DIODES二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：RS1JDF-13 编号：C5438908

封装：D-FLAT

品牌：DIODES(美台)

是一款采用低外形 D-FLAT 封装的整流器。该器件恢复时间快，效率高，适用于一般整流应用。

数据手册

5+
￥0.4012
50+
￥0.3921
150+
￥0.3861
500+
￥0.38

有货

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型号：DZ9F6V2S92-7 编号：C5124987

封装：SOD-923

品牌：DIODES(美台)

特性：超小表面贴装封装（1.0 x 0.6 x 0.37mm）。扁平引脚、散热高效的封装设计。外露、易于观察的端子，无需对焊点进行X射线检查（如DIN封装）。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

10+
￥0.4099
100+
￥0.3283
300+
￥0.2875

有货

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型号：SBRT05U20LPS-7B 编号：C444975

封装：X2-DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

Trench SBR系列产品SBRT05U20LPS采用紧凑型X2-DFN1006-2封装，可提供超低正向压降（VF），并在高温环境下具有出色的低反向漏电流稳定性。

数据手册

5+
￥0.4109
50+
￥0.403
150+
￥0.3978
500+
￥0.3926

有货

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型号：MMBT4403T-7-F 编号：C460229

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

特性：300mW功率耗散（FR-4 PCB）。齐纳电压（Vz）容差极小。非常适合自动化组装流程。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用；这些部件符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产

数据手册

30000+
￥0.23472
60000+
￥0.230808
120000+
￥0.22494
240000+
￥0.21516

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型号：BAW156T-7-F 编号：C151574

封装：SOT-523-3

品牌：DIODES(美台)

特性：超小表面贴装封装。极低漏电流。无铅/RoHS合规。符合AEC-Q101高可靠性标准。 “绿色”器件

数据手册

10+
￥0.4348
100+
￥0.3479
300+
￥0.3045

有货

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型号：BZX84C10T-7-F 编号：C2988403

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

特性：超小表面贴装封装。平面芯片结构。无铅/RoHS合规。 “绿色”器件

数据手册

10+
￥0.4356
100+
￥0.354
300+
￥0.3132

有货

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型号：BAT54CWQ-7-F 编号：C526433

封装：SOT-323-3

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。快速开关。超小表面贴装封装。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。完全无铅涂层，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：开关电源（SMPS）。 DC-DC转换器

数据手册

10+
￥0.4697
100+
￥0.3742
300+
￥0.3264

有货

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型号：BZT52C10SQ-7-F 编号：C3001612

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。小表面贴装封装。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性

数据手册

10+
￥0.4709
100+
￥0.3768
300+
￥0.3298

有货

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型号：AZ23C16-7-F 编号：C155324

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：双齐纳二极管共阳极配置。功率耗散额定值：300mW。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的ΔVz ≤ 5%。提供共阴极样式。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该器件符合JEDEC高可靠性标准

数据手册

10+
￥0.4845
100+
￥0.3916
300+
￥0.3451

有货

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型号：SD103AW-13-F 编号：C526758

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

这些是采用SOD123封装的0.2A、20V/30V/40V肖特基整流器。

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10+
￥0.5001
100+
￥0.4064
300+
￥0.3596

有货

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型号：AZ23C13-7-F 编号：C260878

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：双齐纳二极管共阳极配置。功率耗散额定值：300mW。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的ΔVz ≤ 5%。提供共阴极样式。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该器件符合JEDEC高可靠性标准

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5+
￥0.5021
50+
￥0.4018
150+
￥0.3516

有货

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型号：DFLS1100-7 编号：C107674

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器专为满足汽车应用的严格要求而设计。它非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。

数据手册

15000+
￥0.53244
30000+
￥0.523566
60000+
￥0.510255
120000+
￥0.48807

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型号：BAT54LPQ-7 编号：C526434

封装：X1-DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。快速开关。超小型无铅表面贴装封装。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：SMPS。续流二极管

数据手册

5+
￥0.5501
50+
￥0.4402
150+
￥0.3852
500+
￥0.344

有货

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型号：B130Q-13-F 编号：C5244334

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器专为满足商业应用的一般需求而设计。它非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管、阻塞二极管、飞轮二极管。

5+
￥0.5667
50+
￥0.5555
150+
￥0.5481

有货

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型号：RS1B-13-F 编号：C154744

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。快速恢复时间，效率高。浪涌过载额定值达30A峰值。适合自动化组装。无铅涂层，符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件

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5+
￥0.5824
50+
￥0.4683
150+
￥0.4112

有货

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型号：SB140-T 编号：C516611

封装：DO-41

品牌：DIODES(美台)

特性：肖特基势垒芯片。用于瞬态保护的保护环芯片结构。低功耗、高效率。高浪涌能力。高电流能力和低正向压降。浪涌过载额定值达40A峰值。无铅涂层；符合RoHS标准

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5+
￥0.5914
50+
￥0.4806
150+
￥0.4252

有货

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型号：AZ23C39-7-F 编号：C5126675

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：双齐纳二极管共阳极配置。功率耗散额定值：300mW。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的ΔVz ≤ 5%。提供共阴极样式。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该器件符合JEDEC高可靠性标准

数据手册

5+
￥0.5921
50+
￥0.4781
150+
￥0.4211

有货

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型号：SBR02U100LP-7 编号：C445503

封装：DFN-2(0.6x1)

品牌：DIODES(美台)

特性：超低正向压降。卓越的反向雪崩能力。专利超势垒整流器技术（SBR）。软、快速开关能力。 +150℃工作结温。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合JEDEC标准（如AEC-Q中引用），具有高可靠性

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5+
￥0.6054
50+
￥0.5941
150+
￥0.5865

有货

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型号：SDM20U30Q-7 编号：C526766

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

数据手册

5+
￥0.6056
50+
￥0.4925
150+
￥0.4359

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型号：SD101AW-7-F 编号：C154887

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。用于瞬态保护的保护环结构。可忽略不计的反向恢复时间。极低的反向电容。无铅、无卤和无锑，符合RoHS标准的“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.6252
50+
￥0.5015
150+
￥0.4397

有货

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型号：SDM02U30CSP-7 编号：C526761

封装：X3-WLB0603-2

品牌：DIODES(美台)

SDM02U30CSP是一款30伏、0.2安的肖特基势垒二极管，针对低正向压降和低泄漏电流进行了优化。它采用紧凑的芯片级封装（CSP），仅占用……

数据手册

5+
￥0.6464
50+
￥0.5173
150+
￥0.4527

有货

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型号：1N5404G-T 编号：C5245026

封装：DO-201AD

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。高电流能力和低正向压降。浪涌过载额定值达125A峰值。无铅表面处理；符合RoHS标准

单价：
￥0.674 / 个

有货

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型号：SBR1A40S3-7 编号：C460745

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。低反向泄漏。优异的高温稳定性。专利超势垒整流器（SBR）技术。软、快速开关能力。工作结温达 +150℃。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。有符合汽车标准的部件（单独的数据手册中有介绍）

数据手册

5+
￥0.7534
50+
￥0.6191
150+
￥0.552

有货

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型号：BZT52C15LP-7 编号：C2978911

封装：X1-DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

特性：超小无铅表面贴装封装。非常适合自动化组装工艺。设计无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

5+
￥0.7597
50+
￥0.743
150+
￥0.7318

有货

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型号：DZ23C3V0-7-F 编号：C780847

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：双齐纳二极管共阴极配置。300mW 功率耗散。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的 ΔVz ≤ 5%。提供共阳极样式。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑,“绿色”器件。符合 JEDEC 标准,具备高可靠性

数据手册

5+
￥0.7774
50+
￥0.6221
150+
￥0.5444
500+
￥0.4862

有货

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型号：FRS1ME-7 编号：C5245058

封装：DO-219AA

品牌：DIODES(美台)

采用DO-219AA封装，适合作为功率因数校正电路中的升压二极管。用于高温条件下的消费应用中的超快开关速度AC-AC和DC-DC转换器的二次整流和续流。

5+
￥0.7932
50+
￥0.6422
150+
￥0.5668

有货

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型号：B380B-13-F 编号：C96111

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。非常适合自动组装。低功耗，高效率。低正向压降。浪涌过载额定值达100A峰值。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。高温焊接：260℃/10秒（端子处）。无铅涂层/符合RoHS标准。绿色模塑料（无卤素和锑）

数据手册

9000+
￥0.882876
18000+
￥0.86043
27000+
￥0.830502
54000+
￥0.808056

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型号：SD103ATW-7-F 编号：C500778

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。用于瞬态保护的保护环结构。快速开关。低泄漏电流。三个完全隔离的肖特基二极管。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑的“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.9755
50+
￥0.7929
150+
￥0.7016
500+
￥0.6331

有货

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型号：BAT750TA 编号：C150718

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：极低正向压降。高电导。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：DC-DC 转换器。 PCMCIA

数据手册

5+
￥0.991
50+
￥0.8053
150+
￥0.7125

有货

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型号：1SMB5921B-13 编号：C5878418

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：功率耗散：3.0W。非常适合自动组装。标称齐纳电压范围：6.2V-200V。标准Vz公差：45%。人体模型静电放电等级：3级（>16kV）。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

5+
￥0.9992
50+
￥0.8008
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￥0.7157

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