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首页 > 热门关键词 > DOWO二极管
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PESD1CAN是一款双向TVS二极管阵列,采用领先的单片硅技术,响应时间快,ESD钳位电压低,是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。PESD1CAN符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电±15kV,接触放电±8kV。它采用无铅SOT - 23封装,旨在保护连接到数据和传输线路的元件免受电压浪涌的影响。
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  • NUP2105LT1G是一款双向瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列,采用领先的单片硅技术,具有快速响应时间和低静电放电(ESD)钳位电压,是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。该器件符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电±15kV,接触放电±8kV,采用无铅SOT - 23封装,旨在保护连接到数据和传输线路的元件免受电压浪涌影响。
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  • 双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电(ESD)敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
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  • ESD5451N是一款双向瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用先进的单片硅技术,响应时间快,静电放电(ESD)钳位电压低,是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。ESD5451N符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电±15 kV,接触放电±8 kV。它采用超小型1.0x0.6x0.5mm无铅0402封装。其尺寸小且具备高ESD浪涌保护能力,使其成为保护手机、数码相机、音频播放器及其他众多便携式应用的理想选择。
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  • 双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电(ESD)敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
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  • 高功率TVS二极管专为满足交流和直流线路保护应用的严苛浪涌测试环境而设计。与MOV(金属氧化物压敏电阻)相比,具有非常快速的响应和超低钳位特性。这些组件可以串联和/或并联连接,以创建非常高的浪涌电流保护解决方案。
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  • 双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电(ESD)敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
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  • 双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电(ESD)敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
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  • PESD5V0V1BB是一款双向瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用先进的单片硅技术,响应时间快,静电放电(ESD)钳位电压低,是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电±15 kV,接触放电±8 kV。它采用超小型SOD - 523无铅封装。其尺寸小且具备高ESD浪涌保护能力,使PESD5V0V1BB成为保护手机、数码相机、音频播放器及其他众多便携式应用的理想选择。
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  • 高功率TVS二极管专为满足交流和直流线路保护应用的严苛浪涌测试环境而设计。与MOV(金属氧化物压敏电阻)相比,具有非常快速的响应和超低钳位特性。这些组件可以串联和/或并联连接,以创建非常高的浪涌电流保护解决方案。
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  • 双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电(ESD)敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
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  • SM24CANB-02HTG是一款双向瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列,采用领先的单片硅技术,响应时间快,静电放电(ESD)钳位电压低,是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。该器件符合IEC 61000-4-2(ESD)标准,空气放电±15kV,接触放电±8kV。它采用无铅SOT-23封装,旨在保护连接到数据和传输线路的元件免受电压浪涌影响。
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  • ULN2003是单片集成高耐压、大电流达林顿管阵列,电路内部包含七个独立的达林顿管驱动通道。电路内部设计有续流二极管,可用于驱动继电器、步进电机等电感性负载。单个达林顿管集电极可输出500mA电流,将多个通道并联还可实现更高的电流输出能力。该电路可广泛应用于继电器驱动、照明驱动、显示屏驱动(LED)、步进电机驱动和逻辑缓冲器。ULN2003的每一路达林顿管串联一个2.7K的基极电阻,在5V的工作电压下可直接与TTL/CMOS电路连接,可直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。
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  • ULN2803是单片集成高耐压、大电流达林顿管阵列,电路内部包含八个独立的达林顿管驱动通道。电路内部设计有续流二极管,可用于驱动继电器、步进电机等电感性负载。单个达林顿管集电极可输出500mA电流,将多个通道并联还可实现更高的电流输出能力。该电路可广泛应用于继电器驱动、照明驱动、显示屏驱动(LED)、步进电机驱动和逻辑缓冲器。ULN2803的每一路达林顿管串联一个2.7K的基极电阻,在5V的工作电压下可直接与TTL/CMOS电路连接,可直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。
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  • 特性:400 瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 保护两条 7V 至 12V 线路。 低电容。 低钳位电压。 固态硅雪崩技术。 IEC 61000-4-2 (ESD) ±15kV(空气),±8kV(接触)。应用:保护具有扩展共模范围的 RS-485 收发器。 安全系统
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    • 9000+

      ¥0.1265
  • 有货
  • SD05C旨在采用单片硅技术,替代手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA)等便携式应用中的多层压敏电阻,以提供快速响应时间和超低ESD钳位电压,使其成为保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。SD05C符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,可承受±15 kV空气放电和±8 kV接触放电。SD05C采用无铅SOD - 323封装。这些器件与0805 MLV器件占用相同的PCB焊盘面积。
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  • 特性:400瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 保护两条7V至12V线路。 低电容。 低钳位电压。 固态硅雪崩技术。 IEC 61000-4-2 (ESD) ±15kV (空气), ±8kV (接触)。应用:具有扩展共模范围的RS-485收发器保护。 安全系统
    数据手册
    • 10+

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  • 特性:500 瓦峰值脉冲功率(tp = 8/20μs)。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±30kV 接触,±30kV 空气。应用:基于微处理器的设备。 个人数字助理(PDA)
    数据手册
    • 10+

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      ¥0.1491
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  • 高分子ESD
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  • 高分子ESD
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      ¥0.0753
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  • 有货
  • SD05C-01FTG旨在采用单片硅技术,替代手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA)等便携式应用中的多层压敏电阻,以提供快速响应时间和超低ESD钳位电压,使其成为保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。SD05C-01FTG符合IEC 61000-4-2(ESD)标准,可承受±15kV空气放电和±8kV接触放电。SD05C-01FTG采用无铅SOD-323封装,可保护一条单向线路。这些器件与0805 MLV器件占用相同的PCB焊盘面积。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1447
    • 200+

      ¥0.1123
    • 600+

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    • 3000+

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    • 9000+

      ¥0.0753
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      ¥0.0702
  • 有货
  • 特性:Glass passivated chip。 200W peak pulse power capability with a 10/1000 μs waveform, repetitive rate (duty cycle): 0.01%。 Low leakage。 Uni and Bidirectional unit。 Excellent clamping capability。 Very fast response time
    • 20+

      ¥0.1763
    • 200+

      ¥0.1358
    • 600+

      ¥0.1133
    • 3000+

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      ¥0.0941
    • 21000+

      ¥0.0878
  • 有货
  • 特性:SMA/DO-214AC。 玻璃钝化芯片。 400W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 低泄漏。 单向和双向单元。 出色的钳位能力。 极快的响应时间。 符合 RoHS 标准
    • 20+

      ¥0.1833
    • 200+

      ¥0.1401
    • 600+

      ¥0.1161
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      ¥0.1129
    • 10000+

      ¥0.1004
    • 20000+

      ¥0.0936
  • 有货
  • RCLAMP0502B是一款超低电容TVS阵列,采用领先的单片硅技术,响应时间快,ESD钳位电压低,是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。RCLAMP0502B电容极低,典型值为0.3pF,符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电±15kV,接触放电±8kV。该器件采用3引脚无铅SOT - 523封装。小尺寸、低电容和高水平ESD保护的特性使其非常适合用于HDMI、MDDI、天线电路、USB 2.0。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2592
    • 100+

      ¥0.2064
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    • 3000+

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    • 6000+

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    • 9000+

      ¥0.1287
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  • 双向 反向截止电压(Vrwm):24V@Max 击穿电压(最小值):26.7V 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:8A@8/20us 最大钳位电压:54V
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3181
    • 100+

      ¥0.2489
    • 300+

      ¥0.2143
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      ¥0.1791
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    • 50+

      ¥0.5838
    • 150+

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    • 500+

      ¥0.4452
    • 3000+

      ¥0.4099
    • 6000+

      ¥0.3861
  • 有货
  • 特性:单向四线ESD保护。 60瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。 工作电压:5V。 低电容:0.2pF (I/O到I/O)。 保护四条数据线。 低泄漏电流。应用:串行ATA。 PCI Express
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1847
    • 200+

      ¥0.1415
    • 600+

      ¥0.1175
    • 3000+

      ¥0.1127
    • 9000+

      ¥0.1002
    • 21000+

      ¥0.0935
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片。 10/1000μs波形下具有600W峰值脉冲功率能力,重复率(占空比)为0.01%。 出色的钳位能力。 低反向泄漏。 极快的响应时间。 引脚和本体符合RoHS标准
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4481
    • 100+

      ¥0.3521
    • 300+

      ¥0.3041
    • 3000+

      ¥0.2733
    • 6000+

      ¥0.2445
    • 12000+

      ¥0.23
  • 有货
  • 4.5*3.2*2.7
    • 5+

      ¥0.5295
    • 50+

      ¥0.4143
    • 150+

      ¥0.3567
    • 500+

      ¥0.3135
    • 2500+

      ¥0.2981
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      ¥0.2808
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