG/MMA/TIG 焊接机次级阶段的 DC/DC 和 DC/AC 转换器。采用 TO-247 封装，为所有焊接机和工业应用提供高功率集成。

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型号：ACPL-K44T-500E 编号：C17484283

封装：SOIC-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

单通道、高温、高共模抑制比、高速数字光耦合器，采用八引脚微型封装，专为汽车应用设计。双通道版本与单通道产品等效，均采用拉伸SO-8封装，与标准表面贴装工艺兼容。该数字光耦合器在发光二极管和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。R2CouplerTM产品提供加强绝缘和可靠性，可实现安全的信号隔离，这在汽车和高温工业应用中至关重要。

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型号：LH1540AABTR 编号：C3001847

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

LH1540性能可靠，非常适合电信和接地故障应用。它是一款单刀单掷常开开关（1 Form A），在许多应用中可替代机电继电器。该开关采用GaAlAs（镓铝砷）发光二极管进行驱动控制，采用MOSFET作为开关输出

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型号：ASSR-4118-503E 编号：C6795958

封装：SO-4

品牌：Broadcom(博通)

ASSR - 41XX系列由一个与高压输出检测电路光耦合的铝镓砷（AlGaAs）红外发光二极管（LED）输入级组成。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路构成，用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流达到3mA时，继电器导通（触点闭合）。当输入电压为0.8V或更低时，继电器关断（触点断开）。单通道配置的ASSR - 4118和ASSR4119相当于1个A型机电继电器（EMR），双通道配置的ASSR4128相当于2个A型机电继电器。它们有4引脚SO、6引脚DIP、8引脚DIP和鸥翼式表面贴装DIP封装可供选择。ASSR - 4119支持交流/直流和仅直流输出连接。对于仅直流连接，输出电流增加到0.2A，导通电阻R(ON)降至10Ω。