DIODES二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BZT52C3V0LP-7 编号：C2983693

封装：X1-DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

特性：超小无铅表面贴装封装。非常适合自动化组装工艺。设计无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

10+
￥0.3814
100+
￥0.3099
300+
￥0.2742

有货

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型号：BZT52C10Q-7-F 编号：C460782

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。通用型，中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

数据手册

10+
￥0.3853
100+
￥0.313
300+
￥0.2769

有货

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型号：BAS70W-05-7-F 编号：C134390

封装：SOT-323-3

品牌：DIODES(美台)

特性：低开启电压。快速开关。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。超小表面贴装封装。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

10+
￥0.3959
100+
￥0.3151
300+
￥0.2747

有货

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型号：DZ23C18-7-F 编号：C3001614

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：双齐纳二极管共阴极配置。300mW 功率耗散。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的 ΔVz ≤ 5%。提供共阳极样式。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑,“绿色”器件。符合 JEDEC 标准,具备高可靠性

数据手册

10+
￥0.4007
100+
￥0.3255
300+
￥0.288

有货

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型号：B140WS-7 编号：C95171

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。用于瞬态保护的保护环结构。高电导。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

10+
￥0.4113
100+
￥0.3393
300+
￥0.3033

有货

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型号：BAV23S-7-F 编号：C151049

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。适用于电池供电的便携式应用。高反向击穿电压。低泄漏电流。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合 JEDEC 标准（如 AEC-Q 中引用），具有高可靠性

数据手册

10+
￥0.4185
100+
￥0.3407
300+
￥0.3018

有货

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型号：DZ23C12-7-F 编号：C460878

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：双齐纳二极管共阴极配置。300mW 功率耗散。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的 ΔVz ≤ 5%。提供共阳极样式。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑,“绿色”器件。符合 JEDEC 标准,具备高可靠性

数据手册

10+
￥0.4327
100+
￥0.3445
300+
￥0.3004

有货

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型号：BAS40-04T-7-F 编号：C134358

封装：SC-75(SOT-523)

品牌：DIODES(美台)

1对串联肖特基阵列

数据手册

10+
￥0.437
100+
￥0.3625
300+
￥0.3253

有货

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型号：DDZX6V8C-7 编号：C3445957

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：非常尖锐的击穿特性。在FR-4 PCB上的功耗为300mW。齐纳电压（Vz）的公差非常小。非常适合自动化组装过程。极低的泄漏电流。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑。 “绿色”器件。符合AEC-Q101高可靠性标准。有单独数据手册的汽车级兼容部件（DDZX5V1BQ）

数据手册

5+
￥0.4377
50+
￥0.3449
150+
￥0.3051
500+
￥0.2554

有货

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型号：BAV170Q-7-F 编号：C459844

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：表面贴装封装，非常适合自动插入。极低的泄漏电流。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该产品符合 AEC-Q101 标准，具备 PPAP 能力，并在通过 IATF16949 认证的工厂生产

数据手册

10+
￥0.4455
100+
￥0.3736
300+
￥0.3377
3000+
￥0.3108

有货

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型号：BZT585B33TQ-7 编号：C7093703

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

特性：击穿电压公差：±2.0%。小型、薄型表面贴装封装。扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，在通过IATF16949:2016认证的工厂生产

5+
￥0.4512
50+
￥0.4426
150+
￥0.4369
500+
￥0.4311

有货

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型号：DZ23C16-7-F 编号：C6941187

封装：SOT-23-3

品牌：DIODES(美台)

特性：双齐纳二极管共阴极配置。 300mW 功率耗散。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的ΔVz ≤ 5%。提供共阳极样式，参见 AZ 系列。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性。可提供生产件批准程序 (PPAP)

10+
￥0.4826
100+
￥0.3921
300+
￥0.3468

有货

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型号：SDM20E40C-7-F 编号：C139437

封装：SC-59-3

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒二极管专为低正向压降和极低的反向漏电流而设计。

数据手册

10+
￥0.4874
100+
￥0.3936
300+
￥0.3467

有货

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型号：BZT52C5V1TQ-7-F 编号：C3024224

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

特性：小型、薄型表面贴装封装。扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备生产件批准程序（PPAP）能力

数据手册

10+
￥0.4989
100+
￥0.4102
300+
￥0.3659

有货

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型号：DFLR1200-7 编号：C445015

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

采用紧凑、薄型的PowerDI123封装。提供低正向压降，适用于一般整流应用。

数据手册

5+
￥0.5016
50+
￥0.4011
150+
￥0.3509
500+
￥0.3132

有货

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型号：MBR180S1-7 编号：C526660

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

这款MBR180S1是采用SOD123封装的单整流器。非常适合用于低压、高频整流，或在对系统尺寸和重量要求严苛的表面贴装应用中用作续流二极管和极性保护二极管。典型应用包括AC - DC和DC - DC转换器、电池反接保护、多电源电压“O型环”，以及其他对性能和尺寸要求较高的应用

数据手册

10+
￥0.5036
100+
￥0.4038
300+
￥0.354

有货

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型号：S1BB-13-F 编号：C151322

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构，高可靠性。浪涌过载额定值达30A峰值。非常适合自动组装。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.5151
50+
￥0.4128
150+
￥0.3616
500+
￥0.3233
3000+
￥0.2754

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型号：PR1007G-T 编号：C461812

封装：DO-41

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。快速开关，高效能。浪涌过载额定值达30A峰值。低反向漏电流。无铅表面处理；符合RoHS标准

数据手册

5+
￥0.5649
50+
￥0.4665
150+
￥0.4174
500+
￥0.3805
2500+
￥0.351

有货

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型号：B330B-13-F 编号：C134450

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。非常适合自动组装。低功耗，高效率。浪涌过载额定值达125A峰值。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高。具备生产件批准程序（PPAP）能力

数据手册

2+
￥0.568
20+
￥0.4593
60+
￥0.405
200+
￥0.3642

有货

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型号：BAV70LP-7 编号：C459852

封装：DFN-3(0.6x1)

品牌：DIODES(美台)

数据手册

5+
￥0.576
50+
￥0.468
150+
￥0.414
500+
￥0.3735

有货

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型号：B220A-13-F 编号：C110481

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。非常适合自动组装。低功耗、高效率。浪涌过载额定值达500A峰值。适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。高温焊接：端子处+260℃/10秒。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

5+
￥0.5985
50+
￥0.4665
150+
￥0.4005
500+
￥0.351

有货

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型号：BZX84C3V3S-7-F 编号：C151404

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 200mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-39V。超小型表面贴装封装。无铅/符合 RoHS 标准。 “绿色”器件

数据手册

5+
￥0.6382
50+
￥0.5186
150+
￥0.4589
500+
￥0.414

有货

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型号：RS1G-13-F 编号：C85103

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。快速恢复时间，效率高。浪涌过载额定值达30A峰值。适合自动化组装。无铅涂层，符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件

数据手册

5+
￥0.6553
50+
￥0.5338
150+
￥0.4731
500+
￥0.4275

有货

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型号：1SMB5939B-13 编号：C5244674

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：功率耗散：3.0W。非常适合自动组装。标称齐纳电压范围：6.2V-200V。标准Vz公差：45%。人体模型静电放电等级：3级（>16kV）。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

5+
￥0.7267
50+
￥0.7136
150+
￥0.7048
500+
￥0.696

有货

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型号：BZX84C5V6S-7-F 编号：C5248738

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 200mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-39V。超小型表面贴装封装。无铅/符合 RoHS 标准。 “绿色”器件

5+
￥0.7501
50+
￥0.6095
150+
￥0.5391
500+
￥0.4864
2500+
￥0.4441

有货

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型号：B240AE-13 编号：C5310924

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

肖特基整流器提供低正向电压（VF）和高温下出色的反向泄漏稳定性，该器件非常适合用于一般整流应用。

数据手册

5+
￥0.7529
50+
￥0.6021
150+
￥0.5267
500+
￥0.4701
2500+
￥0.406

有货

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型号：B220-13-F 编号：C110480

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。非常适合自动组装。低功耗、高效率。浪涌过载额定值达500A峰值。适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。高温焊接：端子处+260℃/10秒。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

5+
￥0.7543
50+
￥0.6096
150+
￥0.5373
500+
￥0.4831

有货

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型号：BAV199DWQ-7-F 编号：C526443

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：表面贴装封装，非常适合自动插入。极低的泄漏电流。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高。具备生产件批准程序（PPAP）能力

数据手册

5+
￥0.769
50+
￥0.649
150+
￥0.589
500+
￥0.544

有货

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型号：BAS40DW-04-7-F 编号：C134364

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：DIODES(美台)

2对串联

数据手册

5+
￥0.7707
50+
￥0.6393
150+
￥0.5736
500+
￥0.5244

有货

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型号：BZX84C36S-7-F 编号：C5378681

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 200mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-39V。超小型表面贴装封装。无铅/符合 RoHS 标准。 “绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7726
50+
￥0.6182
150+
￥0.5411
500+
￥0.4832
3000+
￥0.4368

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