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TLP290(SE)由光电晶体管组成，该光电晶体管与两个反并联连接的红外发光二极管进行光耦合，并且可以通过交流输入电流直接工作。TLP290(SE)采用非常小巧轻薄的SO4封装。由于TLP290(SE)保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110°C）和较高的隔离电压（3750Vrms），因此它适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合集成电路

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型号：TLP185(GB-TPR,E 编号：C7421357

封装：SO6

品牌：TOSHIBA(东芝)

是小外形耦合器，适用于表面贴装组装。由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。由于比DIP封装小，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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型号：TLP2363(V4-TPR,E 编号：C5366011

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。该产品保证在高达105℃的温度和2.7至5.5V的电源下运行。采用SO6封装。与适当的外部组件结合，可使24V数字输入模块符合IEC 61131-2 Type 1规范。具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：TLP3906(C20TL,E 编号：C7528661

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用SO6封装的光电耦合器，由红外发光二极管和光电二极管阵列光耦合而成。光电二极管串联连接，适用于MOS栅极驱动应用。

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型号：TLP3910(D4C20TPE 编号：C5960932

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3910是一款采用SO6L封装的光电耦合器，由一个红外发光二极管与一个光电二极管阵列光耦合组成。这些光电二极管串联连接，使TLP3910适用于MOS栅极驱动应用。此外，为提高开路电压（VOC），TLP3910也适用于驱动超结结构（SJ）MOSFET

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型号：TLP785(D4GHTR6,F 编号：C5331607

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP785由一个与红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5000 Vrms（最小值））。

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型号：TLP185(V4GHTL,SE 编号：C5370565

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP185(SE)由一个与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP185(SE)光电耦合器采用非常小巧轻薄的SO6封装。

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型号：6N139-X009T 编号：C3001650

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

高共模瞬态抗扰度和非常高的电流比，以及5300 VRMS绝缘，通过将LED与集成高增益光电探测器耦合在一个八引脚双列直插式封装中实现。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与TTL兼容的饱和电压和高速运行。访问基极端子可以调整增益带宽。适用于涉及CMOS和低功耗TTL应用的低功耗逻辑应用。保证仅需0.5 mA的LED电流即可实现400%的电流传输比。

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型号：TLP293-4(V4LATPE 编号：C5362373

封装：SOIC-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293 - 4由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP293 - 4光电耦合器采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于TLP293 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：TLP291(GR-TP,E 编号：C5370571

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP291由光电晶体管和一个红外发光二极管光耦合组成。TLP291采用SO4封装，是一款非常小巧纤薄的耦合器。由于TLP291保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110°C）和较高的隔离电压（3750Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器

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型号：TLP290(SE 编号：C17246865

封装：SOIC-4-4.55mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP290(SE)由光电晶体管组成，该光电晶体管与两个反并联连接的红外发光二极管进行光耦合，并且可以通过交流输入电流直接工作。TLP290(SE)采用非常小巧轻薄的SO4封装。由于TLP290(SE)保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110°C）和较高的隔离电压（3750Vrms），因此它适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合集成电路