DC二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：ABS

特性：UL认证，文件编号#E313149。适合自动贴装。高浪涌电流能力。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃。应用：用于开关电源、照明镇流器、适配器、电池充电器、家用电器、办公设备和电信应用的AC/DC桥式全波整流的通用用途

数据手册

10+
￥0.3076
100+
￥0.2475
300+
￥0.2174
1000+
￥0.1948
4000+
￥0.1594
8000+
￥0.1504

有货

立即购买

型号：EL1018 编号：C20612596

封装：LSOP-4

品牌：AOTE(奥特)

EL1018是一款由一个GaAs发光二极管和一个NPN光电晶体管组成的光电耦合器。平替亿光EL1018 广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、白色家电等。

10+
￥0.375725 ￥0.3955
100+
￥0.298205 ￥0.3139
300+
￥0.259445 ￥0.2731
3000+
￥0.2223 ￥0.234
6000+
￥0.199025 ￥0.2095
9000+
￥0.18734 ￥0.1972

有货

立即购买

型号：PTZTE256.2B-MS 编号：C22459364

封装：SMA

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款1W稳压管采用SMA封装，稳压值(标称值): 6.2V，他稳压值(范围为6.2V-7V)，具备低静态电流特性，广泛适用于移动通信设备、嵌入式系统、仪表仪器、DC-DC转换器的基准电压源、以及各种需要高精度电压稳压的场合。

10+
￥0.44821 ￥0.4718
100+
￥0.35701 ￥0.3758
300+
￥0.31141 ￥0.3278
2000+
￥0.27721 ￥0.2918
4000+
￥0.24985 ￥0.263
10000+
￥0.23617 ￥0.2486

有货

立即购买

型号：SBR0560S1-7 编号：C117950

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向电压降。低反向泄漏。优异的高温稳定性。专利超势垒整流器 (SBR^Q) 技术。软、快速开关能力。 +150℃工作结温。应用：开关电源。 DC-DC转换器

数据手册

5+
￥0.4862
50+
￥0.3794
150+
￥0.3261
500+
￥0.286
3000+
￥0.254
6000+
￥0.238

有货

立即购买

型号：TLP181GB-S 编号：C20612580

封装：SOP-4

品牌：AOTE(奥特)

TLP181GB-S是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、复印机、家用电器（空调、风扇、热水器等）。

5+
￥0.57114 ￥0.6012
50+
￥0.45714 ￥0.4812
150+
￥0.40014 ￥0.4212
500+
￥0.35739 ￥0.3762
3000+
￥0.29507 ￥0.3106
6000+
￥0.277875 ￥0.2925

有货

立即购买

型号：TLP2761(TP,E 编号：C4153768

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，它还具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

1+
￥2.85
10+
￥2.51
30+
￥2.35
100+
￥2.18
500+
￥2.08
1500+
￥2.02

有货

立即购买

型号：TCMT1107 编号：C81148

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：VISHAY(威世)

TCMT110系列由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用4引脚封装。这些元件安装在一个引线框架上，为满足最高安全要求，在输入和输出之间提供固定距离。

数据手册

1+
￥2.93
10+
￥2.39
30+
￥2.15
100+
￥1.86
500+
￥1.66
1000+
￥1.58

有货

立即购买

型号：LTV-M501 编号：C2944048

封装：SOP-5-175mil

品牌：LITEON(光宝)

LTV - M501系列由一个高效的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和一个高速光检测器组成。这种独特的设计为光耦合器的输入和输出端提供了出色的交流和直流隔离。为光电二极管加偏置的连接方式通过减小基极 - 集电极电容，提高了其相对于传统光电晶体管耦合器的速度

数据手册

1+
￥3.35
10+
￥2.69
30+
￥2.41
100+
￥2.06
500+
￥1.89
1000+
￥1.8

有货

立即购买

型号：HCPL-M453-500E 编号：C183328

封装：SOIC-5-4.4mm

品牌：Broadcom(博通)

这些小尺寸、高共模抑制比（CMR）、高速的二极管-晶体管光耦合器是单通道设备，采用五引脚微型封装。SO-5 JEDEC注册（MO-155）封装外形无需在印刷电路板（PCB）上打“通孔”，该封装占用的面积约为标准双列直插式封装的四分之一，引脚轮廓设计与标准表面贴装工艺兼容。这些二极管-晶体管光耦合器在发光二极管（LED）和集成光子探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过降低基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了百倍

数据手册

1+
￥3.61
10+
￥3.2
30+
￥3
100+
￥2.8
500+
￥2.56
1500+
￥2.5

有货

立即购买

型号：LTV-M601 编号：C123201

封装：SOP-5-175mil

品牌：LITEON(光宝)

该产品由高效的砷化铝镓发光二极管和高速光探测器组成。这种独特的设计在实现LVTTL/LVCMOS兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光探测器的输出采用集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在3.3/5V工作电压下，保证了10KV/μs的共模瞬态抗扰度规格。光耦合器的工作参数在-40℃至 + 85℃的温度范围内得到保证。

数据手册

1+
￥3.86
10+
￥3.15
30+
￥2.84
100+
￥2.46
500+
￥2.08
1000+
￥1.97

有货

立即购买

型号：TLP627M(TP1,E 编号：C39286670

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP627M是一款光耦合器，由一个红外发光二极管和一个光电达林顿晶体管光耦合而成。它采用4引脚DIP封装，具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间的击穿电压较高，TLP627M适用于可编程控制器的100 V直流输出模块等应用

1+
￥4.21
10+
￥3.36
30+
￥2.94
100+
￥2.52
500+
￥2.27
1500+
￥2.14

有货

立即购买

型号：TLP627(F) 编号：C96253

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP627、TLP627 - 2和TLP627 - 4由砷化镓红外发光二极管与达林顿连接光电晶体管光耦合组成，该光电晶体管集成了基极 - 发射极电阻，以优化开关速度和高温特性。TLP627 - 2采用八引脚塑料双列直插式封装（DIP），提供两个隔离通道；而TLP627 - 4每个封装提供四个隔离通道。

数据手册

1+
￥5.37
10+
￥4.29
30+
￥3.75
100+
￥3.21
500+
￥2.89
1000+
￥2.73

有货

立即购买

型号：MB6S 编号：C211754

封装：MBS

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：UL认证，文件编号#E313149。适合自动贴装。高浪涌电流能力。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值260℃。应用：用于电源、照明镇流器、电池充电器、家用电器、办公设备和电信应用的通用AC/DC桥式全波整流

数据手册

10+
￥0.2616
100+
￥0.2104
300+
￥0.1848
2500+
￥0.1565
5000+
￥0.1411

有货

立即购买

型号：LTV-1008 编号：C695832

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：UMW(友台半导体)

UMW100X 系列产品将一个铝镓砷（AlGaAs）红外发射二极管作为发射器，该发射器与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用塑料 LSOP4 封装。凭借坚固的共面双塑封结构，UMW100X 系列具备最稳定的隔离特性。

数据手册

10+
￥0.451
100+
￥0.3533
300+
￥0.3044
3000+
￥0.234
6000+
￥0.2047
9000+
￥0.19

有货

立即购买

型号：TLP291(GRL-TP,SE 编号：C248929

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP291(SE)由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP291(SE)采用SO4封装，是一款非常小巧纤薄的耦合器。由于TLP291(SE)保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110°C）和较高的隔离电压（3750Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器

数据手册

5+
￥1.2161
50+
￥0.9691
150+
￥0.8633
500+
￥0.6331
2500+
￥0.5743
5000+
￥0.539

有货

立即购买

型号：MB6S-E3/80 编号：C500640

封装：TO-269AA

品牌：VISHAY(威世)

特性：UL认证，文件编号E54214。节省印刷电路板空间。适合自动贴装。高浪涌电流能力。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃。应用：电源、照明镇流器、电池充电器、家用电器、办公设备和电信应用中的AC/DC桥式全波整流通用用途

数据手册

5+
￥1.4954
50+
￥1.193
150+
￥1.0634
500+
￥0.9017
3000+
￥0.8297
6000+
￥0.7865

有货

立即购买

型号：TLP182(GB-TPL,E 编号：C96457

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP182是一款低交流输入型光电耦合器，采用SO6封装，由光电晶体管与两个反并联的铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合而成。由于TLP182保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

5+
￥1.5566
50+
￥1.1836
150+
￥1.0238
500+
￥0.8243
3000+
￥0.7355
6000+
￥0.6822

有货

立即购买

型号：PS2801-1-F3-A 编号：C7466736

封装：SSOP-4-1.27mm

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是光耦合隔离器，包含一个砷化镓发光二极管和一个NPN硅光电晶体管，采用塑料SSOP封装，适用于高密度应用。该封装具有屏蔽效果，可切断环境光。

5+
￥1.604
50+
￥1.2512
150+
￥1.0999
500+
￥0.9112
3500+
￥0.8272
7000+
￥0.7768

有货

立即购买

型号：MBRM120LT1G 编号：C32150

封装：DO-216AA

品牌：onsemi(安森美)

肖特基POWERMITE采用肖特基势垒原理，结合势垒金属和外延结构，实现了正向电压降和反向电流的最佳平衡。先进的封装技术提供了高效的微型、节省空间的表面贴装整流器。凭借其独特的散热片设计，POWERMITE的热性能与SMA相同，同时占地面积小50%，高度低于1.1mm，是行业内高度较低的产品之一。由于其尺寸小，非常适合用于便携式和电池供电的产品。典型应用包括AC-DC和DC-DC转换器、电池反接保护以及多个电源电压的“或”操作，以及任何对性能和尺寸要求严格的应用。

数据手册

5+
￥1.7768
50+
￥1.3388
150+
￥1.1511
500+
￥0.9169
3000+
￥0.8126
6000+
￥0.75

有货

立即购买

型号：PS2801-1-F3 编号：C133880

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS2801 - 1和PS2801 - 4是光耦合隔离器，在塑料SSOP封装中包含一个砷化镓（GaAs）发光二极管和一个NPN硅光电晶体管，适用于高密度应用。该封装具有屏蔽作用，可阻隔环境光。

数据手册

5+
￥2.2965
50+
￥1.8448
150+
￥1.6512
500+
￥1.276
3500+
￥1.1684
7000+
￥1.1039

有货

立即购买

型号：SFH6156-3T 编号：C118293

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。该耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用塑料贴片封装。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

数据手册

5+
￥2.3981
50+
￥1.896
150+
￥1.6807
1000+
￥1.4122
2000+
￥1.2927
5000+
￥1.2209

有货

立即购买

型号：VOL618A-3X001T 编号：C2838506

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

VOL618A采用砷化镓（GaAs）红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用4引脚宽体小外形封装（LSOP）。其特点是电流传输比高、耦合电容低且隔离电压高。

数据手册

单价：
￥2.5 / 个

有货

立即购买

型号：MOCD217R2M 编号：C14315

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MOCD217M 器件由两个光耦合到两个单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管组成，采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用，无需直通板安装。

数据手册

1+
￥3.37
10+
￥2.64
30+
￥2.33
100+
￥1.94
500+
￥1.65
1000+
￥1.54

有货

立即购买

型号：TPS61046YFFR 编号：C181551

封装：DSBGA-6

品牌：TI(德州仪器)

TPS61046是一款高集成度的升压转换器,设计用于需要高电压和小型解决方案的应用,如PMOLED面板和传感器模块。它可以在1.8V至5.5V的输入电压范围内工作,最高输出电压可达28V。该器件集成了30V功率开关、输入/输出隔离开关和功率二极管,最大开关电流为900mA,效率高达85%。它具有超低关断电流（500nA）和±2%的输出电压精度。工作温度范围为-40℃至150℃。

数据手册

1+
￥3.94
10+
￥3.14
30+
￥2.73
100+
￥2.33
500+
￥2.09
1000+
￥1.97

有货

立即购买

型号：TLP104(TPL,E 编号：C48236

封装：SOIC-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAtAs红外发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成，采用SO6封装，输出级为集电极开路类型。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，保证了±15kV/μs的共模瞬态抗扰度，保证了传播延迟时间、开关速度分散性的最小和最大值以及高共模瞬态抗扰度，适用于电机控制应用中IPM（智能功率模块）之间的隔离接口。

数据手册

1+
￥4.69
10+
￥3.83
30+
￥3.4
100+
￥2.97
500+
￥2.34
1000+
￥2.2

有货

立即购买

型号：TLP350(F) 编号：C50232

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款DIP8封装的光电耦合器，由GaAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达100℃的温度下提供有保证的性能和规格。具有内部法拉第屏蔽，可保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

数据手册

1+
￥6.76
10+
￥5.68
50+
￥4.31
100+
￥3.64
500+
￥3.34
1000+
￥3.2

有货

立即购买

型号：HCPL-0611-500E 编号：C545695

封装：SOP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在 Vcm = 1000V 时可保证高达 15,000V/μs 的共模瞬态抗扰度。这种独特设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证，可实现无忧系统性能。

数据手册